• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.688-691
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• 1999

Light was of electric lamp was reflected by bulb reflector. In order to improve the efficiency of the electric lamp. it is inevitable that lamp, it is inevitable that improve the reflectance of bulb reflector. Important factors that affect the reflectance of bulb reflector is working pressure, distance between evaporation source to substrate, the situation of surface of glass. etch rate of glass, etc. In this paper. confirmed the effect of etching, working pressure etc. , and its effect for the reflectance of bulb reflector. Especially, concentration of HF in the etching solution and etching time is to be importnace for characteristic of bulb reflector.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.824-827
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• 2000

Fabrication of InP-based photonic devices by dry etch Process is important for clear formation of waveguide mesa structure. We have developed more efficient etch process of the inductively coupled plasma (ICP) with low damages and less polymeric deposits for the InP-based photonic devices than the reactive ion etching (RIE) technique. We report the tendency of etch rate variation by the process parameters of the RF power, pressure, gas flow rate, and the gas mixing ratio. The surface roughness of InP-based waveguide structure was more improved by the light wet etching in the mixed solution of H$_2$SO$_4$:H$_2$O (1:1)

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.561-564
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• 2000

Silicon capacitive pressure sensor has been fabricated by using electrochemical etching stop and silicon-to-glass electrostatic bonding technique. A diaphragm structure is designed to compensate the nonlinear response. A cavity is etched into the silicon to the depth of 2$\mu\textrm{m}$ by anisotropic etching in 20wt.% TMAH solution at 80$^{\circ}C$. A fabricated sensor showed 3.3 pF zero-pressure capacitance, 297 pp.m/mmHg sensitivity, and a 7.4 7%F.S. nonlinear response in a 0-1 kgf/cm$^2$pressure range.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.270-270
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• 2010

결정질 실리콘 태양전지는 표면반사에 의한 광 에너지 손실을 최소화 시키고자 식각을 통한 표면 조직화(texturing)가 이루어진다. 단결정 실리콘 웨이퍼의 경우 알칼리 용액(alkali solution)을 사용하여 이방성 식각(anisotropic etching)을 함으로써 표면에 피라미드를 형성하고 광 포획(light trapping) 효과에 의해 반사율을 줄이게 된다. 그러나 피라미드 형성을 통한 반사율 감소에는 한계를 가지고 있다. Metal assisted etching을 기반으로 한 새로운 형태의 텍스쳐링인 nano texturing은 피라미드가 이루어진 표면에 수많은 nm사이즈의 구조를 형성시킴으로써 표면에서의 반사율을 현저히 감소시킨다. 먼저 $AgNO_3$용액으로 웨이퍼 표면에 Ag입자를 코팅한 후, 그 웨이퍼를 다시 $HF/H_2O_2$ 용액으로 일정시간 동안 식각을 거치게 된다. 그로 인해 표면에는 수 nm 사이즈의 구조물들이 피라미드 위에 생성되고, $AgNO_3$의 농도 및 식각 시간에 따라 그 구조물의 크기 및 굵기가 달라진다. 결과적으로 평균 10%이상의 반사율을 보이던 기존 텍스쳐링 웨이퍼에서 3%이하의 낮은 반사율을 얻을 수 있었다. 또한 이런 nano texturing을 n-emitter 형성 공정 등에 따른 영향과 carrer lifetime에 대하여 연구하였다.

• 한국정밀공학회지
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• 제21권6호
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• pp.167-171
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• 2004

In this paper, we proposed a new method to control the length of carbon nanotube using electrochemical etching. We made a nano probe that was composed of the tungsten tip and multi-wall carbon nanotube. The nano probe was placed on the nano stage and the carbon nanotube on the nano probe was etched in the electrolyte solution with the applied voltage. The overall procedures were done under optical microscope and can be monitored. We can obtain a nano probe with proper length through this procedure.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제18권3호
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• pp.283-287
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• 2014

Square lattice nano-hole arrays with diameters and periodicities of 200 and 500 nm, respectively, are fabricated on InGaN/GaN blue light emitting diodes (LEDs) using electron-beam lithography and inductively coupled plasma reactive ion etching processes. Cathodoluminescence (CL) investigations show that light emission intensity from the LEDs with the nano-hole arrays is enhanced compared to that from the planar sample. The CL intensity enhancement factor decreases when the nano-holes penetrate into the multiple quantum wells (MQWs) due to the plasma-induced damage and the residues. Wet chemical treatment using KOH solution is found to be an effective method for light extraction from the nano-patterned LEDs, especially, when the nano-holes penetrate into the MQWs. About 4-fold CL intensity enhancement factor is achieved by the KOH treatments after the dry etching for the sample with a 250-nm deep nano-hole array.

