The thermodynamic properties and phase diagram of the$ PbO-ZrO_2$ system have been critically assessed using the Thermo-Calc program. Excess Gibbs energies were expressed by Redlich-Kister polynomials for the solid phases, by the two-sublattice ionic liquid model for the liquid phase and by the compound energy model for the solid solution phase. All solid phases were treated as stoichimetric compounds.
$Pb(Fe_{0.5}Nb_{0.5}O_3(PFN)$ thin films were prepared by rf magnetron co-sputtering method on $SiO_2/Si$, ITO/glass, and $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrates and post-annealed at the $N_2$ atmosphere by RTA(rapid thermal annerling). The degree of crystallinity of PFN films was identified on various substrates. Electrical properties of PFN films was characterized for $Pt/PFN/Pt/Ti/SiO_2/Si$ structure. The composition of PFN films was estimated by EPMA (electron probe micro analysis). PFN films would be crystallized better to perovskite phase on ITO/glass substrate than $SiO_2/Si$ substrate. This may be induced by the deformation of Pb deficient pyrochlore phase due to Pb diffusion into $SiO_2/Si$ substrate. PFN films on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate. PFN films with 5-10% Pb excess were crystallized to perovskite phase from $500^{\circ}C$ temperature. In summary, we show that Pb composition and annealing temperature were critically influenced on crystallinity to perovskite phase. When PFN film with 17% Pb excess was annealed at $600^{\circ}C$ at the $N_2$ atmosphere for 300kV/cm and 88. Its remnant polarization coercive field $2.0 MC/cm^2$ and 144kV/cm, respectively.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.07a
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pp.39-42
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2000
The effect of excess Pb contents on the etching of PZT thin films and their electrical properties has been investigated. Ferroelectric PZT(53/47) thin films were prepared by the metal alkoxide-based Sol-Gel method, in which they were spin-coating on P7Ti/Si02/Si substrate using the PZT(53/47) stock solutions with various excess Pb contents. Etching of PZT film was performed using planar inductively coupled Ar/Cl$_2$/BCl$_3$ plasma. The etch rate of PZT film was 2450 $\AA$/min at Ar(20)/BCl$_3$(80) gas mixing ratio and substrate temperature of 8$0^{\circ}C$.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.11a
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pp.263-266
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2000
Effects of excess Pb(50 mole %) on the crystallization properties of amorphous PZT thin films on the glass substrates by post-annealing in oxygen ambient were investigated to lower the crystallization temperature of the PZT thin films with a single perovskite phase. The PZT thin films(350nm) were prepared on Pt/Ti/corning glass(1737) substrates. The PZT thin films and bottom electrode were deposited by RF magnetron sputtering. Crystallization properties of PZT thin films were strongly dependent on RTA(Rapid Thermal Annealing) temperature. We were able to obtain a perovskite structure of PZT at 600$^{\circ}C$ for 10min. After thermal treatments were done, electrical properties such as I-V, P-E, and fatigue were measured.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.14
no.5
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pp.370-375
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2001
PZT thin films (3500${\AA}$) ahve been prepared onto Pt/Ti/corning glass (1737) substrates with a RF magnetron sputtering system using Pb$\sub$1.50/(Zr$\sub$0.52/,Ti$\sub$0.48)O$_3$ ceramic target. We used two-step annealing techniques, PZT thin films were grown at a 300$^{\circ}C$ substrate temperature and then subjected to an RTA treatment. In case of 500$^{\circ}C$ RTA temperature show pyrochlore phase. The formation of Perovskite phase started above 600$^{\circ}C$ and PZT thin films generated (101) preferred orientation. As the RTA time and temperature increased, crystallization of PZT films were enhanced. The PZT capacitors fabricated at 650$^{\circ}C$ for 10 minutes RTA treatment showed remanent polarization 30 ${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$, saturation polarization 42${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$, coercive field 110kV/cm, leakage current density 2.83x10$\^$-7/A/$\textrm{cm}^2$, remanent polarization were decreased by 30% after 10$\^$9/ cycles.
