Kim, H.H.;Park, C.H.;Cho, M.J.;Lim, K.J.;Shin, J.H.;Park, K.J.
한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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pp.398-401
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2001
Indium tin oxide films were deposited on unheated PET substrates by DC reactive magnetron sputtering of In-Sn (90-10 wt%) metallic alloy target. Electrical and optical properties of as-deposited films were systematically studied by control of the deposition parameters such as working pressure, DC power, and oxygen partial pressure. The figures of merit are important factors that summarize briefly the relationship between electrical and optical properties of transparent conducting films. The formulae of $T/R_{sh}$ and $T^{10}/R_{sh}$ are expressed as a function of transmittance and sheet resistance. The best values of those figures of merit were approximately 38.6 and $8.95({\times}10^{-3}\Omega^{-1})$ respectively.
Kim, H.H.;Park, C.H.;M.J. Cho;K.J. Lim;J.H. Shin;Park, K.J.
한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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pp.398-401
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2001
Indium tin oxide films were deposited on unheated PET substrates by DC reactive magnetron sputtering of In-Sn (90-10 wt%) metallic alloy target. Electrical and optical properties of as-deposited films were systematically studied by control of the deposition parameters such as working pressure, DC power, and oxygen partial pressure. The figures of merit are important factors that summarize briefly the relationship between electrical and optical properties of transparent conducting films. The formulae of T/R$\sub$sh/ and T$\^$10//R$\sub$sh/ are expressed as a function of transmittance and sheet resistance. The best values of those figures of merit were approximately 38.6 and 8.95 (x10$\^$-3/Ω$\^$-1/), respectively.
본 논문은 위성방송 수신용 소형 파라볼라 안테나의 높이를 보다 낮추기 위하여 반사면의 상하 부분을 부분적으로 절단하였을 때 나타나는 spill-over 의 증가로 인한 성능지수의 저하를 분석하였다. 또한 안테나를 고도각 0도부터 60도까지 트래킹하는 경우에 측엽과 후엽이 받는 대지면 열잡음의 증가로 인한 잡음온도의 영향을 고려하고, LNA 의 잡음지수로 인한 총 잡음온도의 증가 영향을 고려하여 성능지수 값을 시뮬레이션하여 그 결과를 분석하였다. 분석 결과, 원형 파라볼라의 반사면 상하부분을 35% 절단하였을 때, 잡음온도는 약 15K 정도 증가하였으며, G/T 비는 2.5dB 정도 저하하였다.
Transparent ZnO/Ti/ZnO (ZTZ) tri-layered films were prepared with radio frequency (RF) and direct current (DC) magnetron sputtering on the glass substrate. The thickness of the ZnO and Ti films was kept at 50 and 10 nm to consider the effect of the electron irradiation on the crystallization and optoelectrical properties of the films. From the XRD spectra, post-depostion electron irradiated films showed the characteristic peaks of ZnO(002) and Ti(200), respectively. the observed grain size of the ZnO(002) and Ti(200) enlarged up to 18.27 and 12.16 nm at an irradiation condition of 750 eV. In the figure of merit which means an optoelectrical performance of the films, as deposited films show a figure of merit of 2.0×10-5 𝛺-1, while the films electron irradiated at 750 eV show a higher figure of merit of 5.7×10-5 𝛺-1.
본 논문에서는 각각 독립적으로 설계된 태양동기궤도 위성에 위성군 개념을 적용하여 다중 위성의 효율적인 운영에 대한 방법론을 제시한다. 이를 위해 태양동기궤도 설계 관점을 단순히 지방시나 태양동기성을 유지하는 것에 국한하지 않고, 지상국과 영상목표물의 교신 및 관측시간등을 고려하여 위성운영의 효율성을 높이고자 한다. 위성의 효율적인 운영을 위해 위성과 단일 목표물을 고려한 새로운 운영요소(Operation Parameter)를 정의하고, 이를 이용하여 위성의 운영효율성을 판단할 수 있는 운영효율성 지표(Figure of Merit)를 정의한다. 상용 소프트웨어인 MATLAB과 STK의 연동을 통해 비선형 시뮬레이션 기반의 수치최적화 기법을 적용하여 사용자의 요구사항을 만족하는 임무궤도를 재설계함으로써 본 연구의 적용가능성을 확인하였다.
