Impacts of Dopant Activation Anneal on Characteristics of Gate Electrode and Thin Gate Oxide of MOS Capacitor (불순물 활성화 열처리가 MOS 캐패시터의 게이트 전극과 산화막의 특성에 미치는 효과)
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- Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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- v.35D no.10
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- pp.83-90
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- 1998