• 한국재료학회지
• /
• 제26권8호
• /
• pp.427-429
• /
• 2016

A multi-step deposition process for the gap-filling of submicrometer trenches using dimethyldimethoxysilane (DMDMOS), $(CH_3)_2Si(OCH_3)_2$, and $C_xH_yO_z$ by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is presented. The multi-step process consisted of pre-treatment, deposition, and post-treatment in each deposition step. We obtained low-k films with superior gap-filling properties on the trench patterns without voids or delamination. The newly developed technique for the gap-filling of submicrometer features will have a great impact on inter metal dielectric (IMD) and shallow trench isolation (STI) processes for the next generation of microelectronic devices. Moreover, this bottom up gap-fill mode is expected to be universally for other chemical vapor deposition systems.

• 한국진공학회지
• /
• 제2권4호
• /
• pp.474-479
• /
• 1993

Submicron contact hole filling with aluminum alloys has been achieved with a multistep metallization method, which utilizes a metal " flow" or self-diffusion process at elevated temperatures after the metal was sputter-deposited. A multi-chamber, modular sputtering system was employed to deposit aluminum alloys and subsequently to anneal the deposited metal films under vacuum at high temperatures. The film were deposited on 200 mm wafers with planar, dc magnetron sputtering sources without anysubstrate bias. The basic process steps studied for the multistep metallization include an initial layer deposition at low temperatures less than $100^{\circ}C$, and an annealin gstep at elevated temperatures, between 450 and $550^{\circ}C$. The degree of planarization or step coverage was dependent strongly upon the temperature and time of the flow step and complete filling of the submicron contacts with aluminum alloys was achieved. Responsible mechanisms for the enhancement in step coverge and factros determining uniform and reproducible flow of aluminum alloys during the high temperauture step are discussed.discussed.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제14권3호
• /
• pp.37-42
• /
• 2007

반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라 3D SiP에 대한 관심이 높아지고 전기도금법을 이용한 구리 via filling이 활발히 연구되어왔다. Via filling시 via 입구와 바닥에 전류밀도 차이로 인해 via 내부에 결함이 발생하기 쉽다. 여러 가지 유기물 첨가제와 전류인가 방식의 변화를 통한 via filling을 하였다. 첨가된 유기물은 PEG, SPS, JGB, PEI를 사용하였다. 유기물이 첨가된 용액을 이용하여 펄스와 역펄스 방법을 이용하여 via filling을 하였다. 유기물의 첨가에 따른 도금된 구리 입자의 크기 및 형상에 관하여 고찰하였으며 도금 후 via 시편의 단면을 FESEM으로 관찰하였다. JGB에 비하여 PEI를 사용한 경우 치밀한 도금층을 얻을 수 있었다. 2 step via filling을 사용한 경우 via filling 시간을 단축시킬 수 있었다.

• 한국지반공학회논문집
• /
• 제16권1호
• /
• pp.167-178
• /
• 2000

준설매립 공사시 자중압밀침하량 및 체적변화비 예측을 위해 사용되는 Yano 방법의 단점을 보완하고실제 준설매립 공사시 준설토가 연속적으로 투기되며 퇴적고의 상승이 토층의 증가와 침강 및 자중압밀에 의한 체적감소의 결과로 표현되어지는 것을 고려한 단계투기법에 의한 새로운 해석기법에 대한 시험적 연구를 수행하였다. 단계투기시험에 의해 투기속도와 퇴적고 상승속도의 관계를 측정하여 현장 매립계획고에 소요되는 현장투기 완료일수를 산정하였고 그때 소요되는 전체 투기높이 그리고 이에 해당하는 실질토량고를 산정하여 이를 바탕으로 현장투기완료 후 자중압밀 침하량 및 체적변화비,함수비, 간극비의 변화를 예측하였고, 전체투기 시험을 통한 Yano법에 의한 산정결과와 비교 분석하였다. 자중압밀 침하량의 경우 약 29.8%, 체적비의 경우 31.1%, 공극비 및 함수비가 약 40%정도 전체투기에 의한 Yano 법이 단계투기법에 의한 결과보다 작게 평가되었다.

