• 한국자기학회지
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• 제5권3호
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• pp.216-221
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• 1995

자성분말의 보자력$(H_{c})$과 보자력 분포도는 조성 이외의 제조공정인자에 크게 의존하는 값으로 자성분말 제조시 재현성을 결정하는 중요한 물성중의 하나이다. 자성분 말의 자기적 물성을 측정하는 VSM을 이용하여 쉽고 간단하게 보자력 분포도를 측정하는 방법과 그 응용예를 제시하였다. 보자력 분포도 측정은 magnetic hysteresis loop 의 dM/dH 대 H 곡선의 형태와 반치폭에서 얻을 수 있다. dM/dH 곡선 형태가 분리되는 것 없이 반치폭이 작아질수록 보자력 분포도는 더 균일해짐을 나타낸다. 보자력이 다 른 Ba-Ferrite와 ${\gamma}-Fe_{2}O_{3}$ 혼합물 중 Ba-Ferrite의 $H_{c}$가 높아질수록 dM/dH 대 H 곡선 형태는 peak broadening 후 peak splitting으로 나타나며, 이 peak splitting은 혼합자성분말의 $H_{c}$ 차이가 600 Oe 이상일 때 일어난다. 또한 dM/dH 대 H 곡선의 응용으로는 자성분말 보자력 분포도 측정, Ba-Ferrite 구조내로 dopants의 치환 능력 및 ${\alpha}-Fe$의 산화거동을 연구하는데 사용될 수 있다.

• 한국산림과학회지
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• 제105권3호
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• pp.342-350
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• 2016

본 연구는 우리나라 소나무림의 체계적인 경영계획 수립 및 관리목표 달성을 위해 지침이 될 수 있는 임분밀도관리도를 개발하는데 그 목적이 있다. 임분밀도관리도를 구성하는 5개의 모형을 추정하기 위하여 분석에 이용된 총 조사 표본점 수는 1,886plot이었으며, 각 표준지는 소나무의 흉고단면적이 75%이상 점유하는 임분에서 추출되었다. 유의수준 5%에서 $X{^2}_{(0.05)}$ 적합도를 검정하였으며, 허용오차율은 20% 수준으로 나타났다. 모형의 표준편차는$34.59m^3{\cdot}ha^{-1}$이었으며, 허용오차율의 최소치는 16.59%, 변동계수는 22.11%로 나타났다. 본 연구에서 제작된 소나무 임분밀도관리도는 밀도관리의 경로별 수확량과 솎아베기 과정을 예측할 수가 있어 산림경영에서 목적하는 생산재의 양과 형질에 따른 경영계획 수립이 가능할 것으로 기대하고 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제26권2호
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• pp.58-61
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• 2016

Basic 암모노써멀 방법을 사용하여 벌크 GaN 단결정을 성장시켰다. 종자 결정은 Hydride vapor phase epitaxy법으로 성장한 c면의 GaN 템플릿을 사용하고 광화제는 sodium metal, amide, azide를 사용하였다. 결정 성장 온도는 $500{\sim}600^{\circ}C$, 성장 압력은 2~3 kabr에서 실시하였다. c 축의 결정 성장 속도는 운용 압력이 증가함에 따라 선형적으로 증가하였다. Cathodoluminescence로 측정한 평균 전위 밀도는 $1{\times}10^5/cm^2$였다. Double Crystals X-ray Diffraction로 측정한 (002)면의 반치폭은 Ga 면에 대해서는 약 270 arcsec, N 면에 대해서는 약 80 arcsec이었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.99-100
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• 2007

ZnO films on $Al_2O_3$ substrates were grown using a pulsed laser deposition method. Through photoluminescence (PL) and X-ray diffraction (XRD) measurements, the optimum growth conditions for the ZnO growth were established. The results of the XRD measurements indicate that ZnO films were strongly oriented to the c-axis of the hexagonal structure and epitaxially crystallized under constraints created by the substrate. The full width half maximum for a theta curve of the (0002) peak was $0.201^{\circ}$. Also, from the PL measurements, the grown ZnO films were observed to give free exciton behaviour, which indicates a high quality of the epilayer. The Hall mobility and carrier density of the ZnO films at 293 K were estimated to be $299\;cm^2/V\;s$ and $8.27\;{\times}\;10^{16}\;cm^{-3}$, respectively. The absorption spectra revealed that the temperature dependance of the optical band gap on the ZnO films was $E_g(T)\;=\;3.439\;eV\;-\;(5.30\;{\times}\;10^{-4}\;ev/K)T^2(367\;+\;T)$.

