Parthenocissus tricuspidata is an epiphyte that lacks a main axial stem, but develops adhesive disks along the stem for climbing support. In this study, scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS) were utilized to examine the brick wall surface and the adhesive disks of P. tricuspidata that attached to the surface successfully. The study was mainly focused the outermost layers of both structures before and after adhesion to find out whether there has been some structural and/or physical interactions between the two. The adhesive disks adhered firmly to the brick wall by secreting adhesive materials that help them for a tight attachment to the surface. The rough wall surface appeared facilitating better attachment of the adhesive disks by infiltrating the materials into those spaces leading to some degree of interactions at the interface. EDS analysis on the outermost layers of the adhesive disks that were separated from the substrates was also consistent with the SEM data on the interaction between the adhesive disks and the substrate surface. EDS analysis of the brick wall surface and the adhesive disks demonstrated similar elements of O, Si, Fe, Al, K, Mg, and Na in their components.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.26
no.1
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pp.101-112
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2015
II~VI compound semiconductors, $Zn_xCd_{1-x}S$ thin films have been synthesized onto indium-tin-oxide(ITO) coated glass substrates using thermal evaporation technique. The composition ratio x($0{\leq}x{\leq}1$) was varied to fabricate different kinds of $Zn_xCd_{1-x}S$ thin films including CdS(x=0) and ZnS(x=1) thin films. Then, the deposited thin films were thermally annealed at $400^{\circ}C$ to enhance their crystallinity. The chemical composition and electronic structure of films were investigated by using X-ray photoelectron spectroscopy(XPS). The optical energy gaps of the samples were determined by ultra violet-visible-near infrared(UV-Vis-NIR) spectroscopy and were found to vary in the range of 2.44 to 3.98 eV when x changes from 0 to 1. Finally, we measured the THz characteristics of the $Zn_xCd_{1-x}S$ thin films using THz-TDS(time domain spectroscopy) system to identify the capability for electronic and optical devices in THz region.
Journal of the Korea Organic Resources Recycling Association
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v.16
no.4
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pp.43-49
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2008
Objective of this study was to monitor the hydrogen sulfide production rate and concentration in anaerobic co-digestion of swine manure and food waste for biogas production in order to alternate the petroleum based energy. Anaerobic co-digestion for biogas production was performed in serum bottles at 2% volatile solids (VS) concentration and various mixing ratios of two substrates(swine manure: food waste = 100:0 ~ 0:100). Although hydrogen sulfide production rates were varied with digestion periods at different treatments, it was observed that hydrogen sulfide produced in the swine manure alone was lower at 2.4 fold than that of food waste. For effects of hydrogen sulfide concentration in the different mixing ratios of swine manure to food waste, the higher food waste ratio the higher hydrogen sulfide concentration. Also its average concentrations were varied from 0.1452% in the swine waste only to 0.3420% in the food waste alone. For the composition ratio of bio-gas in their anaerobic co-digestion, it appeared that there was 53.2% of $CH_4$, 23.9% of $CO_2$, 0.3% of $H_2S$ and 22.7% of miscellaneous gases including moisture.
