• 한국진공학회지
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• 제7권2호
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• pp.104-111
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• 1998

저압 MOCVD 방법을 이용하여 InGaAs/InP 양자우물구조를 성장하였다. 성장 정지 시간에 따른 photoluminescence특성의 변화를 통하여 계면구조를 분석하였다. InP표면을 $PH_3$ 분위기로, InGaAs표면을 $AsH_3$분위기로 유지하며 성장을 정지하는 경우에는 성장 정지 시간이 길어짐에 따라 불순물 유입에 의한 것으로 생각되는 PL반가폭의 증가를 관찰하였다. InP표면에 AsH3을 공급하는 경우에는 As-P교환에 의해 우물층 두께가 증가하여 PL피크가 저에너지로 이동하였고, 반가폭의 변화는 크지 않았다. 계면 양자우물구조를 형성하여 As-P 교환작용에 대해 조사하였고, 1-2monolayer가 InAs유효두께로 계산되었다. InGaAs 표면에 $PH_3$을 공급한 결과, PL피크가 고에너지로 이동하는 것을 관찰하였고 동시에 반가폭도 증가 하였다. 이는 메모리 효과에 의해 InP층으로 As침투를 억제하고, InGaAs표면에서의 국부적 인 As-P교환에 의한 것으로 생각된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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• pp.1264-1265
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• 2008

PLD 방법으로 undoped ZnO박막을 성장 온도별로 성장하여 박막의 광학적 특성이 변화되는 것을 관찰하였다. undoped ZnO박막은 $Al_2O_3(0001)$기판을 이용하였고, pulsed laser deposition(PLD)을 이용하여 증착을 하였다. 이때 파장이 355nm인 Nd:YAG 레이저를 이용하였고 레이저의 에너지 밀도는 1.4 $J/cm^2$ 이었다. 구조적 광학적 특성을 관측하기 위하여 XRD, SEM, PL 등을 측정하였다. PL 측정 결과 성장 온도가 증가함에 따라 undoped ZnO박막의 광학적 특성이 좋아지는 것을 관찰할 수 있었다. XRD 측정 결과도 온도별 FWHM과 intensity ratio가 점차 좋아지는 것을 볼 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1989년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.409-410
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• 1989

Discharge characteristics of a commercial made Xe-flashlamp have been studied for the pumping source of dye Lasers. The rise-time, FWHM, intensity and energy of pumping light pulses of the lamp were measured as functions of the serial resistor and applied voltage. The grid effects of the lamp on pre-discharge and the spectrum of light pulses also have been investigated.

• 대한전자공학회논문지
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• 제4권2호
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• pp.16-21
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• 1967

이 보고는 처음에 Li drifted Ge 검출기에 관해서 이 Li drifted Ge 검출기에 의한 열중성자로부터의 Cl(n, r) 반응에서 생기는 r선 스텍트로를 보여준다. 이 Li drifted Ge 검출기의 에너지 분해능은 의 122KeV에서 4.5KeV, 의 1333KeV에서 10KeV이다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권4호
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• pp.712-718
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• 2003

진공 증착한 CdS 박막의 질소 이온 주입 효과를 X-선 회절 검사, 광 투과율, 라만 산란 특성을 통하여 조사하였다. 질소 이온 주입하지 않은 CdS 박막은 (0 0 2)면으로의 우선 방위를 가지고 성장하였다. 질소 이온 주입한 시편의 경우 metallic Cd가 형성됨을 XRD 분석 결과 알 수 있었다. 가시광 영역에서의 광투과율은 질소 이온 주입 양이 많아짐에 따라 크게 감소하였다. 또한 질소 이온 주입 양에 따라 CdS 박막의 흡수 계수는 지수 함수적으로 증가하였고, 밴드 갭은 감소하였다 CdS 박막의 라만 peak 위치는 질소 이온 주입 양에 관계없이 299 cm-1로 거의 일정하지만, peak의 FWHM은 이온 주입 양이 증가함에 따라 커졌고, peak 면적은 감소하였다.