• 전기화학회지
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• 제10권4호
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• pp.301-305
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• 2007

연료전지 운전 중에 스택(stack) 분리판 접착부위나 다른 경로로 부동액이 누설될 경우에는 화학적 반응에 영향을 주어 성능의 저하가 발생할 수 있다. 본 연구에서는 부동액이 누설되었을 경우의 성능 거동을 관찰하는 실험을 수행하였다. $400mA/cm^2$ 전류밀도 조건에서 마이크로 펌프를 이용하여 부동액을 주입하였으며 상대습도 100%/100%와 수소와 공기의 양론비는 1.5/2.0으로 고정하여 실험을 수행하였다. 3 cell stack을 이용하여 부동액을 주입한 후 정전류 회복 실험을 수행한 결과 cathode측에 부동액을 주입하였을 경우에는 성능이 회복되었고 anode측에 부동액을 주입하였을 경우에는 성능이 회복되기 어려운 것으로 나타났다. Anode측이 회복되지 못하는 이유로는 ethylene glycol의 산화반응에서 발생하는 불순물에 의한 피독 현상과 GDL과 3상 계면에 ethylene glycol이 물리적으로 흡착하였을 경우 반응에 필요한 연료 공급의 방해로 인한 성능 저하를 예상할 수 있다. 성능 저하에 영향을 주는 두 가지 변수를 확인하는 실험을 수행하였다. 회복 실험은 anode측에 water pump를 이용하여 질소 기체와 물을 동시에 공급하는 방법으로 실험을 수행하였고, 1시간 간격으로 성능 회복 유무를 확인하였다. 성능 평가는 polarization curve, cyclic voltammetry(CV), electrochemical impedance spectroscopy(EIS)를 사용하였으며, 정량분석은 gas chromatography를 이용하여 분석하였다. 부동액 주입 후 성능은 크게 저하되었고 정전류 회복 실험에서도 성능 회복은 미미하게 나타났다. 이 후 물 주입회복 실험을 수행하였고 회복 실험을 수행한 2시간 이후에는 93% 이상의 회복을 관찰할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.99-99
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• 2008

대구경, 고품질 GaN 단결정 기판은 HVPE 방법을 이용하여 제조하였다. 이때 성장 방법은 기판인 $Al_2O_3$ 단결정 기판을 질화처리 하였으며, 이종기판 성장 시 야기되는 격자 불일치와 성장 후 냉각동안에 열팽창 계수의 불일치로 야기되는 휨이나 crack 발생을 제거하기 위하여 step-growth 방법을 사용하였다. 사파이어 위에 성장된 GaN의 기판은 두께가 380um이며, 직경은 3"로 crack 발생은 없었으며, $600^{\circ}C$에서 레이저 분리 방법을 이용하여 사파이어와 분리하였다. 그러나 분리된 기판은 이종기판과의 접촉면에서 고밀도 결함발생으로 인하여 휨이 발생하였으며, 표면을 연마한 후 DCXRD의 FWHM은 107 arcsec, PL을 이용한 결함밀도는 $6.2\times10^6/cm^2$으로 나타났다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제26권4호
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• pp.113-118
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• 2019

In this study, we investigated the growth of single-crystallinity α-Ga₂O₃ thin films on c-plane sapphire substrates using halide vapor pressure epitaxy. We also found the optimal growth conditions to suppress the phase transition of α-Ga₂O₃. Our results confirmed that the growth temperature and partial pressure of the reactive gas greatly influenced the crystallinity. The optimal growth temperature range was about 460~510℃, and the α-Ga₂O₃ thin films with the highest crystallinity were obtained at a III/VI ratio of 4. The thickness and surface morphology of the thin films was observed by scanning electron microscopy. The film thickness was 6.938 ㎛, and the full width at half maximum of the ω-2θ scan rocking curve was as small as 178 arcsec. The optical band gap energy obtained was 5.21 eV, and the films were almost completely transparent in the near-ultraviolet and visible regions. The etch pit density was found to be as low as about 6.0 × 10⁴ cm^-2.

