미디어 아트는 새로운 경로의 인식과 지각을 동반하고, 기존의 미술과는 다른 인간의 신체를 도구화 하여 상호작용을 만들어내는 새로운 감상방식을 제안한다. 시각적인 영상을 제작하는 방식 중 포인트 클라우드는 점으로 형태를 표현한다는 점에 있어 서양미술의 점묘법과 유사하며 이는 전통회화 기법을 디지털 기술을 활용해 재구성한다는 의미를 가진다. 본 논문에서는 미학적 요소와 디지털 기술을 융합한 새로운 감상방식으로 포인트 클라우드 형태의 영상을 제작하여 홀로그램 필름에 투사하고, 관람자의 손짓이 영상과 상호작용하는 콘텐츠를 제시한다. 콘텐츠 제작은 콘텐츠 제작 배경 의도를 기획하고 포인트 클라우드 형태의 이미지 제작, 상호작용을 위한 3D 제스처 디자인 과정을 거쳐 최종적으로 홀로그램 필름에 투사하는 과정을 거친다. 콘텐츠는 사람의 의식 속에서 일어나는 기억의 회상 과정을 시각적, 체감적으로 표현한다. 이를 위해 기억의 회상 과정을 불확실한 기억, 기억의 구체화, 완전한 회상으로 설정하였다. 불확실한 기억은 포인트 클라우드 형태의 이미지를 통해 모호한 형태의 이미지로 표현되고, 상호작용으로 이미지를 조작하는 행위를 통해 기억을 구체화 해 나가면서 완전한 회상을 하게 된다.
영화를 분석한다는 것은 무엇인가? 그리고, 영화연구에서 그의 역할은 무엇인가? 질문은 보다 체계적이고 학술적인 답을 요구했고, 바야흐로 영화학(Filmologie)이 분명한 자기 자리를 만들어가고 있었다. 정신분석학, 미학, 당연히 기호학, 텍스트이론들을 관통하며 '영화' 개념의 정체성이 구축되어갔다. 자신의 철학적 에세이들에서 지속적으로 '영화'에 관한 글을 써오던 들뢰즈(Gilles Deleuze)가 1983년, 드디어 『영화 1, 운동-이미지』를 출간하면서, 논의가 깊어가던 '이미지와 본질과의 관계'는 일차적으로 정리되었다. '영화' 는 생각보다 빠르게 세기의 화두로 자리 잡았고, 사고방식을 선도하는 '장치'로 자리 잡았다. 장-루이 보드리(Jean-Louis Baudry)가 이 '영화'에 '장치(le dispositif)'라는 명칭을 붙인 것은 그렇기에 영화학 내부의 부분적인 작업이 아니다. 주목해야 하는 것은 '영화'에 대한 언급이 어느 틈에 철학과 인문학의 가장 뜨거운 주제인 '재현' 담론의 핵심적인 자리를 차지하게 되었다는 점이다. 디지털의 시대에 이르러 다시 한 번 영화는 스스로에 대한 정의 문제를 질문 받는다. 돌이켜보면 '영화사'의 핵심적인 담론의 주제들은 언제나 단순하고 피상적인 기술적 변화에서 불거졌다. CG(컴퓨터그래픽)으로부터 시작된 21세기 '영화'에 대한 질문은 '재현' 문제에 대한 철학적 논의에서 그치지 않고, 영화의 본질에 대한 논의의 초점을 '생산'에서 '배포' 쪽으로 이동시킨다는 중대한 변화를 가져왔다.
심장 혈관 협착증 환자의 경우 수술후 재협착을 방지하기 위하여 혈관내 방사선 조사를 실시하여 혈관내벽의 세포증식을 억제하는 방법이 시도되고 있다. 이를 위해 여러 가지 방사성 동위원소가 사용되고 있지만 한국원자력연구소에서 생산되는 Ho-166 도 그 중의 하나의 원소이다. 따라서 이 Ho-166 을 이용하여 혈관내 방사선조사를 할 경우 선량분포를 측정해 보았다. 혈관 내벽을 방사선 조사하는 방법은 풍선 혈관 카테터를 혈관내에 위치시키고 풍선 안에 액체 상태인 Ho-l66 동위원소를 채우고 일정시간 머물게 함으로써 시행된다. 선량분포를 측정하기 위하여 Solid water phantom 과 방사선 흡수선량에 따라 현상기에 현상을 하지 않아도 바로 필름 흑화도 변화를 볼 수 있는 GafChromic Film 을 사용하였다. 필름 흑화도 측정은 Videodensitometer를 이용하였으며 Co-60 빔에 검교정된 GafChromic 필름의 흑화도로 부터 풍선 혈관 카테터 안에 있는 Ho-166 동위원소에 의한 선량분포플 측정하였다. 먼저 Co-60 빔을 이용한 GafChromic Film 의 calibration curve를 얻었다. 흡수선량 대 필름 흑화도 곡선 (H-D curve)은 직선을 이루지 않았으며 이는 densitometer에 쓰이는 광원으로 부터 짐작되는 결과이다. H-D 곡선을 이용하여 Ho-l66이 채워진 풍선 혈관 카테터로 부터의 거리에 따른 선량분포를 얻었으며 카테터 표면으로 부터 1 mm 떨어진 거리에서의 선량은 풍선 표면에서의 약 20% 정도 였으며 5mm 떨어진 거리에서는 풍선 표면 선량의 약 1% 정도로 급속히 떨어짐을 볼 수 있었다. 혈관내 방사선 조사시 중요한 것은 혈관 내 벽에는 원하는 만큼의 방사선량을 주어야 하지만 주변의 정상조직에는 최소한의 손상을 유지해야 하므로 선량분포가 동위원소로 부터 떨어졌을 때 급속히 감소해야 한다는 것이다 따라서 이와같은 이유 때문에 베타선 방출 핵종 들이 많이 시도되고 있으며 동위원소 Ho-l66 도 혈관내벽 방사선조사를 위한 하나의 좋은 핵종으로 이용할 수 있다.