The role of amino acids in culture media for IVF-ET was examined in a total of 76 cycles. Patients received clomiphene citrate (CC) followed by hMG or GnRH-a combined with gonadotropins (FSH/hMG) for controlled ovarian hyperstimulation. Severe male (<$4{\times}10^6$ motile sperm) or age factor (>39 y) patients were excluded in this study. Pregnancy was classified as clinical if a gestational sac or fetal cardiac activity was seen on ultrasound. No significant differences were found in age, duration of infertility, follicle size, the level of $E_2$ on the day of hCG injection, the mean number of oocytes retrieved, total motile sperm count, fertilization rate and the mean number of embryos transferred between bHTF (without amino acids) and mHTF (with amino acids) groups. However, total ampules of gonadotropins were higher (p<0.01) in mHTF group than bHTF group. Significantly (p<0.05) more clinical pregnancies were recorded in mHTF group (13/30) compared with bHTF group (9/46). The multiple pregnancy rates were 11.1% in bHTF group and 7.7% in mHTF group. There were one ectopic pregnancy in mHTF group and one heterotopic pregnancy in bHTF group. Abortion rates were 22.2% in bHTF group and 7.7% in mHTF, respectively. The ongoing pregnancy or livebirth rate was significantly (p<0.05) higher in mHTF group (12/30) than bHTF group (7/46). These results suggest that the addition of amino acids in culture media is essential for culture of zygotes in vitro and adjustment of energy substrates in phosphate-free culture media appears to be beneficial for human IVF-ET procedure.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.47
no.2
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pp.15-20
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2010
In this study, AZO (Al: 3 wt%) thin films have been prepared on PES Plastic substrates at various working pressure (5~20 mTorr), $O_2$ gas flow rate(0~3%) and the fixed substrate temperature of 200 f by using the RF magnetron sputtering and their optical and electrical properties have been studied. The XRD measurement shows that AZO thin films exhibit c-axis preferred orientation. From the results of AFM measurements, it is known that the lowest surface roughness (3.49 nm) is obtained for the AZO thin film fabricated at 5 mTorr of working pressure and 3% of $O_2$ gas flow rate. The optical transmittance of AZO thin films is measured as 80% in the visible region. We observe that the energy band gap of AZO thin films increases with decreasing the working pressure and the $O_2$ gas flow rate. This phenomenon is due to the Burstein-Moss effect. Hall measurement shows that the maximum carrier concentration ($2.63\;{\times}\;10^{20}\;cm^{-3}$) and the minimum resistivity ($4.35\;{\times}\;10^{-3}\;{\Omega}cm$) are obtained for the AZO thin film fabricated at 5mTorr of working pressure and 0% of $O_2$ gas flow rate.
Carbon nanotubes (CNT) have been attracted much attention since they have been expected to be used in various areas by virtue of their outstanding physical, electrical, and chemical properties. In order to make full use of their prominent electric conductivity in some areas such as electron emission sources, device interconnects, and electrodes in energy storage devices, direct growth of CNT with vertical alignment is definitely beneficial issue because they can maintain mechanical stability and high conductivity at the interface between substrates. Here, we report direct growth of vertically aligned CNT (VCNT) on Cu foils using thermal chemical vapor deposition and characterize the field emission property of the VCNT. The VCNT's height was controlled by changing the growth temperature, growth time, and catalytic layer thickness. Optimum growth condition was found to be $800^{\circ}C$ for 20 min with acetylene and hydrogen mixtures on Fe catalytic layer of 1 nm thick. The diameter of VCNT grown was smaller than that of usual multi walled CNT. Based on the result of field emission characterization, we concluded that the VCNT on Cu foils can be useful in various potential applications where high conductivity through the interface between CNT and substrate is required.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.7
no.6
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pp.1047-1055
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2006
We patterned nano-width lines on a super hard bulk diamond substrate by varying the ion beam current and ion beam sources with a dual beam field ion beam (FIB). In addition, we successfully fabricated two-dimensional nano patterns and three-dimensional nano plate modules. We prepared nano lines on a diamond and a silicon substrate at the beam condition of 30 kV, 10 pA $\sim$ 5 nA with $Ga^+$ ion and $H_2O$ assisted ion sources. We measured each of the line-width, line-depth, etched line profiles, etch rate, and aspect ratio, and then compared them. We confirmed that nano patterning was possible on both a bulk diamond and a silicon substrate. The etch rate of $H_2O$ source can be enhanced about two times than that of Ga source. The width of patterns on a diamond was smaller than that on a silicon substrate at the same ion beam power The sub-100 nm patterns on a diamond were made under the charge neutralization mode to prevent charge accumulation. We successfully made a two-dimensional, 240 nm-width text of the 300-lettered Lord's Prayer on a gem diamond with 30 kV-30 pA FIB. The patterned text image was readable with a scanning electron microscope. Moreover, three dimensional nano-thick plate module fabrication was made successfully with an FIB and a platinum deposition, and electron energy loss spectrum (EELS) analysis was easily performed with the prepared nano plate module.
