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Low temperature growth of GaN on sapphire using remote plasma enhanced-ultrahigh vacuum chemical vapor deposition

  • Park, J.S.;Kim, M.H.;Lee, S.N.;Kim, K.K.;Yi, M.S.;Noh, D.Y.;Kim, H.G.;Park, S.J.
    • 한국진공학회지
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    • 제7권s1호
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    • pp.85-99
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    • 1998

  • A ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHVCVD)/metalorganic chemical vapor deposition(MOMBE) system equipped with a radio frequency(RF)-plasma cell was employed to grow GaN layer on the sapphire at a low temperature. The x-ray photoelectron spectroscopy analysis of nitrogen composition on the nitridated sapphite surface indicated that a nitridation process is mostly affected by the RF power at low temperature. Atomic force microscope images of nitridated surface the protrusion density on the nitridated sapphire is dependent on the nitridation temperature. The crystallinity of GaN grown at $450^{\circ}C$ was found to be much improved when the sapphire was nitridated at low temperature prior to the GaN layer growth. Moreover, a strong photoluminescence spectrum of GaN grown by UHVCVD/MOMBE with a rf-nitrogen plasma was observed for the first time at room temperature.

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고상확산법을 이용한 SOI MOSFET 제작 기술 (SOI MOSFET device fabricated by Solid Phase Diffusion)

  • 이우현;구헌모;김관수;기은주;조원주;구상모;정홍배
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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    • pp.17-18
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    • 2006

  • 고상 확산 방법을 이용하여 얕은 소스/드레인 접합을 가지는 SOI (Silicon-On-Insulator) MOSFET 소자를 제작하였다. 확산원으로는 PSG(Phosphorus silicate glass) 박막과 PBF(Poly Boron Film) 박막이 각각 n, p-type 소자 형성을 위해 사용되었다. 얕은 접합 형성을 위하여 급속 열처리 방법(RTA: Rapid Thermal Annealing)을 이용하여 PSG와 PBF로부터 인과 붕소를 SOI MOSFET 소자의 소스/드레인으로 확산시켰다. 또한, 소자 특성 개선을 위한 후 속 열처리 공정으로 희석된 수소 분위기 중에서 FA(Furnace Annealing)를 실시하였다. SPD 기술을 적용하여 10 nm 이하의 매우 얕은 p-n 접합을 형성할 수 있었고, 양호한 다이오드 특성을 얻을 수 있었다. 또한, SPD 방법으로 결함이 없는 접합 형성이 가능하며, 소자 제작 공정의 최적화를 통해 차세대 CMOS 소자로 기대되는 SOI MOSFET를 성공적으로 제작할 수 있었다.

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유전체 특성에 따른 UWB용 필터 특성에 관한 연구 (The Performance of Ultra-Wideband Filter with regard to dielectric materials)

  • 유찬세;이중근;정현철;유명재;이우성;강남기
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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    • pp.307-308
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    • 2006

  • In this paper, we propose an ultra wideband pass filter of ring type with embedded stripline stub. The fractional bandwidth was 98 % at the center frequency of 8 GHz and insertion loss was below 1 dB in passband. Two kinds of dielectric materials with the permittivity of 7.8 and 40, respectively were adopted in evaluating the suggested filter structure. As the permittivity of material became larger, the size of filter smaller as expected without any sacrifice in filter performance. In summary, the suggested filter structure has smaller size due to the embedded stripline stub and can be minimized by adopting dielectric material with higher permittivity again.

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