• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.187-187
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• 2009

GAZO 박막의 증착은 $Ga_{2}O_{3}$의 첨가량 (6.65wt%) GZO 타겟과 $Al_{2}O_{3}$의 첨가량 (2.0wt%) AZO 타겟이 각각 장착된 2개의 캐소드를 이용한 DC 마그네트론 동시방전법에 의하여 non-alkali glass 기판위에 다양한 조건(파워, 기판온도, $H_2$ 참가량)에서 행하였다. GAZO박막의 전기적 특성은 Hall Effect measurements를 사용하여 측정 하였으며, 구조적 특성, 박막의 화학적 조성 및 광학적 특성은 XRD(X-ray diffraction), FESEM(Filed Emission Scanning Electron Microscope) 및 UV-Vis Spectrophotometer를 사용하여 평가 하였다. Al을 도입함으로써 캐리어밀도의 증가에 의해 GZO 박막의 특성은 개선됨을 확인 할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.292-292
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• 2011

플렉시블 디스플레이는 작고, 기존의 유리를 이용한 디스플레이에 비해 기계적인 면에서 뿐 아니라 디자인 면에서도 우수하다는 장점으로 인하여 지난 십 년간 디스플레이 산업에서 가장 중요한 연구 주제 중의 하나이다. 이러한 플렉시블 디스플레이의 연구 개발에 따라 적용 가능한 touch screen pannel 에 대한 연구 또한 필요하다. 이번 연구에서는 현재 touch screen에 적용되고 있는 touch-screen pannel 의 특성 분석을 진행하였다. 샘플은 SR-아이텍에서 제공한 샘플로 PET (Polyethylene Terephthalate) 기판 위에 ITO가 증착되어 있다. 실험진행은 샘플의 면저항 및 투과도, hall measurement, SEM 측정을 진행하였고, 추가적으로 샘플의 Bending test를 통해 bending 횟수와 radius에 따른 ITO의 특성을 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2014.11a
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• pp.34-35
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• 2014

탄소는 부식되지 않고 친환경적이며 물리화학적 안정성 및 내마모성 등 많은 장점을 가지고 있어 많은 연구들이 진행 되고 있다. 하지만 탄소 박막은 전도도가 낮은 단점을 가지고 있다. 본 연구에서는 탄소 박막의 전도성과 플라즈마 변수와의 상관관계를 규명 하고자 하였다. 박막의 특성은 X-ray Diffraction (XRD), Hall measurement, Contact angle, Raman spectroscopy 등의 분석기기를 사용하여 측정하였고 그 결과 DC보다 Pulse DC를 사용할 때 더 좋은 전기적 특성을 나타내었다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.20 no.2
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• pp.162-166
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• 2007

The ITO thin films were prepared by facing targets sputtering (FTS) system on polycarbonate (PC) substrate. The ITO thin films were deposited with a film thickness of 100 nm at room temperature. As a function of sputtering conditions, electrical and optical properties of prepared ITO thin films were measure. The electrical and optical characteristics of the ITO thin films were evaluted by Hall Effect Measurement (EGK) and UV/VIS spectrometer (HP), respectively. From the results, the ITO thin films was deposited with a resistivity $8{\times}10^{4}\;{\Omega}-cm$ and transmittance over 80 %.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.11 no.1
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• pp.1-5
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• 2012

Al doped ZnO (AZO) thin film was deposited by using Facing Target Sputtering (FTS) system. This work examined the properties of AZO thin film as a function of the substrate temperature. The sputtering targets were 4 inch diameter disks of AZO (ZnO : $Al_2O_3$ = 98 : 2 wt.% ). The properties of electrical, structural and optical were investigated by 4-point probe, Hall effect measurement, x-ray diffractometer (XRD), field-emitting scanning electron microscopy (FE-SEM), and UV/VIS spectrometer. The lowest resistivity of films was $5.67{\times}10^{-4}{\Omega}.cm$ and the average optical transmittance of the films was above 85% in the visible range.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.16 no.1
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• pp.112-115
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• 2017

