POCl$_{3}$ 도핑 및 비소 이온주입공정으로 제작한 높은 안정성을 갖는 다결정실리콘 저항소자 특성
(Characteristics of Polysilicon Resistors with High Thermal Stability Fabricated by POCl$_{3}$ Doping and Arsenic Implantation)
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- 전자공학회논문지D
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- 제35D권7호
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- pp.56-62
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- 1998