Gha-Young Kim;Jeong-Hyun Woo;Junhyuk Jang;Yang-Il Jung;Young-Ho Lee
방사성폐기물학회지
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제22권2호
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pp.211-217
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2024
The growing significance of sustainable energy technologies underscores the need for safe and efficient management of spent nuclear fuels (SNFs), particularly via deep geological disposal (DGD). DGD involves the long-term isolation of SNFs from the biosphere to ensure public safety and environmental protection, necessitating materials with high corrosion resistance for DGD canisters. This study investigated the feasibility of a Cu-Ni film, fabricated via additive manufacturing (AM), as a corrosion-resistant layer for DGD canister applications. A wire-fed AM technique was used to deposit a millimeter-scale Cu-Ni film onto a carbon steel (CS) substrate. Electrochemical analyses were conducted using aerated groundwater from the KAERI underground research tunnel (KURT) as an electrolyte with an NaCl additive to characterize the oxic corrosion behavior of the Cu-Ni film. The results demonstrated that the AM-fabricated Cu-Ni film exhibited enhanced corrosion resistance (manifested as lower corrosion current density and formation of a dense passive layer) in an NaCl-supplemented groundwater solution. Extensive investigations are necessary to elucidate microstructural performance, mechanical properties, and corrosion resistance in the presence of various corroding agents to simplify the implementation of this technology for DGD canisters.
할로겐계 난연제의 환경적 문제로 인한 규제가 강화되면서 비할로겐타입의 인계화합물을 기초로 한 난연제의 비중이 높아지고 있으며, 기능성 film 제조에 있어 난연 효과를 보이는 적인 첨가에 따라 수지의 물성 및 열적 특성이 확연히 달라진다. 난연 효과를 높이고자 난연제 과량 첨가시 수지의 물성은 크게 저하되며, 수축 또는 방청 등 기능성 film에 적용되기 어렵다. 본 연구에서는 적인MB의 함유량에 따른 LDPE film을 blow 타입의 사출공청을 통해 제조하였고, 이에 대한 난연성 시험과 인열 강도 및 수축률, 방청성 평가를 통해 적인-LDPE film의 기계적 특성 및 물성특성에 미치는 영향력과 함유량에 따른 적인난연 film의 특성연구를 그 목적으로 하였다. 난연성의 경우 VTM 0를 보였으며, 인열 강도의 경우 MD 및 TD의 경향성이 상반되는 것을 알 수 있었다. 수축률의 경우 함유량에 따른 특성은 보이지 않았으며, 방청성의 경우 국내 방청 수축 필름 신뢰성 규격의 기준인 0.05 % 보다 우수한 결과를 보였다.
Kim, Hyung-Kyu;Bae, Jee-Hwan;Kim, Tae-Hoon;Song, Kwan-Woo;Yang, Cheol-Woong
Applied Microscopy
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제42권4호
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pp.207-211
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2012
We examined the electrical properties and microstructure of NiO produced using a sol-gel method and Ni nitrate hexahydrate ($Ni[NO_3]_2{\cdot}6H_2O$) to investigate if this NiO thin film can be used as an insulator layer for resistance random access memory (ReRAM) devices. It was found that as-prepared NiO film was polycrystalline and presented as the nonstoichiometric compound $Ni_{1+x}O$ with Ni interstitials (oxygen vacancies). Resistances-witching behavior was observed in the range of 0~2 V, and the low-resistance state and high-resistance state were clearly distinguishable (${\sim}10^3$ orders). It was also demonstrated that NiO could be patterned directly by KrF eximer laser irradiation using a shadow mask. NiO thin film fabricated by the sol-gel method does not require any photoresist or vacuum processes, and therefore has potential for application as an insulating layer in low-cost ReRAM devices.
금속산화물 박막 소자를 제작하여 전기적 특성을 조사하였다. 소자는 Electrode를 TOP-TOP구조로 제작하였으며 스위칭 특성을 연구하기 위해 전극간의 산화금속박막의 전도특성이 측정되었다. 소자의 저항변화는 전압을 선형적으로 인가하여 측정하였다. 제작된 소자는 MIM구조로써 외부에서 인가하는 전기적 신호에 의하여 전기전도도가 큰 On-state와 전기전도도가 낮은 Off-state로 바뀌는 특성을 나타내었다. $Si/SiO_2/MgO$ 소자는 Forming에 의해 저항이 큰 상태에서 저항이 작은 상태로 전기적 특성이 변화하면서 스위칭 특성을 보였다. 본 연구를 통하여 산화금속은 차세대 비휘발성 메모리로는 물론 다른 전기적 응용이 기대되는 물질임을 확인하게 되었다.