ITO thin films were grown on the glass substrate under various oxygen gas flow and substrate temperature by using FTS (Facing Target Sputtering) system. To investigate properties of as-prepared films for transparent electrical devices, we employed four-point probe, UV-VIS spectrometer, X-ray diffractometer (XRD), scanning electron microscopy (SEM), Hall Effect measurement system and Atomic Force Microscope (AFM). As a results, all of prepared samples has high transmittance of over 80 % in the visible range (300-800 nm). Their resistivity increased as a function of oxygen gas flow and substrate temperature due to their crystal structure and oxygen defect in the films. As-prepared films have a resistivity of under $10^{-4}({\Omega}-cm)$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.356-356
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• 2013

Monolithic 3D-IC는 현대 집적회로에서 interconnect로 인해 발생되는 여러 문제들을 해결하기 위해 새롭게 제시되고 있는 기술적 개념으로 구현 시 하위 소자 및 interconnet들에 영향을 주지 않는 저온공정이 필수적이다. 특히 germanium (Ge)은 낮은 녹는점 및 높은 캐리어 이동도 덕분에 3D-IC 구현 시 상위 소자의 channel 물질에 적합한 것으로 알려져 있다. 최근 이러한 Ge을 결정화하기 위해 solid phase crystallization (SPC), metal induced crystallization (MIC), laser annealing과 같은 결정화 방법들이 보고되고 있다. 현재까지 SPC 방법에 의해 얻어진 poly-Ge의 도핑농도 및 이동도와 같은 전기적 특성에 대한 분석은 수행된 바 있으나 3D-IC 공정에 적용이 가능한 MIC 기술을 통해 얻어진 poly Ge 필름에 대한 전기적 특성분석은 부족한 상황이다. 본 연구는 SPC 뿐만 아니라 MIC 방법을 통해 ${\alpha}$-Ge를 결정화시키고 얻어진 poly-Ge 필름의 전기적 특성을 XRD 및 hall effect measurement를 통해 분석하였다. 특히 일반적으로 Ge 내에서 p-type dopant로 동작을 하는 defect과 n-type dopant인 phosphorus 관계를 고려하여 여러 온도에서 SPC 및 MIC에 의해 얻어진 phosphorus doped poly-Ge 필름들의 전기적 특성을 분석하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.07b
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• pp.1111-1113
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• 2000

This paper presents the calculation method for the equivalent-circuit parameters and torque characteristics of squirrel-cage induction motors. The measurement of motor parameters were calculated by the stator resistance test, the blocked rotor test and no load test to T type equivalent-circuit. Especially, this paper describes the test results obtained by using hall sensor and strain gauge for the current and torque characteristics of induction motors. Three-phase squirrel-cage induction motor which has 1[hp] was used to the test and the parameters obtained by the test were compared with the maker parameters.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.403-404
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• 2008

In this study, we prepared ITO thin film on glass, polycarbonate (PC) and polyethersulfone (PES) substrate in Facing Targets sputtering (FTS) system. Properties of as-deposited thin films's aging change were investigated as a function of time placed in the air. The electrical and optical properties of as-deposited thin films were employed by a four point probe and an UV/VIS spectrometer, an X-ray diffractometer (XRD), a Field Emission Scanning Electron Microscope(FESEM) and a Hall Effect measurement. As a result, as time went by, transmittance of all films did not change but resistivity of films was decreasing.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.405-406
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• 2008

The amorphous indium zinc oxide (IZO) thin films were deposited on polyethersulfone (PES) and glass substrates by facing targets sputtering. IZO thin films deposited as functions of gas flow ratio on PES and glass substrates, respectively. The electrical, optical and structural properties of IZO thin films were evaluated by a Hall Effect Measurement, an X-Ray Diffractormeter, UV/VIS spectrometer in visible range and a scanning electron microscopy, respectively. As-deposited IZO thin films exhibited resistivity of $5.4\times10^{-4}$ and $4.5\times10^{-4}$ [$\Omega$-cm] on PES and glass substrates, respectively. The optical transmittance showed over 85% in the visible region on PES and glass substrates.