• 제목/요약/키워드: electronic charge distribution

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로컬 클록 스큐 보상을 위한 낮은 지터 성능의 지연 고정 루프 (A Low Jitter Delay-Locked Loop for Local Clock Skew Compensation)

  • 정채영;이원영
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제14권2호
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    • pp.309-316
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    • 2019
  • 본 논문은 로컬 클록 왜곡을 보상하는 낮은 지터 성능의 지연 고정 루프를 제시한다. 제안된 DLL은 위상 스플리터, 위상 검출기(PD), 차지 펌프, 바이어스 생성기, 전압 제어 지연 라인(Voltage Controlled Delay Line) 및 레벨 변환기로 구성된다. VCDL(: Voltage Controlled Delay Line)은 CML(: Current Mode Logic)을 사용하는 자체 바이어스 지연 셀을 사용하여 온도에 민감하지 않고 잡음을 공급한다. 위상 스플리터는 VCDL의 차동 입력으로 사용되는 두 개의 기준 클록을 생성한다. 제안된 회로의 PD는 CML에 비해 적은 전력을 소비하는 CMOS 로직을 사용하기 때문에 PD는 위상 스플리터의 유일한 단일 클록을 사용한다. 따라서 VCDL의 출력은 로컬 클록 분배 회로뿐만 아니라 PD에 사용되므로 레벨 변환기에 의해 레일-투-레일 신호로 변환된다. 제안된 회로는 $0.13{\mu}m\;CMOS$ 공정으로 설계되었으며, 주파수가 1GHz인 클록이 외부에서 인가된다. 약 19 사이클 후에 제안된 DLL은 잠금이 되며, 클록의 지터는 1.05ps이다.

디지털콘텐츠 소비자 피해유형 분석 (Analysis the Types of Consumer Damages Incurred by Using a Digital Contents)

  • 남수정;이은희;박상미
    • 한국생활과학회지
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    • 제16권6호
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    • pp.1197-1209
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    • 2007
  • The advance of digital contents industry shifts the focus of consumptions; from analogue to digital ones. It gives significant impact on individual life as well as overall society and culture, and it leads to the increased consumption of digital contents. Nevertheless, current digital contents industry fails to secure the sufficient consumer protection systems including relevant rules and laws which regulate the distribution, use, and other transaction activities of digital contents and the efforts, on the part of contents providers, to provide information to consumers and to protect them. Digital contents, by its nature, is different from the existing products so that its nature is likely to cause unique consumer problems totally different from the offline transactions and the electrical transactions of existing products. This study, therefore, aims to identify the possible problems which may be incurred by consumers in their use of digital contents, specify the types of consumer damages, and provide the underlying materials to improve the systems related to digital contents and take legally complementary measures for consumer protection. To identify the types of consumer damages, this study analyzed the results from consumer counselling cases, experts opinion survey, and FGI. For consumer damage cases, this study analyzed the consumer complaints received by open consumer counselling sites of the Korea Consumer Agency and Seoul Electronic Commerce Center. For experts opinion survey, it conducted questionnaire survey of the group of experts from digital contents manufacturers or providers, and those who treated consumer damages directly. For FGI analysis, it organized a panel of students and employees who had used digital contents to understand the types of consumer damages. The results of this study can be summed up as follows. Based on the results from consumer counselling cases, experts opinion survey, and FGI analysis, the consumer damages related to digital contents can be classified, in their nature, into economic or financial damages (25 cases), emotional or psychological ones (15 cases), time-related ones (7 cases), physical ones (4 cases), and privacy-related ones (i.e. leakage of personal data)(3 cases). More specifying the types of damages, damages can be subdivided into contract-, charge-, maintenance-, use-, individual-related ones and other ones. Among them, both contract- and charge-related damages appeared only in the economic or financial damages, whereas user-specific individual damages appeared only in physical and emotional or psychological ones. On the other hand, maintenance- and use-related damages and other ones were observed in both categories of economical or financial damages and time-related ones. Use- and privacy-related damages, in particular, caused emotional or psychological damages.

DGMOSFET의 항복전압에 관한 연구 (A Study on Breakdown Voltage of Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2012년도 춘계학술대회
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    • pp.693-695
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    • 2012
  • 본 연구에서는 DGMOSFET의 항복전압에 대하여 고찰할 것이다. 이를 위하여 포아송방정식의 분석학적 해를 이용하였으며 Fulop의 항복전압 조건을 사용하였다. DGMOSFET는 게이트길이가 나노단위까지 사용가능한 소자로서 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 그러나 단채널에서 나타나는 항복전압의 감소는 피할 수 없으므로 이에 대한 연구가 필요하다. 포아송방정식을 풀 때 사용하는 전하분포함수에 가우시안 함수를 적용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 이중게이트 MOSFET의 소자크기에 따라 항복전압의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 전위모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 항복전압을 분석할 것이다. DGMOSFET의 항복전압을 관찰한 결과, 채널길이가 감소할수록 그리고 도핑농도가 증가할수록 항복전압이 감소하는 것으로 나타났다. 또한 게이트산화막두께 및 채널두께에 따라서 항복전압의 변화가 관찰되었다.

