• 제목/요약/키워드: etching solution.

검색결과 531건 처리시간 0.022초

미세 유동채널의 전기화학적 가공 파라미터 최적화를 위한 어닐링 시뮬레이션에 근거한 인공 뉴럴 네트워크에 관한 연구 (Research on ANN based on Simulated Annealing in Parameter Optimization of Micro-scaled Flow Channels Electrochemical Machining)

  • 민병원
    • 사물인터넷융복합논문지
    • /
    • 제9권3호
    • /
    • pp.93-98
    • /
    • 2023
  • 논문에서는 어닐링 시뮬레이션에 근거한 인공 뉴럴 네트워크를 구축한다. 미세 유동채널의 전기화학적 가공 파라미터와 채널 형태 간의 매핑은 샘플의 학습에 의하여 이루어진다. 스텐리스강 표면에 대한 미세 유동채널의 전기화학적 가공의 깊이와 넓이가 예측되고, 형성된 네트워크 모델을 입증하기 위한 NaNO3 해 내부의 펄스 전원공급기와 함께 유동채널의 실험이 진행된다. 결과적으로, "4-7-2" 구조를 갖는 인공 뉴럴 네트워크에 의한 어닐링 시뮬레이션으로 예측된 채널의 깊이와 넓이는 실험값에 매우 근접한다. 그 오차는 5.3% 미만이다. 예측된 데이터와 실험 데이터는 전기화학적 가공 과정에서의 에칭 규격이 전압 및 전류의 밀도와 매우 밀접한 관계가 있음을 보여준다. 전압이 5V보다 작을 때에는 채널 내에 "작은 섬"이 형성된다; 반면에 전압이 40V보다 클 때에는 채널의 측면 에칭이 비교적 크고 채널 사이의 "댐"은 사라지게 된다. 전압이 25V일 때 채널의 가공 형태는 최적이 된다.

글리콜 용매 기반 저온 치환 은도금법으로 형성시킨 동박막 상 극박 두께 Ag 도금층 (Fabrication of a Ultrathin Ag Film on a Thin Cu Film by Low-Temperature Immersion Plating in an Grycol-Based Solution)

  • 김지환;조영학;이종현
    • 마이크로전자및패키징학회지
    • /
    • 제21권2호
    • /
    • pp.79-84
    • /
    • 2014
  • Citric acid 함유 diethylene glycol 용매 기반 용액의 치환 은도금 특성을 분석하기 위하여 Cu 박막 시편을 사용한 상온~$50^{\circ}C$ 온도 범위에서의 도금을 실시하였다. 사용된 Cu 박막 시편은 스퍼터링된 Cu를 과에칭하여 다수의 핀홀이 형성된 상태로 사용하였다. 도금을 $40^{\circ}C$에서 실시한 경우 갈바닉 치환 반응이 주로 발휘되면서 5분간의 도금 후에는 Cu 표면의 핀홀들이 완전히 Ag로 채워지고 Cu 표면도 전면적으로 Ag로 도금된 결과를 관찰할 수 있어 가장 우수한 Ag도금 특성을 얻을 수 있었다. 이후 도금 시간을 30분까지 증가시키게 되면 용액 내 환원 반응을 통한 입자들의 증착이 진행되면서 Ag 도금부의 요철이 점차 심해지는 현상이 관찰되었다. 전면적이 Ag로 도금된 Cu 시편의 대기 중 고온 내산화성을 평가한 결과 Ag가 도금되지 않은 Cu 시편에 비해 약 $50^{\circ}C$ 정도가 높은 온도에서 산화 거동이 관찰되어 향상된 내산화 특성을 확인할 수 있었다.

표면처리 시간에 따른 임플란트 미세구조의 변화;SLA와 TB 표면 임플란트 (Microstructural Change of Implant Surface conditioned with Tetracycline-HCI;SLA and TB surface implant)