• 한국인쇄학회지
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• 제25권1호
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• pp.43-52
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• 2007

Offset printing is one of the well known printing technique of lithographic process and consists of image area and 'non-image area on a flat image carrier. The surface tension of dampening water can be controlled by adding IPA after mixing of raw water and etching solution. The etching solution contains a surfactant for reducing surface energy, a clean agent for non-imaging area, wetting agent for protecting non-imaging area from oil components like ink and also an emulsifying agent for controlling emulsification. In this study, the present situation of dampening water maintenance has examined by collecting dampening water using at domestic companies. The pH related to dampening water, conductivity, contact angle, emulsification curve are measured to define the current situation of dampening water control of each companies and to analyze the relationship among measured properties. In the study most of companies among 16 printing companies tested controlling dampening water through pH value. However, the quality of printing has varied depending upon conductivity, contact angle, IPA content, and emulsification value. The control of dampening water should be carry at the state of the standard when adding proper ratio of etching solution. It would be more effective when pH or conductivity control carries out in parallel with controlling dampening water. Therefore the concept that pH5.5 is correct is based concept. Based on these initial tests it is defined that the standardization of dampening water control is required.

• 한국표면공학회지
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• 제53권5호
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• pp.241-248
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• 2020

The change of the deposition behavior of diamond through a pretreatment process of the base metal prior to diamond deposition using HFCVD was investigated. To improve the specific surface area of the base material, sanding was performed using sandblasting first, and chemical etching treatment was performed to further improve the uniform specific surface area. Chemical etching was performed by immersing the base material in HCl solutions with various etching time. Thereafter, seeding was performed by immersing the sanded and etched base material in a diamond seeding solution. Diamond deposition according to all pretreatment conditions was performed under the same conditions. Methane was used as the carbon source and hydrogen was used as the reaction gas. The most optimal conditions were found by analyzing the improvement of the specific surface area and uniformity, and the optimal diamond seeding solution concentration and immersion time were also obtained for the diamond particle seeding method. As a result, the sandblasted base material was immersed in 20% HCl for 60 minutes at 100 ℃ and chemically etched, and then immersed in a diamond seeding solution of 5 g/L and seeded using ultrasonic waves for 30 minutes. It was possible to obtain optimized economical diamond film growth rates.

• 청정기술
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• 제23권4호
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• pp.393-400
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• 2017

본 연구에서는 염화제이철의 재생공정으로 기존 용매추출법에서 사용하고 있는 용매인 TBP 및 Alamine336 대신에 새로운 용매를 통해 용액 내에 존재하는 Ni과 Fe를 분리 및 회수하는 공정을 개발하였다. Lab 실험을 통하여 실험조건을 최적화하였으며, 이를 바탕으로 상업화를 위한 $10L\;h^{-1}$급 파일럿 설비를 구축하였다. 또한 파일럿 실험을 통하여 양산을 위한 공정 데이터를 확보하였으며, 제조된 염화제이철의 부식실험을 통하여 사용할 수 있는 제품 품질에 문제없음을 확인하였다.

• 대한치과교정학회지
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• 제26권5호
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• pp.497-507
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• 1996

산부식된 법랑질표면의 오염은 브라켓의 레진 접착력에 영향을 미친다고 보고되어 왔다. 이 연구의 목적은 인산액이 법랑질과 반응하여 수용성염 및 불수용성염을 형성하는 경우와 부식표면이 타액오염된 경우에, 이의 수세시간이 브라켓의 레진접착 전단결합강도에 미치는 영향을 관찰하기 위하여 시행되었다. 치과 교정치료를 목적으로 발거된 총 234개의 상하악 소구치를 대상으로 $37\%$ 인산액으로 60초간 부식한 군, $20\%$ 인산액으로 50초간 부식 한 군, $37\%$ 인산액으로 60초간 부식 하고 타액오염시킨 군으로 나누고, 인산부식군은 각각 0초, 5초, 10초, 20초간 수세하고, 타액오염 군은 0초, 20초,30초 수세하거나, 재부식후 5초, 10초, 20초간 수세한후 레진접착제로 브라켓을 접착하였다. 5각군의 법랑질표면을 주사전자현미경과으로 검경하고, 전단결합강도를 측정하여 비교검토한 결과 다음의 결과를 얻었다. 1) 산부식후 수세를 하지않으면 레진접착제의 전단결합강도가 현저히 감소 하였다. 2) $37\%$ 인산부식액으로 부식시키고 5초, 10초, 및 20초간 수세한후의 접착레진 전단결합강도 사이에는 차이가 없었다. 3) $20\%$ 인산액으로 부식시키고 5초, 10초, 및 20초간 수세한 후의 전단결합강도사이에는 차이가 없었으나, 5초간 수세후의 전단결합강도는 측정치의 변이가 매우컸다. 4) 부식후 타액으로 오염된 법랑질 표면은 5초, 20초간 및 30초간 수세후 및 재부식 한 후의 브라켓접착레진의 전단결합강도사이에 차이가 없었으나, 5초간 수세만한 군의 전단결합강도는 변이가 매우컸다. 이상의 결과에 의하면 수용성 염이 생성되는 농도의 인산액으로 부식하고 5초간 수세후 불수용성 염이 생성되는 농도의 인산액으로 10초간 수세후에, 그리고 타액오염된 부식표면을 재부식없이 20초간 수세후에 브라켓을 접착하면 임상적으로 유용한 부라켓 접착레진의 전단 결합강도를 얻을수 있을 것으로 추정된다.