$Pb_{1+x}$($Fe_{0.5}$$Nb_{0.5}$)$O_3$ films have been synthesized on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates using rfmagnetron sputtering Concentration of Fe and Nb in the deposited films was adjusted to near stoichiometry through the control of target composition, Films deposited with adjusted to near stoichiometry showed better electrical properties such as dielectic and leakage characteristics. Crystallinity and dielectric constant increased with increasing excess PbO upto 9 mol% This study also showed that dielectric constant and leakage current characteristics improved by optimum content of $O_2$ flow during deposition.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.11a
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pp.219-220
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2006
In this study, m order to develop multilayer ceramics vibrator for ultrasonic nozzle, PMN-PNN-PZT ceramics were fabricated using $Li_2CO_3-Na_2CO_3$ as sintering aids and their piezoelectric and dielectric characteristics were investigated according to the aomunt of PbO. With increasing PbO contents. secondary phases were increased and phase structure were changed from tetragonal structure to rhombohedral structure and also electromechanical coupling factor were linearly decreased. At the composition ceramics with the sintering temperature of $870^{\circ}C$ and 1 mol% excess PbO, density, electromechanical coupling factor, dielectric constant, piezoelectric d constant and mechanical quality factor showed the optimum value of $7.879g/cm^2$, 0.55, 1149, 328pC/N, 1224, respectively for multilayer ceramics vibrator application for ultrasonic nozzle.
95Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-5PbTiO3 (hereinafter designated as 95PMN-5PT) system was prepared by the columbite-precursor method with 2 mol% excess PbO to compensate the PbO loss during thermal process. The amount of CuO was 1~10 mol%, and the effects of CuO addition on the dielectric properties of this system have been investigated. From the microstructures, XRD analysis and dielectric measurements, the solubility limit of CuO in 95PMN-5PT was found to be around 3 mol%. Lattice parameter and Curie temperature were found to be decreased as the amount of CuO increased up to the solubility limit. This result confirmed that the Cu2+-ions substituted the Pb2+-ions. It was revealed that the addition of CuO on 95PMN-5PT promoted the sinterability and properties. The room temperature dielectric constant, the loss factor and the specific resistivity of the specimens processed with optimum conditions were 23000, 1%, and 8$\times$1011Ω.cm, respectively.
The investigation of the utilization of enriched 208Pb as a coolant to enhance the performance of a long-life fast reactor with a Modified CANDLE (Constant Axial shape of Neutron flux, nuclide densities, and power shape During Life of Energy production) burnup scheme has performed. The analyzes were performed on a reactor with thermal power of 800 MegaWatt Thermal (MWTh) with a refueling process every 15 years. Uranium Nitride (enriched 15N), 208Pb, and High-Cr martensitic steel HT-9 were employed as fuel, coolant, and cladding materials, respectively. One of the Pb-nat isotopes, 208Pb, has the smallest neutron capture cross-section (0.23 mb) among other liquid metal coolants. Furthermore, the neutron-producing cross-section (n, 2n) of 208Pb is larger than sodium (Na). On the other hand, the inelastic scattering energy threshold of 208Pb is the highest among Na, natPb, and Bi. The small inelastic scattering cross-section of 208Pb can harden the neutron energy spectrum. Therefore, 208Pb is a better neutron multiplier than any other liquid metal coolant. The excess neutrons cause more production than consumption of 239Pu. Hence, it can reduce the initial fuel loading of the reactor. The selective photoreaction process was developing to obtain enriched 208Pb. The neutronic was calculated using SRAC and JENDL 4.0 as a nuclear data library. We obtained that the modified CANDLE reactor with enriched 208Pb as coolant and reflector has the highest k-eff among all reactors. Meanwhile, the natPb cooled reactor has the lowest k-eff. Thus, the utilization of the enriched 208Pb as the coolant can reduce reactor initial fuel loading. Moreover, the enriched 208Pb-cooled reactor has the smallest power peaking factor among all reactors. Therefore, the enriched 208Pb can enhance the performance of a long-life Modified CANDLE fast reactor.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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