이 연구는 2010-2014년 할리우드 극장용 애니메이션 영화의 제작비를 통해 포트폴리오 구성전략이 어떻게 운용되는 지를 분석하는 걸 목적으로 한다. 분석 결과 극장용 애니메이션 영화는 대규모 제작비를 투입하면서 수익을 극대화하는 방식을 택한 것으로 나타났다. 2010-2014년 극장용 애니메이션은 57편 개봉되었고, 평균 제작비는 1억 달러를 상회하였다. 1억 달러 이상의 평균 제작비를 투자하는 블록버스터 전략을 통해 극장용 애니메이션 영화는 실적 또한 기획한 방향과 부합하게 달성한 것으로 나타났다. 해당 기간 동안 평균 흥행실적은 3억 8천 달러로서 애니메이션 전체를 고려하면 모두 수익구간에 들어간 것으로 판단된다. 또한 애니메이션 영화 제작에 사용된 총 비용 중 72.2&는 1억 달러 이상의 제작비가 투자된 영화에 사용되었다. 이는 할리우드의 극장용 애니메이션 영화의 중심 영역이 1억 달러 이상의 구간에 집중되어 있으며, 해당 구간을 중심으로 흥행실적을 확보하려는 의지가 엿보이는 것으로 판단할 수 있다.
본고는 히치콕 영화 <사이코>에서 사운드의 의미작용에 대해 음성, 배경소리, 음악으로 나누어, 사운드 구성요소 모두를 영화미학적인 관점에서 다루고 있다. 음성은 보이스오버를 통해 정신적 이미지를 청각화하며, 주인 없는 음성은 육화하기 위해 삶과 죽음의 식별 불가능성을 갖기도 한다. 본고는 메츠가 주목한시각적 기법 외에 배경소리 또한 거시적 맥락 속에서 구두점-서사적 경계를 표시할 수 있음을 보였으며, 뇌리 속 비명소리를 상쇄시키며 샤워신을 매듭짓고 있는 물소리를 그 예로 들고 있다. 음악에서는 욕망과 억압이 상징되어 충돌의 불협화음을 만들고 있고, 때로 병존하는 두 화음들은 노먼-어머니의 이중성을 나타낸다. 또한, 음악은 정지된 시간 속에서 무음의 형태로 미이라화 되어 소멸하기도 한다. 이렇듯, <사이코>에 쓰인 사운드들의 공통된 영화적 의미작용은 이미지의 재생산이라 할 수 있다.
식품의 선도가 될 수 있는대로 오래 유지되도록 하여 소비자들에게 보다 신선한 식품이 공급되도록 하는 것은 매우 중요한 일중의 하나이다. 지금까지는 식품의 선도가 유지되도록 하기 위한 방편으로서 식품보존용기에 사람에게 유해한 방부제를 첨부하거나 분위기를 제어하는 방법, 혹은 식품의 표면을 특수처리하는 방법 등이 활용되어 왔다. 그러나 이러한 방법들은 모두 나름대로의 장단점을 안고 있다. 본 연구에서는 식품보존방법에 대해 새로운 개념을 도입하여 다른 이물질을 식품 보관용 필름에 혼입하지 않고도 식품자체의 선도가 유지되도록 하는 기술을 개발하고자 하였다. 기술의 요체는 식품이 오래 선도를 유지할 수 있도록 하는 정보를 물에 각인한 다음에 이를 식품 보관용 필름에 전사하여 그러한 기능을 갖도록 한 것으로서 일종의 기능성 필름이라고 할 수 있다. 이러한 개념에 입각한 기술의 실용화 가능성을 검토하기 위하여 실험을 수행한 결과 선도유지 기능이 우수한 것으로 나타났다. 앞으로 이러한 기술이 보다 더 다듬어지고 그 작용기전이 밝혀진다면 더욱 우수한 제품이 개발될 가능성이 높다고 하겠다.