In this study, we have examined the potential degradation of MTBE(methyl tert-butyl ether) by pure culture ENV425 and mixed culture obtained from gasoline contaminated soil using n-butane as the sources of carbon and energy. The results described in this study suggest that MTBE is degraded cometabolically by ENV425 and mixed culture grown on n-butane. Butane and MTBE degradation was completely inhibited by acetylene, which indicated that both substrates were degraded by butane monooxygenase. These cultures grown on n-butane generated TBA (tert-butyl alcohol) as a metabolite of MTBE oxidation. TBA Production was accounted 54.7% and 58.6% for MTBE oxidation by ENV425 and mixed culture, respectively. In resting cell experiments, however, TBA and TBF were detected as the oxidation products of MTBE by ENV425 and mixed culture. The observed maximal MTBE degradation rates were 52.3 and 62.3 (nmol MTBE degraded/hr/mg TSS) by ENV425 and mixed culture, respectively, and the observed maximal transformation yields ($T_y$) were 44.7 and 34.0 (nmol MTBE degraded/$\mu$mol n-butane utilized), and the observed maximal transformation capacities ($T_c$) were 199 and 226 ($\mu$mol MTBE degraded/mg TSS used).
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.135-135
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2010
In Mn-Ge equilibrium phase diagram, many Mn-Ge intermetallic phases can be formed with difference structures and magnetic properties. The MnGe has the cubic structure and antiferromagnetic(AFM) with Neel temperature of 197 K. The calculation predicted that the $MnGe_2$ with $Al_2Cu$-type is hard to separate between the paramagnetic(PM) states and the AFM states because this compound displays PM and AFM configuration swith similar energy. Mn-doped Ge showed the FM with Currie temperature of 285 K for bulk samples and 116 K for thin films. In addition, the $Mn_5Ge_3$ compound has hexagonal structure and FM with Curie temperature around 296K. The $Mn_{11}Ge_8$ compound has the orthorhombic structure and Tc is low at 274 K and spin flopping transition is near to 140 K. While the bulk $Mn_3Ge_2$ exhibited tetragonal structure ($a=5.745{\AA}$;$c=13.89{\AA}$) with the FM near to 300K and AFM below 150K. However, amorphous $Mn_3Ge_2$ ($a-Mn_3Ge_2$) was reported to show spin glass behavior with spin-glass transition temperature (Tg) of 53 K. In addition, the transition of crystalline $Mn_3Ge_2$ shifts under high pressure. At the atmospheric pressure, $Mn_3Ge_2$ undergoes the magnetic phase transition from AFM to FM at 158 K. The pressure dependence of the phase transition in $Mn_3Ge_2$ has been determined up to 1 GPa. The transition was found to occur at 1 GPa and 155 K with dT/dP=-0.3K/0.1 GPa. Here report that Ferromagnetic $Mn_3Ge_2$ thin films were successfully grown on GaAs(001) and GaSb(001) substrates using molecular beam epitaxy. Our result revealed that the substrate facilitates to modify magnetic and electrical properties due to tensile/compressive strain effect. The spin-flopping transition around 145 K remained for samples grown on GaSb(001) while it completely disappeared for samples grown on GaAs(001). The antiferromagnetism below 145K changed to ferromagnetism and remained upto 327K. The saturation magnetization was found to be 1.32 and $0.23\;{\mu}B/Mn$ at 5 K for samples grown on GaAs(001) and GaSb(001), respectively.
Peroxidase was used as a standard enzyme to determine optimum blanching conditions of Flammulina velutipes and Lyophyllum ulmarium. Crude peroxidase extracted from raw mushrooms had maximum activity at $10{\sim}15^{\circ}C$ and pH 5.5 (50 mM, potassium phosphate buffer) using substrates of $H_2O_2$ and p-Phenylendiamine. Thermal inactivation of the crude peroxidase followed the first-order kinetics. The activation energy and z value of the crude peroxidase for F. velutipes were 59.58 kcal/mol and $9.0^{\circ}C$, whereas were 43.05 kcal/mol and $12.4^{\circ}C$ for L. ulmarium, respectively. On the basis of thermal kinetics parameters obtained, the optimum blanching conditions for F. velutipes and L. ulmarium were 1 min at $70^{\circ}C$ and 5 min at $80^{\circ}C$, respectively. Activation energies and z values of peroxidases extracted from heat-treated mushrooms were 7.97 and 6.55 kcal/mol, and $59.8^{\circ}C\;and\;74.1^{\circ}C$ for F. velutipes and L. ulmarium, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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