IGZO single layer and $IGZO/TiO_2$ bi-layered films were deposited on glass substrate at room temperature with radio frequency magnetron sputtering to investigate the effect of $TiO_2$ buffer layer on the electrical and optical properties of the films. For all deposition, the thickness of IGZO and $TiO_2$ Buffer layer was kept at 100 and 5 nm, respectively. In a comparison of figure of merit, IGZO films with a 5-nm-thick $TiO_2$ buffer layer show the higher figure of merit ($8.40{\times}10^{-5}{\Omega}^{-1}$) than that of the IGZO single layer films ($6.23{\times}10^{-5}{\Omega}^{-1}$) due to the enhanced optical transmittance and the decreased sheet resistance of the films. The observed results mean that a 5 nm thick $TiO_2$ buffer layer in the $IGZO/TiO_2$ films results in better electrical and optical performance than conventional IGZO single layer films.
Sharma, Ashutosh;Lee, Jun Hyeong;Kim, Kyung Heum;Jung, Jae Pil
마이크로전자및패키징학회지
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제24권1호
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pp.9-16
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2017
Thermoelectric power generation (TEG) technology with high figure of merit (ZT) has become the need of the modern world. TEG is a potent technology which can tackle most of the environmental issues such as global warming, change in climatic conditions over the globe, and for burning out of various resources of non-renewable energy like as petroleum deposits and gasolines. Although thermoelectric materials generally convert the heat energy from wastes to electricity according to the theories Seebeck and Peltier effects yet they have not been fully exploited to realize their potential. Researchers are focusing mainly on how to improve the current ZT value from 1 to 2 or even 3 by various approaches. However, a higher ZT value is found to be difficult due to complex thermoelectric properties of materials. Hence, there is a need for developing materials with high figure of merit. Recently, various nanotechnological approaches have been incorporated to improve the thermoelectric properties of materials. In this review paper, the authors have performed a thorough literature survey of various kinds of TEG technology.
Heat emission from the laser diode used in the optical disc drive and the defects from the increased temperature at the system have attracted attentions from the field of the information storage device. Thermoelectric refrigerator is one of the fine solutions to solve these thermal problems. The refrigeration performance of thermoelectric device is dependent on the thermoelectric material's figure-of-merit. Meanwhile, high electrical contact resistivity between metal electrode and p- and n-type thermoelectric materials in the device would lead increased total electrical resistance resulting in the degeneracy in performance. This paper represents the manufacturing process of the PbTe-based material which has one of the highest figure-of-merit at medium-high-temperature, ~ 600K to 900 K, and the nickel contact layer for reduced electrical contact resistance at once, and the results showing the decent contact structure and figure-of-merit even after the long-term operation environment.
방사선 중성자 선원의 에너지 스펙트럼을 측정하기 위하여 액체 섬광 검출기(NE213)와 펄스모형 분리장치를 감마선 선원과 중성자 선원을 이용하여 그 감응 특성을 분석하였다. Am-Be 선원을 이용하여 이 장치에 대한 "Figure of Merit"을 측정한 결과 1.13 이었다. 이 값은 단색 에너지 중성자 선원인 $^{12}C(d,\;n)^{13}N$에서의 1.3 과 상당히 유사한 값을 보여 준다. NE213-PSD 장치의 성능 시험을 위한 이 실험결과는 중성자-감마 혼합 방사선장에서 스펙트럼의 측정과 중성자 에너지 스펙트럼과 속밀도 측정표준을 확립하는 데 기술적으로 유용하게 쓰일 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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