ITO(Indium Tin Oxide) is the most attractive TCO(Transparent Conducting Oxide) materials for LCD, PDP, OLEDs and solar cell, because of their high optical transparency and electrical conductivity. However due to the shortage of indium resource, hard processing at low temperature, and decrease of optical property during hydrogen plasma treatment, their applications to the display industries are limited. Thus, recently the Al-doped ZnO(AZO) has been studied to substitute ITO. In this study, we have investigated the effect of different substrate temperature(RT, $150^{\circ}C$, $225^{\circ}C$, $300^{\circ}C$) and working pressure(10 mTorr, 20 mTorr, 30 mTorr, 80 mTorr) on the characteristics of AZO(2 wt.% Al, 98 wt.% ZnO) films deposited by RF-magnetron sputtering. We have obtained AZO thin films deposited at low temperature and all the deposited AZO thin films are grown as colunmar. The average transmittance in the visible wavelength region is over 80% for all the films and transmittance improved with increasing substrate temperature. Electrical properties of the AZO films improved with increasing substrate temperature.
Kim, Sun-Ho;Wang, Son-Jong;Ahn, Chan-Yong;Kim, Sung-Kyew
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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pp.317-317
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2011
Enhanced ICRF (Ion Cyclotron Range of Frequency) ion heating of H-mode D(H) plasma will be tried in 2011 KSTAR experimental campaign. Minority heating is a main ion heating scheme in the ICRF. Its efficiency increases as the hydrogen minority ratio increases in deuterium plasmas. And it should be sustained at a lower level than the critical minority ratio. Consequently, it is important to elevate the critical ratio to maximize ion heating and it is possible by increasing the ion temperature or parallel wave number (k${\parallel}$) of the antenna. Increasing the k${\parallel}$ is not a good approach since the coupling efficiency decreases exponentially with regard to k${\parallel}$ as well. So the remaining method is to increase ion temperature by using NB (Neutral Beam). Ion heating fraction of NB increases as the electron temperature increases. Therefore, we will try to heat electron by using ECH together with NB ion heating before ICRF power injection. The ICRF heating efficiency will be compared with respect to several NB+ECH+ICRF heating combinations through several diagnostics such as XICS (Xray Imaging Crystal Spectroscopy), CES (Charge Exchange Spectroscopy) and neutron measurement. The theoretical background and the experimental results will be presented in more detail in the conference.
Microstructure and wear behavior of A1203-based nanocomposites with Cu and Ni-Co dispersions were investigated. $Al_2O_3/Cu$ and $Al_2O_3/Ni-Co$ nanocomposites were fabricated by hydrogen reduction and sintering method using metal oxide and metal nitrates. The nanocomposites showed increased mechanical properties compared with monolithic $Al_2O_3$. In particular, high toughness and hardness were measured for the $Al_2O_3/Ni-Co$ nanocomposite consolidated by spark plasma sintering. A minimum value of wear coefficient comparable to the monolithic $Al_2O_3$ was obtained for $Al_2O_3/Ni-Co$ nanocomposite. Wear behavior is discussed in terms of microstructure and mechanical properties of nanocomposites
Boron doped conducting diamond thin film were grown on Si substrate by microwave plasma chemical vapor deposition from a gaseous feed of hydrogen, acetone/methanol and solid boron. The doping level of boron was controlled from 0ppm to $10^4$ppm (B/C). The Si substrate was tilted ca. 10$^{\circ}$ to make Si substrate have different height and temperature. Experimental results show that same condition but different temperature of Si substrate by height made different crystalline of diamond thin film. There were appeared 3$\sim$4 step of different crystalline morphology of diamond. To characterize the boron-doped diamond thin film, Raman spectroscopy was used for identification of crystallinity. To survey surface morphology, microscope was used. Grain size was changed gradually by different temperature due to different height. The Raman spectrum of film exhibited a sharp peak at 1334$cm^{-1}$, which is characteristic of crystalline diamond. The lower position of diamond film position, the more non-diamond component peak appeared near 1550$cm^{-1}$.
PDP(Plasma Display Panel)에 적용하고자 하는 녹색 형광체 Zn/sub 2-x/Mn/sub x/SiO/sub 4/를 고상반응법으로 제작하였다. 소성온도, 열처리분위기의 수소와 질소가스의 비 그리고 Mn의 첨가제 및 co-dopant가 형광체의 특성에 미치는 영향에 대하여 관찰하였다. Mn의 농도 x=0.002로 하여 소성온도 1400℃에서 발광특성이 가장 우수하였고, co-dopant의 영향에서는 Cr/sup 3+/를 첨가하였을 때 다른 첨가제를 사용하였을 때 보다 발광특성이 향상되는 것이 관찰되었다.