  • 우정아;허익;권영혁;박준봉;정종혁
    • Journal of Periodontal and Implant Science
    • /
    • 제35권4호
    • /
    • pp.921-937
    • /
    • 2005
  • Mechanical and chemical methods are the two ways to treat the implant surfaces. By using mechanical method, it is difficult to eliminate bacteria and by-products from the rough implant surface and it can also cause the structural change to the implant surface. Therefore, chemical method is widely used in order to preserve and detoxicate the implant surface more effectively. The purpose of this study is to evaluate the effect of tetracylcline- HCl on the change of implant surface microstructure according to application time. Implants with pure titanium machined surface, SLA surface and $TiO_2blasted$ surface were used in this study. Implant surface was rubbed with sponge soaked in 50mg/ml tetracycline - HCl solution for $\frac{1}{2}$ min., 1min., $1\frac{1}{2}$ min., 2 min., and $2\frac{1}{2}min.$ respectively in the test group and with no treatment in the control group. The sponge was soaked in every 30 seconds. Then, the specimens were processed for scanning electron microscopic observation. Based upon the analysis of photographs by three dentists who are not related with this study, the results were obtained as follows; 1. In the pure titanium machined surfaces, the control specimen showed a more or less rough machined surface composed of alternating positive and negative lines corresponding to grooves and ridges. After treatment, machining line was more pronounced for the control specimens. but in general, test specimens were similar to control. 2. In the SLA surfaces, the control specimen showed that the macro roughness was achieved by large-grit sandblasting. Subsequently, the acid-etching process created the micro roughness, which thus was superimposed on the macro roughness. Irrespective of the application time of 50mg/ml tetracycline - HCl solution, in general, test specimens were similar to control. 3. In the $TiO_2blasted$ surfaces, the control specimen showed the rough surface With small pits. The irregularity of the $TiO_2blasted$ surfaces with 50mg/ml tetracycline - HCl solution was lessened and the flattened areas got wider after 1 minute.

Effects of DC Biases and Post-CMP Cleaning Solution Concentrations on the Cu Film Corrosion

  • Lee, Yong-K.;Lee, Kang-Soo
    • Corrosion Science and Technology
    • /
    • 제9권6호
    • /
    • pp.276-280
    • /
    • 2010
  • Copper(Cu) as an interconnecting metal layer can replace aluminum (Al) in IC fabrication since Cu has low electrical resistivity, showing high immunity to electromigration compared to Al. However, it is very difficult for copper to be patterned by the dry etching processes. The chemical mechanical polishing (CMP) process has been introduced and widely used as the mainstream patterning technique for Cu in the fabrication of deep submicron integrated circuits in light of its capability to reduce surface roughness. But this process leaves a large amount of residues on the wafer surface, which must be removed by the post-CMP cleaning processes. Copper corrosion is one of the critical issues for the copper metallization process. Thus, in order to understand the copper corrosion problems in post-CMP cleaning solutions and study the effects of DC biases and post-CMP cleaning solution concentrations on the Cu film, a constant voltage was supplied at various concentrations, and then the output currents were measured and recorded with time. Most of the cases, the current was steadily decreased (i.e. resistance was increased by the oxidation). In the lowest concentration case only, the current was steadily increased with the scarce fluctuations. The higher the constant supplied DC voltage values, the higher the initial output current and the saturated current values. However the time to be taken for it to be saturated was almost the same for all the DC supplied voltage values. It was indicated that the oxide formation was not dependent on the supplied voltage values and 1 V was more than enough to form the oxide. With applied voltages lower than 3 V combined with any concentration, the perforation through the oxide film rarely took place due to the insufficient driving force (voltage) and the copper oxidation ceased. However, with the voltage higher than 3 V, the copper ions were started to diffuse out through the oxide film and thus made pores to be formed on the oxide surface, causing the current to increase and a part of the exposed copper film inside the pores gets back to be oxidized and the rest of it was remained without any further oxidation, causing the current back to decrease a little bit. With increasing the applied DC bias value, the shorter time to be taken for copper ions to be diffused out through the copper oxide film. From the discussions above, it could be concluded that the oxide film was formed and grown by the copper ion diffusion first and then the reaction with any oxidant in the post-CMP cleaning solution.

Ethanol Wet Bonding에서 NaOCl과 EDTA가 결합강도에 미치는 영향 (Influence of Sodium Hypochorite & EDTA on the Microtensile Bond Strength of Ethanol Wet Bonding)