• International Journal of Precision Engineering and Manufacturing-Green Technology
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• 제5권5호
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• pp.583-591
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• 2018

Tool-chip adhesion impacts on cutting performance significantly, especially in finish cutting process. To promote cutting tools' anti-adhesion property, the concave micro-grooves texture (MGT) and convex volcano-like texture (VLT) were fabricated separately on lathe tools' rake faces by laser surface texturing (LST). Various orientations of MGT and different area densities (9% and 48%) and regions (partial and full) of VLT were considered in textured patterns designing. The following orthogonal cutting experiments, machining of aluminum alloy 5038, analyzed tools' performances including cutting force, cutting stability, chip shape, rake face adhesion and abrasion. It indicated that under dry finish cutting conditions, MGT contributed to cutting stability and low cutting forces, meanwhile friction and normal force reduced by around 15% and 10%, respectively with a weak correlation to the grooves' orientation. High density VLT tools, on the other hand, presented an obvious anti-adhesion property. A $5{\mu}m$ reduction of crater wear's depth can be observed on textured rake faces after long length cutting and textured rake faces presented half size of BUE regions comparing to the flat tool, however, once the texture morphologies were filled or worn, the anti-adhesion effect could be invalid. The bearing ratio curve was employed to analysis tool-chip contact and durability of textured surfaces contributing to a better understanding of anti-adhesion and enhanced durability of the textured tools.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제9권3호
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• pp.5-8
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• 2007

All three buffer layers of $Y_2O_3$, YSZ, and $CeO_2$ have been deposited on the biaxially textured metal substrates using rf-sputtering method, The first 50-70nm thick $Y_2O_3$ films were grown epitaxially on biaxially textured metal substrates as a seed layer and followed by the diffusion barrier ${\sim}100nm$ thick YSZ and subsequent capping layer ${\sim}200nm$ thick $CeO_2$ deposited epitaxially on top of $Y_2O_3$ seed layer. The epitaxial orientation of all three layers were all (100) grown with rocking curve Full Width at Half Maximum(FWHM) of $4-5^{\circ}$ and in plane phi-scan FWHM of $6-8^{\circ}$ using X -ray diffraction analysis. The NiO phases formed during the $Y_2O_3$ seed layer deposition seem to degrade the crystallinity and roughen the surface morphology of the following layer observed by AFM(Atomic Force Microscopy). The buffered tapes were used as substrates for long length YBCO coated conductors with high critical current density $J_c$. The five multi-turn of metal tapes was employed to increase the thickness of films and production rate to compensate the low growth rate of rf-sputtering method.

• 콘크리트학회논문집
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• 제13권6호
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• pp.568-574
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• 2001

콘크리트 시험편에 대한 삼점휨실험을 실시하여 여러 실험에 대해 측정된 반응의 평균값을 계산하곤 계산된 평균거동으로부터 삼점휨 시험편이 완전히 파손될 때까지 연속적으로 성장하는 균열에 대한 파괴거동이 분석되었다. 이 연구에서 사용된 실험변수는 25.4mm와 6.4mm의 초기균열길이 그리고 2000sec와 20sec의 실험기간이며, 초기균열길이는 파괴진행대(FPZ) 크기의 영향과 시험편의 기하학적 특성 및 경계조건에 대한 영향을 분석하기 위한 것이다. 실험기간은 초기 크리프(creep)의 영향을 위해 설정되었으나, 이 연구의 하중점-변위 속도에서는 심각한 영향이 관측되지 않았다. 여러 실험의 평균 외부일로부터 평균하중이 계산되었으며, 변형률 게이지를 사용하여 평균 균열길이를 측정하였다. 최대하중 이전의 저항곡선은 파괴진행대의 크기에 대해 유사한 값을 보였다. 그러나 최대하중 직후에는 초기균열의 크기에 관계없이 0.088~0.154mm의 하중점-변위에서 88mm의 불안정 균열성장이 발생되었으며, 평균 파괴에너지율 $G_{F}$$^{ave}$ = 115N/m은 이 불안정 균열성장 동안에 발생되었다. 균열길이 111mm에서 완전한 파괴진행대가 형성되었고, 25.4mm와 6.4mm의 초기균열길이에 대해 파괴진행대의 크기는 각각 86mm와 105mm이었다. 완전한 파괴진행대의 형성이후 저항곡선의 평균 파괴에너지율은 25.4mm와 6.4mm의 초기균열길이에 대해 각각 229N/m로 284N/m로 $G_{F}$$^{ave}$의 두 배 이상이었다.이었다.이었다.