• 한국광학회지
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• 제5권1호
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• pp.84-89
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• 1994

연속발진 색소레이저를 시드레이저로 하고, Nd:YAG 레이저로 펌핑하는 인젝션 록킹된 단일 모우드 펄스 색소레이저를 제작하였다. 위상민감 검출법으로 얻은 오차신호로 시드빔과 공진 상태를 유지하도록 공진기 길이를 조절하였을 때 99% 이상의 펄스가 시드레이저의 주파수에 록킹 되었다. 이때 레이저 출력빔의 중심 주파수 요동이 10MHz 이내로 안정되었다. 펄스폭(FWHM)은 6ns이고 선폭은 130 MHz이었다. 50mJ로 펌핑하였을 때 2mJ의 출력을 얻었으며 이때의 첨두출력은 0.33 MW이다.

• 한국광학회지
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• 제18권3호
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• pp.221-225
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• 2007

근적외선에서 발광하는 새로운 증폭 매질인 Bi 첨가 알루미노실리케이트 유리의 용융 온도를 낮추면서도 증폭 특성이 향상될 수 있도록 금속 산화물을 첨가한 샘플을 제작하여 분광학적 특성을 분석하였다. $Li_{2}O$의 조성비가 증가하면 형광스펙트럼의 반폭치는 증가하지만 형광 강도가 저하되고, $GeO_{2}$의 영향으로는 반폭치와 형광 강도가 동시에 증가하였다. $GeO_{2}$를 첨가한 시료에서 광 증폭 특성을 측정한 결과, 이전의 벌크 샘플에서 얻었던 것보다 우수한 증폭 특성을 가지고 있음을 확인하였다.

• 한국진공학회지
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• 제8권4A호
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• pp.450-455
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• 1999

We present Photoluminescence (PL) and Atomic Force Microscopy (AFM) image on InAs quantum dots (QDs) having different size which grown by Molecualr Beam Epitaxy (MBE). For different size QDs, analysis of the AFM profiles show that the density of QDs was the maximum value $(1.1\times10^{11}\textrm{/cm}^2)$ at 2.0 ML. In the spectra of QDs, it is found that the peak energy decreases with increasing dot size due to the effect of quantum confinement. Temperature dependence of PL intensities show that the PL is quenching and Red shift as the temperature increase. The FWHM range of 20K~180K is narrowing with increasing temperature. When temperature is over 180K, the line-width starts to in creases with increasing temperature. At last, temperature dependence of the integrated intensities were fit using the Arrehenius-type function for the activation energy. Fit value of the activation energy was increased with increasing QDs-size.

• Progress in Superconductivity
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• 제3권1호
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• pp.125-129
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• 2001

NiO buffer layers were deposited on texture Ni tapes fur YBCO coated conductors by MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) method, using a single solution source. Variables were deposition temperature and flow rate of $0_2$carrier gas. At higher temperatures, The NiO(111) texture was well developed, but the NiO(200) texture was developed at low temperatures. The best result was obtained at the deposition temperature of$ 470^{\circ}C$ and the gas flow rate of 200 sccm. FWHM value of $\omega$-scan fur NiO(200) of the film and $\Phi$-scan for NiO(111) of the film was $4.2^{\circ}$ and $7^{\circ}$, respectively.

• Progress in Superconductivity
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• 제9권1호
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• pp.62-67
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• 2007

The effects of the heat-treatment temperature on the carbon (C) substitution amount, full width at half maximum (FWHM) value, critical temperature ($T_c$), critical current density ($J_c$) have been investigated for 10 wt % malic acid ($C_4H_6O_5$)-doped $MgB_2/Fe$ wires. All the samples were fabricated by the in-situ powder-in-tube (PIT) method and heat-treated within a temperature range of $650^{\circ}C$ to $1000^{\circ}C$. As the heat-treatment temperature increased, it seemed that the lattice distortion was increased by a more active C substitution into the boron sites from the malic acid addition. These increased electron scattering defects seemed to enhance the $J_c-H$ properties in spite of an improvement in the crystallinity, such as a decrease of the FWHM value and an increase of the $T_c$. Compared to the un-doped wire heat-treated at $650^{\circ}C$ for 30 min, the $J_c$ was enhanced by the C doping in a high-field regime. The wire heat-treated at $900^{\circ}C$ resulted in a higher magnetic $J_c$ of approximately $10^4\;A/cm^2$ at 5 K and 8 T.