  • 김덕중;송용범;박상희;김형선;이혜윤;유미경;이광원
    • 구강회복응용과학지
    • /
    • 제29권1호
    • /
    • pp.37-44
    • /
    • 2013
  • 근관치료 후 적절한 치관부 밀폐를 위해 레진을 이용한 코어수복방법이 현재 많이 사용되고 있다. 하지만, 근관치료 과정에서 사용되는 NaOCl이나 EDTA같은 근관세척제는 레진 접착에 영향을 주는 것으로 알려져 있으며, 이에 관한 많은 연구들이 이루어져 왔다. 본 연구에서는 ethanol wet bonding을 치수강 상아질에 적용 시에 NaOCl과 EDTA가 결합강도에 미치는 영향에 대해 조사하였다. 30개의 인간 대구치로부터 총 60개의 시편을 얻었고, 이를 무작위로 4개의 군으로 분류했다. G1: 증류수로 세척후 증류수로 마무리 세척, G2: NaOCl로 세척 후 NaOCl로 마무리세척, G3: NaOCl로 세척 후 EDTA로 마무리세척, G4: NaOCl로 세척 후 EDTA로 마무리세척하고 접착과정에서 산부식과정 생략. 접착과정은 인산부식 후 에탄올의 농도를 50%, 70%, 80%, 95% 그리고 100%로 순차적으로 증가시켜가면서 상아질을 탈수시키고 에탄올에 적셔지도록 하였다. 프라이머는 HEMA가 포함되지 않은 상용화된 접착제인 ALL-BOND 3 RESIN과 에탄올을 반반씩 섞어 만들었다. 프라이머 적용 후 ALL-BOND 3 RESIN을 접착제로 사용하였다. 저점도 복합레진을 이용하여 6mm 두께로 적층충전한 후 빔 형태로 잘라 미세인장결합강도 실험을 하였다. NaOCl 처리한 그룹은 미세인장결합강도에 통계적으로 유의한 차이를 보여주지는 않았지만 낮은 평균값을 보여주었다(p=0.052). NaOCl 처리 후 1분간 EDTA로 처리한 그룹은 다른 그룹보다 유의하게 높은 결합강도를 보여주었다(p<0.05). EDTA 처리가 결합강도를 향상 시켰지만, 산부식 과정을 생략할 경우 유의하게 낮은 결합 강도를 보여주었으며, 이는 EDTA처리가 산부식 과정을 대신할 수는 없다는 것을 보여준다.

불소가 산부식된 법랑질의 재석회화에 미치는 영향에 관한 연구 (IN VITRO STUDY ON THE EFFECTS OF THE FLOURIDE ON THE REMINERALIZATION OF ACID ETCHED ENAMEL)

  • 김진한;이기수
    • 대한치과교정학회지
    • /
    • 제26권4호
    • /
    • pp.389-399
    • /
    • 1996
  • 치과교정장치의 장착을 위하여 치아법랑질표면을 산부식하는 것은 일반화된 술식이며, 산부식된 법랑질표면은 재석회화되어 자연적으로 정상상태를 회복하는 연구보고되어 왔다. 이 연구의 목적은 산부식된 법랑질표면의 재석회화에 불소가 미치는 영향을 실험적으로 관찰하여 재석희화의 일면을 구명하는데 있다. 교정치료목적으로 발거한 사람 제1소구치 치관을, 불소함유 석회화용액과 불소무함유 석회화용액에 12시간, 1일, 3일, 7일, 14일, 28일, 42일간 담구어 보관한후, 법랑질표면의 미세경도측정과 주사전자현미경관찰을 통하여 법랑질 표면의 변화들을 경시적으로 관찰하여 다음의 결과를 얻었다. 1) 표면미세경도는 불소함유 여부에 관계없이 시간경과에 따라 증가하였으며, 불소함유군 은 12시간부터, 불소무 함유군은 3일경과후부터 현저히 증가하였으나, 시간경과에 따라 그 차이는 감소하였다. 2) 주사전자현미경 관찰에서 불소함유용군은 12시간후부터 법랑질표면에 침상물질이 침착되기 시작하여 42일 후에는 편평한 표면으로 되었으나, 불소무함유용군은 전실험기간동안 산부식직후보다 약간 더 거칠어졌으나, 산부식 된 법랑질표면이 그대로 관찰되었다. 이상의 결과로부처 불소는 산부식된 법랑질표면의 재석회화 시기를 앞당기는 효과가 있으며, 재석회화의 소요시간도 단축하는 효과가 있음이 확인하였다.

  • PDF

다층구조를 갖는 다공질규소층의 제작과 이의 물성 (The study of the fabrication and physical properties of porous silicon multilayers)

  • 김영유;전종현;류성주;이영섭;이기원;최봉수
    • 한국결정성장학회지
    • /
    • 제9권6호
    • /
    • pp.597-600
    • /
    • 1999
  • 단결정규소 웨이퍼를 15% HF-에탄올 용액에서 양극 산화시켜 다공질규소를 얻는 과정에서 전류밀도와 에칭시간에 따라 굴절률이 주기적으로 변하는 다층의 다공질규소층(porous silicon multilayers)을 구현하였다. 그리고 다층의 다공질규소층(I), 다공질규소 발광층, 또 다른 다층의 다공질규소층(II)의 순으로 구성된 porous silicon microcavity(PSM)를 제작하고 그 물성을 조사하였다. PSM 상하에 위치한 다층의 다공질규소층의 단면을 AFM(Atomic Force Microscope)으로 조사한 결과 고굴 절률과 저굴절률이 주기적으로 교차하는 층이 균일하게 형성되었으며, 중앙의 다공질규소 발광층도 균일하게 나타났다. 다층의 다공질규소층 및 다공질규소 발광층의 두께를 각각 실효파장의 1/4배 및 2배가 되도록 하였을 때 특정파장의 필터로 쓰일 수 있는 브래그 반사경(Bragg reflector)의 특성이 나타났다. 또한 PSM의 발광 스펙트럼은 그 반치폭이 현저히 감소하고 발광의 세기가 크게 증가되는 경향을 보였다.