TFT-LCD requires to use poly silicon for High resolution and High integration. Thin film make of Poly silicon on the excimer laser-induced crystallization of PECVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition)-grown amorphous silicon. In the thin film hydrogen affects to a device performance from bad elements like eruption, void and etc. So dehydrogenation prior to laser exposure was necessary. In this study, use RTP(Rapid Thermal Process) at various temperature from $670^{\circ}C$ to $750^{\circ}C$ and fabricate poly-silicon. it propose optimized RTP window to compare grain size to use poly silicon's SEM pictures and crystallization to analyze Raman curved lines.
In this paper, we investigated the effect of the passivation stack with Al2O3, hydrogenated silicon nitride (SiNx:H) stack and Al2O3, silicon oxynitride (SiONx) stack in the n type bifacial solar cell on monocrystalline silicon. SiNx:H and SiONx films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition on the Al2O3 thin film deposited by thermal atomic layer deposition. We focus on passivation properties of the two stack structure after laser ablation process in order to improve bifaciality of the cell. Our results showed SiNx:H with Al2O3 stack is 10 mV higher in implied open circuit voltage and 60 ㎲ higher in minority carrier lifetime than SiONx with Al2O3 stack at Ni silicide formation temperature for 1.8% open area ratio. This can be explained by hydrogen passivation at the Al2O3/Si interface and Al2O3 layer of laser damaged area during annealing.
실리콘 태양전지 표면에는 구조적인 결함에 의해 소수 캐리어의 재결합이 일어난다. 재결합에 의해 캐리어의 반송자 수명은 줄어들게 되고, 태양전지의 효율은 감소하게 된다. 이를 줄이기 위해 태양전지 전 후면에 패시베이션을 하게 되는데, 이번 연구는 단결정 실리콘 태양전지 전면에 SiNx막을 증착함으로 수소 패시베이션이 반송자 수명에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 공정을 위해 $156{\times}156mm^2$, 200 ${\mu}m$, 0.5-3.0 ${\Omega}{\cdot}cm$ and p-type 단결정 실리콘 웨이퍼를 사용하였고, SiNx막을 올리기 전에 KOH 8.5% 용액으로 SDR을 실행하였다. RF-PECVD 장비로 SiNx 막을 증착하였고 증착 온도는 $200{\sim}400^{\circ}C$, 반응기 내부의 압력을 200~1,000 mtorr, SiH4/NH3/N2 각각의 가스 비율 조절, 그리고 플라즈마 RF power 변화시킴에 따라 증착된 SiNx막의 균일도 및 특성을 분석하였다. 반사광 측정 장비인 Reflectometer장비로 막의 두께와 굴절률, 반사율을 측정하였고, 반송자 수명을 측정하여 태양전지의 표면결함을 최대한 패시베이션 시켜주는 조건에 대한 연구를 수행하였다.
In this study, DLC films deposited by PECVD were evaluated to the properties of super-hydrophobic by CF4 treatment. The structure of DLC films were confirmed by Raman Spectra whether or not mixed sp3 (like diamond) peak and sp2 (like graphite) peak. And the hydrogen contents in the DLC films (F-DLC) were measured by RBS analysis. In addition, DLC films were analyzed by scratch test for adhesion, nano-indentation for hardness and tribo-meter of Ball-on-disc type for friction coefficient. In the result of analysis, DLC films had traditional structure regardless of variation of hardness at constant conditions. Also adhesion of DLC film was increased as higher material hardness. Otherwise, friction coefficient was increased as lower material hardness. The DLC films were treated by CF4 plasma treatment to enhance the properties of super-hydrophobic. And the DLC films were measured by ESEM(Enviromental Scanning Electron Microscope) for water condensation.
대한약학회 2003년도 Proceedings of the Convention of the Pharmaceutical Society of Korea Vol.2-2
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pp.173.2-173.2
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2003
Vanilloid receptor I (VR1) is a nonselective cation ion channel placed in the plasma membrane of peripheral sensory neurons that is potential target for analgesia A series of N-4-substituted-benzyl-N'-tert-butylbenzyl thioureas were prepared for the study of their agonistic/antagonistic activities to the vanilloid receptor in rat DRG. Their structure-activity relationship in reveals that not only the two oxygens and amide hydrogen of sulfonamido group but also the optimal size of methyl in methanesulfonamido group play an integral role for the antagonistic activity on vanilloid receptor.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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