In this study, the water resistance and mechanical properties of heat-treated polyvinyl alcohol (PVA)/cellulose nanocrystal (CNC) films were investigated. PVA is the most commonly used synthetic biodegradable polymers owing to its excellent properties. However, the water/moisture sensitivity and relatively poor mechanical properties of PVA limits its applications. Although heat treatment is a conventionally used method to improve the mechanical strength and water resistance of PVA, the effectiveness of this method is insufficient. Therefore, CNC was used to further improve the mechanical properties and water resistance of the heat-treated PVA film. PVA/CNC nanocomposites containing CNC contents of 0, 1, 3, 5, and 10 wt% were fabricated using solvent casting and subsequent heat treatment. The mechanical properties and water resistance of PVA/CNC films were significantly improved. The tensile strength and wet strength of the PVA/CNC film with a CNC content of 5 wt% (PVA/CNC 5%) were 184.5% and 136.0% higher than those of the untreated PVA, respectively. In addition, the water absorption and solubility of PVA/CNC 5% were 56.6% and 68.2% lower than those of the untreated PVA.
Electrochemical method of carbon film on silicon substrate in methanol solution was carried out with various current density, solution temperature and electrode spacing between anode and cathode. The carbon films with smooth surface morphology and high electrical resistance were formed when the distance between electrode was relatively wider. The electrical resistance of the carbon films were independent of both current density and solution temperature.
To improve the corrosion resistance of an electrogalvanized steel sheet, we deposited magnesium film on it using a vacuum evaporation method and annealed the films at $250-330^{\circ}C$. The zinc-magnesium alloy is consequently formed by diffusion of magnesium into the zinc coating. From the anodic polarization test in 3% NaCl solution, the films annealed at $270-310^{\circ}C$ showed better corrosion resistance than others. In X-ray diffraction analysis, $ZnMg_2$ was detected through out the temperature range, whereas $Mg_2Zn_{11}$ and $FeZn_{13}$ were detected only in the film annealed at $310^{\circ}C$. The depth composition profile showed that the compositions of Mg at $270-290^{\circ}C$ are evenly and deeply distributed in the film surface layer. These results demonstrate that $270-290^{\circ}C$ is a proper temperature range to produce a layer of $MgZn_2$ intermetallic compound to act as a homogeneous passive layer.
Kim, Jong-Man;Hong, Wan-Shick;Kim, Do-Young;Jung, Ji-Sim;Kwon, Jang-Yeon;Noguchi, Takashi
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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pp.95-97
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2004
We studied a low temperature ion doping process for poly-Si Thin Film Transistor (TFT) on plastic substrates. The ion doping process was performed using an ion shower system, and subsequently, excimer laser annealing (ELA) was done for the activation. We have studied the crystallinity of Si surface at each step using UV-reflectance spectroscopy and the sheet resistance using 4-point probe. We found that the temperature has increased during ion shower doping for a-Si film and the activation has not been fulfilled stably because of the thermal damage against the plastic substrate. By trying newly a pulsed ion shower doping, the ion was efficiently incorporated into the a-Si film on plastic substrate. The sheet resistance decreased with the increase of the pulsed doping time, which was corresponded to the incorporated dose. Also we confirmed a relationship between the crystallinity and the sheet resistance. A sheet resistance of 300 ${\Omega}$/sq for the Si film of 50nm thickness was obtained with a good reproducibility. The ion shower technique is a promising doping technique for ultra low temperature poly-Si TFTs on plastic substrates as well as those on glass substrates.
Thin films of single-wall carbon nanotubes (SWNT) with various thicknesses were fabricated, and their optical and electrical properties were investigated. The SWNTs of various thicknesses were directly coated in the arc-discharge chamber during the synthesis and then thermally and chemically purified. The crystalline quality of the SWNTs was improved by the purification processes as determined by Raman spectroscopy measurements. The resistance of the film is the lowest for the chemically purified SWNTs. The resistance vs. thickness measurements reveal the percolation thickness of the SWNT film to be $\sim$50 nm. Optical absorption coefficient due to Beer-Lambert is estimated to be $7.1{\times}10^{-2}nm^{-1}$. The film thickness for 80% transparency is about 32 nm, and the sheet resistance is 242$\Omega$/sq. The authors also confirmed the relation between electrical conductance and optical conductance with very good reliability by measuring the resistance and transparency measurements.
In this paper, we studied the physical and electrical characteristics of $\textrm{WSi}_{x}$ thin film with respect to the adoption of the DCS (dichlorosiliane) post flow and the variation of deposition temperature. XRD measurements show that as deposited thin film has a hexagonal structure regardless of deposition Process. However, we find that the phase of thin film has changed to a tetragonal structure after the heat treatment at $680^{\circ}C$. Adoption of DCS post flow and increment of deposition temperature result in the increments of Si/W composition ratio. These conditions also result in the increment of sheet resistance by the amount 3.0~4.2$\Omega$/$\square$, but give the tendency in the decrement of stress by 0.27~0.3 E10dyne/$\textrm{cm}^2$. We also find that the contact resistance of word line and bit line interconnection was decreased by the amount 5.33~16.43$\mu$$\Omega$-$\textrm{cm}^2$, when applying DCS post flow and increasing deposition temperature.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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