• 한국주조공학회지
• /
• 제22권6호
• /
• pp.299-303
• /
• 2002

수정된 SIMPLE법과 VOF의 결합으로 predictor-two step corrector-VOF라고 불리는 새로운 알고리즘이 주조 시 용탕 충전과정을 해석하기 위해 개발되었다. 운동량보존으로부터 유도된 새 2단계 속도 경계조건 처리법은 용탕의 자유표면을 추적하는 데 사용되었다. 본 연구에서는 2개의 예제 계산을 통해 계산정확도와 속도에 대한 Courant 수의 영향을 살펴보았다. 그 결과 적당한 Courant 수의 증가는 계산 정확도의 감소 없이 용탕 계산 속도를 향상시킬 수 있는 것으로 나타났다. 또한 만족할 만한 계산 정확도와 효율이 이 알고리즘의 실제 제품 해석을 통해 얻어졌다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.231-231
• /
• 2010

현재 Cu배선 제조공정에서 전해도금은 Damascene pattern의 Cu filling에 사용되고 있는데, 우수한 특성의 전해도금을 위해서는 step coverage가 우수한 Cu seed layer가 필수적이다. 현재까지 Cu seed layer를 형성하는 방법으로는 ionized physical vapor deposition(I-PVD)이 사용되고 있는데, 22 nm 이후의 소자에서는 step coverage의 한계로 인해 완벽한 Cu filling 어려울 것으로 예상된다. 본 연구에서는 step coverage가 매우 우수한 atomic layer deposition(ALD) 방법으로 Cu seed layer를 증착하고 그 특성을 기존의 PVD 박막과 비교하였다. Ketoiminate 계열의 +2가 Cu 전구체와 $H_2$를 이용하여 ALD Cu 박막을 증착하였는데 exposure, 기판의 온도를 변화시키면서 기판별로 ALD Cu의 최적공정조건을 도출하였다. ALD Cu seed와 PVD Cu seed 위에 약 $1{\mu}m$의 Cu 박막을 전해도금한 후 박막의 두께, 비저항, 미세구조와 함께 pattern filling 특성을 비교하였다.

• 멤브레인
• /
• 제21권3호
• /
• pp.263-269
• /
• 2011

침지식 막결합형 연속회분식 생물반응기에서 폐수의 도입단계가 제거효율과 여과성능에 미치는 영향을 조사하였다. 호기성 단계의 초기에 공급할 경우(Mode-1)와 무산소 단계의 초기에 공급할 경우(Mode-2)에 대하여 89일 동안 동시에 운전하였다. COD 제거효율과 여과성능은 2가지 운전방식 간에 큰 차이가 없었다. 그러나 영양염류(총질소와 총인)의 제거효율에 있어서 Mode-2가 Mode-1에 비해 보다 효과적이었다. Mode-2의 경우 COD, 총질소 및 총인의 제거율은 각각 99.1, 73.3 및 77.7%이었다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
• /
• 한국정밀공학회 2000년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.767-770
• /
• 2000

In order to reduce lean-time and cost, recently the technology of Rapid Prototyping and Manufacturing(PR/M) has been used widely. So various RP/M methods have been developed and these systems commercialized several years ago. The machining process is one of these methods. It also offers advantages such as precision and versatility. But there are some considerations during machining. The most important problem among them is the fixturing. So we have to overcome the limitation because the fixturing time is depend on the complexity of geometry to be machined. In this paper, we have developed the fixturing technique using filling process that can be widely useful for rapid products within a short time. So we have carried out some kinds of rapid products such as plastic knob and metal fan using our fixturing process. In fixturing step, the filling material might chosen a resin or a alloy according to wether the work material is plastic or metal respectively. Also we developed the set-up equipment attachable on the table of the milling machine that provided practicable quality during a series of machining operations, named by two step milling process.

• 대한기계학회논문집B
• /
• 제22권1호
• /
• pp.104-112
• /
• 1998

The mold filling process has been a central issue in the development of numerical methods to solve the casting processes. A mold filling which is inherently transient free surface fluid flow, is important because the quality of casting highly depends on such phenomenon, Most of the existing numerical schemes to solve mold filling process have severe limitations in time step restrictions or Courant criteria since explicit time integration is used. Therefore, a large computation time is required to analyze casting processes. In this study, the well known SOLA-VOF method has been modified implicitly to simulate the mold filling process. Solutions to example filling problems show that the proposed method is more efficient in computation time than the original SOLA -VOF method.

• 대한금속재료학회지
• /
• 제50권2호
• /
• pp.152-158
• /
• 2012

The effect of current waveform on Cu filling into TSV (through-silicon via) and the bottom-up ratio of Cu were investigated for three dimensional (3D) Si chip stacking. The TSV was prepared on an Si wafer by DRIE (deep reactive ion etching); and its diameter and depth were 30 and $60{\mu}m$, respectively. $SiO_2$, Ti and Au layers were coated as functional layers on the via wall. The current waveform was varied like a pulse, PPR (periodic pulse reverse) and 3-step PPR. As experimental results, the bottom-up ratio by the pulsed current decreased with increasing current density, and showed a value of 0.38 on average. The bottom-up ratio by the PPR current showed a value of 1.4 at a current density of $-5.85mA/cm^2$, and a value of 0.91 on average. The bottom-up ratio by the 3-step PPR current increased from 1.73 to 5.88 with time. The Cu filling by the 3-step PPR demonstrated a typical bottom-up filling, and gave a sound filling in a short time.