  • PDF

녹색 광 발진을 위한 주기적 분극 반전된 MgO : $LiNbO_3$ ridge waveguide 제작 (Fabrication of a periodically poled MgO : $LiNbO_3$ ridge waveguide for a green laser generation)

  • 양우석;권순우;송명근;이형만;김우경;구경환;윤대호;이한영
    • 한국결정성장학회지
    • /
    • 제17권4호
    • /
    • pp.151-155
    • /
    • 2007
  • 녹색 광 발진을 위해 조화용융조성의 MgO가 첨가된 $LiNbO_3$ 결정을 이용하여 준위상정합 2차 조화파 도파로 소자를 제작하였다. 도메인 반전을 위해 +Z면에 주기적인 전극 패턴을 형성하였으며, 외부전계의 균일한 인가를 위해 LiCl 전해 용액을 사용하여 도메인을 반전 시켰다. 선택적 화학식각을 통해, 약 $6.8{\mu}m$의 분극 반전 주기를 확인 할 수 있었으며, $7{\mu}m$ ridge 높이와 $3{\mu}m$의 slap높이를 갖는 폭 $5{\mu}m$의 PPMgLN ridge-type 도파로 소자의 비선형 특성을 측정하였다.

PdOx가 도핑된 나노 기공구조 SiO2/Si 기반의 수소 게터 제작 및 특성평가 (Fabrication and Characterization of Hydrogen Getter Based on Palladium Oxide Doped Nanoporous SiO2/Si Substrate)

  • 엄누시아;임효령;최요민;정영훈;조정호;좌용호
    • 한국재료학회지
    • /
    • 제24권11호
    • /
    • pp.573-577
    • /
    • 2014
  • The existing metal getters are invariably covered with thin oxide layers in air and the native oxide layer must be dissolved into the getter materials for activation. However, high temperature is needed for the activation, which leads to unavoidable deleterious effects on the devices. Therefore, to improve the device efficiency and gas-adsorption properties of the device, it is essential to synthesize the getter with a method that does not require a thermal activation temperature. In this study, getter material was synthesized using palladium oxide (PdOx) which can adsorb $H_2$ gas. To enhance the efficiency of the hydrogen and moisture absorption, a porous layer with a large specific area was fabricated by an etching process and used as supporting substrates. It was confirmed that the moisture-absorption performance of the $SiO_2/Si$ was characterized by water vapor volume with relative humidity. The gas-adsorption properties occurred in the absence of the activation process.

전해액의 Fe 농도에 의한 크롬도금 탈락 연구 (Study On Effect of Fe Density on Electrolyte Exfoliation of Chromium Plating Layer)

  • 박진생
    • 대한기계학회논문집A
    • /
    • 제39권12호
    • /
    • pp.1297-1303
    • /
    • 2015
  • 장축의 내부 크롬도금은 크롬산 용액에 황산을 촉매로 경질의 후막 도금층을 형성시키는 기술로서 산업뿐만 아니라 군사적 목적으로도 널리 사용되고 있다. 대구경의 포신내부에 경질크롬도금을 처리하면 강성과 내마성을 증대시켜 고압의 폭발력에 견딜 수 있다. 탄자의 높은 운동에너지와 탄 폭발로 생긴 고압력에 의해 포신 내부의 크롬도금층이 탈락되는 문제가 있어 도금 공정 전반에 걸친 검토가 이루어졌다. 크롬도금은 탈지, 수세, 전해연마, 에칭, 도금, 수세 및 수소취성제거 등 여러 공정으로 이루어진다. 크롬도금 탈락은 도금의 밀착성과 연관이 있으며, 그 중에 전해연마액의 Fe 농도가 도금 밀착성에 영향을 미치는 것으로 나타났다. 도금부위의 요철상태를 SEM으로 조사하여 도금탈락을 방지할 수 있는 최적의 Fe 농도를 설정하고, 밀착성 시험 등으로 그 효과를 입증하였다.