Three types of network polyesters have been newly synthesized by a two-step condensation reaction by the various combination of several diols and diacids. When these polymer films were thermally treated at $240^{\circ}C$, they exhibited absorptions in a visible range despite the forbidden transition of carbonyl group. When excited at wavelengths above 330 nm, the polymers showed fluorescences in a wide visible range from blue to near yellow. These fluorescence phenomena are due to the formation of certain conjugated structures by the Knoevenagel type self-condensation under the high-temperature thermal treatment. These polymers showed significant difference in the thermal properties as a function of the degrees of chemical crosslinking. They also underwent photodegradation. Highly resolved, fluorescent image patterns were successfully obtained by the photodegradation of malonate group under a strong UV-light irradiation.
Nuclear DNA contents of spermatia from eight ceramiacean and four dasyacean algae (Ceramiales, Rhodophyta) and microspores from two land plants were estimated by fluorescence microscopic image processing and their nuclear SSU rDNA sequence data were analyzed. In frequency distribution patterns, the DAPI-stained nuclear volume (NV) of spermatia showed two peaks corresponding to 1C and 2C. Nuclear 2C DNA contents estimated from NV were 0.45-2.31 pg in ceramiacean and 0.40-0.57 pg in dasyacean algae and 8.42-9.51 pg in two land plants, Capsicum annuum and Nicotiana tabacum. By nuclear patterning of vegetative cells derived from an apical cell, 2C DNA contents of spermatia were 2.31 pg in an alga having uninucleate and non-polyploid nucleus (Aglaothamnion callophyllidicola), 0.45-1.94 pg in algae having uninucleate and polyploid nucleus (Antithamnion spp. and Pterothamnion yezoense), and 0.40-0.62 pg in algae having multinucleate and non-polyploid nuclei (Griffithsia japonica and dasyacean algae). Each mature spermatium and microspore (pollen grain) seemed to have a 2C nucleus, which may provide a genetic buffering system to protect the genetic content of a spermatium and microspore from potentially lethal mutations. Nuclear DNA content and SSU rDNA sequence of Antithamnion sparsum from Korea were reasonably different from those of Antithamnion densum from France. The data did not support the previous taxonomic studies that these two taxa could be conspecific.
This study focuses on the enhancement of maskless photolithography as well as the peptide synthesis application with single crystalline silicon micromirrors. A single crystalline silicon micromirror array has been designed and fabricated in order to improve its application to the peptide synthesis. A micromirror rotates about ${\pm}\;9^{\circ}$ at the pull-in voltage, which can range from 90.7 V to 115.1 V. A $210\;{\mu}m-by-210\;{\mu}m$ micromirror device with $270\;{\mu}m$ mirror pitch meets the requirements of an adequately precise separation for peptide synthesis. Synthetic 16 by 16 peptide array corresponds to the same number of micromirrors. The large size of peptide pattern and the separation facilitate biochip experiments using fluorescence assay. The peptide pattern has been synthesized on the GPTS-PEG200 surface with BSA-blocking and thereupon the background was acetylated to reject non-specific bindings. Hence, an averaged slope at the pattern edge has been distinguishably improved in comparison to patterning results from an aluminum micromirror.
Multi-channel images of 11-MUA and 11-MUOH self-assembled monolayers were obtained by using two-dimensional surface plasmon resonance (SPR) absorption. Patterning process was simplified by exploiting direct photo-oxidation of thiol bonding (photolysis) instead of conventional photolithography. Sharper images were resolved by using a white light source in combination with a narrow bandpass filter in the visible region, minimizing the diffraction patterns on the images. The line profile calibration of the image contrast caused by different resonance conditions at each points on the sensor surface (at a fixed incident angle) enables us to discriminate the monolayer thickness in sub-nanometer scale. Furthermore, there is no signal degradation such as photo bleaching or quenching which are common in the detection methods based on the fluorescence.
Multi-channel images of 11-MUA(11-Mercaptoundecanoic acid) and 11-MUOH(11-Mercaptoundecanol) self-assembled monolayers were obtained by using two-dimensional surface plasmon resonance (SPR) absorption. The patterning process was simplified by exploiting direct photo-oxidation of thiol bonding (photolysis) instead of conventional photolithography. Sharper images were resolved by using a white light source in combination with a narrow bandpass filter in the visible region, minimizing the diffraction patterns on the images. The line profile calibration of the image contrast caused by different resonance conditions at each point on the sensor surface (at a fixed incident angle) enables us to discriminate the monolayer thickness in nanometer scale. Furthermore, there is no signal degradation such as photo bleaching or quenching, which are common in the detection methods based on fluorescence.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.281-281
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2014
The field emission properties of GaN are reported in the present study. To be a good field emitter, it requires a low work function, high aspect ratio, and strong mechanical stability. In the case of GaN, it has a quite low work function (4.1eV) and strong chemical/mechanical/thermal stabilities. However, so far, it was difficult to fabricate vertical GaN nanostructures with a high aspect ratio. In this study, we successfully achieved vertically well aligned GaN nanostructures with chemical vapor-phase etching methods [1] (Fig. 1). In this method, we chemically etched the GaN film using hydrogen chloride and ammonia gases at high temperature around $900^{\circ}C$. This process effectively forms vertical nanostructures without patterning procedure. This favorable shape of GaN nanostructures for electron emitting results in excellent field emission properties such as a low turn-on field and long term stability. In addition, we observed a uniform fluorescence image from a phosphor film attached at the anode part. The turn-on field for the GaN nanostructures is found to be about $0.8V/{\mu}m$ at current density of $20{\mu}A$/cm^2. This value is even lower than that of typical carbon nanotubes ($1V/{\mu}m$). Moreover, threshold field is $1.8V/{\mu}m$ at current density of $1mA$/cm^2. The GaN nanostructures achieved a high current density within a small applied field range. We believe that our chemically etched vertical nanostructures are the promising structures for various field emitting devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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