Silicon nitride ($SiN_x:H$) films made by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) are generally used as antireflection layers and passivation layers on solar cells. In this study, we investigated the properties of silicon nitride ($SiN_x:H$) films made by PECVD. The passivation properties of $SiN_x:H$ are focused on by making the antireflection properties identical. To make equivalent optical properties of silicon nitride films, the refractive index and thickness of the films are fixed at 2.0 and 90 nm, respectively. This limit makes it easier to evaluate silicon nitride film as a passivation layer in realistic application situations. Next, the effects of the mixture ratio of the process gases with silane ($SiH_4$) and ammonia ($NH_3$) on the passivation qualities of silicon nitride film are evaluated. The absorption coefficient of each film was evaluated by spectrometric ellipsometry, the minority carrier lifetimes were evaluated by quasi-steady-state photo-conductance (QSSPC) measurement. The optical properties were obtained using a UV-visible spectrophotometer. The interface properties were determined by capacitance-voltage (C-V) measurement and the film components were identified by Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR) and Rutherford backscattering spectroscopy detection (RBS) - elastic recoil detection (ERD). In hydrogen passivation, gas ratios of 1:1 and 1:3 show the best surface passivation property among the samples.
Recently, Thin film transistors (TFTs) with amorphous oxide semiconductors (AOSs) can offer an important aspect for next generation displays with high mobility. Several oxide semiconductor such as ZnO, $SnO_2$ and InGaZnO have been extensively researched. Especially, as a well-known binary metal oxide, tin oxide ($SnO_2$), usually acts as n-type semiconductor with a wide band gap of 3.6eV. Over the past several decades intensive research activities have been conducted on $SnO_2$ in the bulk, thin film and nanostructure forms due to its interesting electrical properties making it a promising material for applications in solar cells, flat panel displays, and light emitting devices. But, its application to the active channel of TFTs have been limited due to the difficulties in controlling the electron density and n-type of operation with depletion mode. In this study, we fabricated staggered bottom-gate structure $SnO_2$-TFTs and patterned channel layer used a shadow mask. Then we compare to the performance intrinsic $SnO_2$-TFTs and doping hafnium $SnO_2$-TFTs. As a result, we suggest that can be control the defect formation of $SnO_2$-TFTs by doping hafnium. The hafnium element into the $SnO_2$ thin-films maybe acts to control the carrier concentration by suppressing carrier generation via oxygen vacancy formation. Furthermore, it can be also control the mobility. And bias stability of $SnO_2$-TFTs is improvement using doping hafnium. Enhancement of device stability was attributed to the reduced defect in channel layer or interface. In order to verify this effect, we employed to measure activation energy that can be explained by the thermal activation process of the subthreshold drain current.
본 연구는 보호콜로이드로 PVA를 사용한 PVAc 에멀젼 폴리머와 VAE 에멀젼 폴리머 블렌드에 관한 것으로 보호콜로이드로 사용된 PVA는 블렌드 전의 각각의 에멀젼 폴리머 필름과 블렌드 후의 필름에서도 연속상으로 존재하였다. 이는 블렌드를 구성하는 입자사이에서 뛰어난 접착력을 예상하게 한다. Tg가 서로 다른 에멀젼 폴리머 블렌드는 중요한 관심 대상이며 PVAc/VAE 에멀젼 폴리머 블렌드는 이 중 간단하면서도 또 다른 뛰어난 연구 방향을 제시하였다. 혼합 결과, PVAc 증가에 따라 신율이 저하되었고, PVAc 제조에 사용된 가소제가 혼합물의 Tg에 영향을 미쳐 PVAc 가소제의 VAE 에멀젼 폴리머으로의 이행으로 인하여 VAE 에멀젼 폴리머의 Tg를 저하시켰고, 인장강도 및 내열성, 접착력에서 두 혼합물의 상승효과가 나타났다.
In order to prevent water vapor and oxygen permeation in the organic light emitting diodes (OLED), Al2O3 thin-film encapsulation (TFE) technology were investigated. Atomic layer deposition (ALD) method was used for making the Al2O3 TFE layer because it has superior barrier performance with advantages of excellent uniformity over large scales at relatively low deposition temperatures. In this study, the thickness of the Al2O3 layer was varied by controlling the numbers of the unit pulse cycle including Tri Methyl Aluminum(Al(CH3)3) injection, Ar purge, and H2O injection. In this case, several process parameters such as injection pulse times, Ar flow rate, precursor temperature, and substrate temperatures were fixed for analysis of the effect only on the thickness of the Al2O3 layer. As results, at least the thickness of 39 nm was required in order to obtain the minimum WVTR of 9.04 mg/m2day per one Al2O3 layer and a good transmittance of 90.94 % at 550 nm wavelength.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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