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SCH 양자우물 레이저 다이오드에 대한 L-I-V 특성의 해석적도출에 관한 연구 (A Study on the analytical derivation of the L-I-V characteristics for a SCH QW Laser Diode)

  • 박륭식;방성만;심재훈;서정하
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제39권3호
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    • pp.9-19
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    • 2002
  • 본 논문에서는 thermionic emission 모델을 이용하여 SCH 양자우물 레이저 다이오드에 대한 L-I-V특성을 해석적으로 도출하였다. SCH의 bulk 캐리어와 양자우물 속박 캐리어의 관계를 도출하였고, 주입된 전류를 각 영역에서의 캐리어 재결합을 고려한 전류 연속 방정식을 만족하도록 하였다. 또한, high level injection과 전하 중성 조건하에 ambipolar 확산 방정식을 이용하여 캐리어 분포를 고찰하였다. 위 해석적인 모델을 이용하여 계산한 결과, 클래딩 영역의 전위장벽 변화가 전류 전압 특성 변화의 주요 원인으로 나타났다. 또한 thermionic emission에 의한 주입 전류의 forward flux 증가가 캐리어 주입을 증가시키고, 레이저 다이오드의 직렬 저항을 감소시키는 것을 보였다.

Active RFID를 이용한 실내 무선 위치 인식 기반 스마트 센서 빌딩 구현에 관한 연구 (A Study on Realization of System in Wireless Location Awareness Technology Using Ubiquitous Active RFID)

  • 정창덕
    • 지능정보연구
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    • 제12권3호
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    • pp.83-93
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    • 2006
  • 이 논문은 RFID를 이용한 무선 위치 인식 기술에 대한 것이다. 데이터의 RF 분석에 의한 수신된 신호의 강도로써 위치를 파악하고 위치 특성을 이해하는 실험을 하였다. 이 실험 시스템은 외부 환경 요인을 고려한 상태에서 5000대의 단말기를 이용하여 연구하였다. 이 위치 서비스는 특히 구매, 물류, 제조와 같은 일반산업, 자동조명/공조연동, 주차장 GATE 연동 서비스 등과 같은 많은 산업에서 이용될 것이다. 이 기술의 최적 솔루션은 일상생활의 지능형 정보가 필요하는 데이터의 저장과 접촉 비접촉에 토대를 둔 스마트 카드(전화카드, 은행카드..)등에도 이용될 것이다. 실내 위치 실험 방법은 서비스 및 추정된 위치 데이터를 이용한다. 이 연구의 결과는 아래와 같다. 첫째, Active RFID의 위치인식 시스템 설치 운영의 효율성과 둘째, 실내 무선위치 시스템의 추후 지능형 정보가 필요하는 여러 분야에서의 적용 가능성실험에 있다.

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나노 구조 철띠의 자성과 전자구조에 대한 제일원리 연구 (First-Principles Study on the Magnetism and Electronic Structure of Fe Nanostripes)

  • 변영신;이재일
    • 한국자기학회지
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    • 제16권5호
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    • pp.229-233
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    • 2006
  • 나노 구조 철띠의 자기적 성질을 일반기울기 근사(GGA)를 채택한 전전자 full-potenial linearized augmented plane-wave(FLAPW)에너지 띠 방법을 이용하여 이론적으로 연구하였다. 세 줄, 다섯 줄, 일곱 줄의 철선으로 이루어진 띠에서 가장자리 줄의 자기모멘트는 2.97 또는 2.98 ${\mu}_B$로 Fe 단일 직선의 값과 비슷하게 포화된 값을 가졌으며, 가운데 선의 자기모멘트는 2.82 ${\mu}_B$로 2차원 격자의 값과 같았다. 일곱 줄로 이루어진 철 띠의 전하밀도나 스핀밀도는 가장자리 영역에서 거의 평평한 분포를 보였는데, 이는 가장자리 원자로부터 배출된 p-전자로 인한 가리기에 의한 것이다. 일곱 줄로 이루어진 철 띠에서 가장자리 원자의 상태밀도는 가운데 원자에 비해 띠폭이 줄어들었는데 이는 가장자리 효과에 의한 띠좁힘 때문이다.

인이 도핑된 NiCo2O4 전극 제조 공정의 간소화를 통한 전극 특성의 변화 (Variations in electrode characteristics through simplification of phosphorus-doped NiCo2O4 electrode manufacturing process)

  • 이석희;차현진;박정환;손영국;황동현
    • 한국표면공학회지
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    • 제56권5호
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    • pp.299-308
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    • 2023
  • In this study, phosphorus (P)-doped nickel cobaltite (P-NiCo2O4) and nickel-cobalt layered double hydroxide (P-NiCo-LDH) were synthesized on nickel (Ni) foam as a conductive support using hydrothermal synthesis. The thermal properties, crystal structure, microscopic surface morphology, chemical distribution, electronic state of the constituent elements on the sample surface, and electrical properties of the synthesized P-NiCo2O4 and P-NiCo-LDH samples were analyzed using thermogravimetric analysis-differential scanning calorimetry (TGA-DSC), X-ray diffraction (XRD), field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), cyclic voltammetry (CV), galvanostatic charge-discharge (GCD), and electrochemical impedance spectroscopy (EIS). The P-NiCo2O4 electrode exhibited a specific capacitance of 1,129 Fg-1 at a current density of 1 Ag-1, while the P-NiCo-LDH electrode displayed a specific capacitance of 1,012 Fg-1 at a current density of 1 Ag-1. When assessing capacity changes for 3,000 cycles, the P-NiCo2O4 electrode exhibited a capacity retention rate of 54%, whereas the P-NiCo-LDH electrode showed a capacity retention rate of 57%.