• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.355-355
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• 2012

Si (111) 기판 위에 polystyrene (PS) bead를 사용하여 만들어진 약 100 nm 나노 구멍에 GaN나노선을 molecular beam epitaxy 법으로 성장하였다. 성장 온도와 III/V 비율 변화에 대하여 성장된 GaN 나노선의 모양과 광학적 특성은 scanning electron microscopy (SEM)와 photoluminescence (PL) 등으로 조사하였으며, InN/GaN 이종접합 및 InGaN p-n 다이오드구조를 성장하여 atomic force microscopy의 tip 접촉방법으로 전기적 특성을 조사하였다. PL 측정 결과 성장온도가 높아지면 Ga 빈자리와 관계된 3.28 eV의 donor acceptor pair (DAP) 신호와 3.42 eV의 stacking faults (SF) 결함에 기인된 발광 신호세기가 감소하는 결과를 SEM으로부터 나노선 폭 및 길이는 좁아지면서 짧아지는 것을 관측하였다. 또한 nitrogen 원자양이 증가하면서 Ga 빈자리와 관련된 3.28 eV DAP 신호가 증가하는 것을 관측하였다. 이들 결과로부터 GaN 나노선의 SF 발광 신호관련 원인에 대하여 논의 하였다. AFM을 이용한 I-V 측정으로부터 성장조건 변화에 따른 GaN 나노선 및 p-n 접합 나노선의 전도 특성을 조사하여 나노선의 소자 응용에 대한 기본적인 물리특성을 규명하였다.

• Journal of the Korean Association of Oral and Maxillofacial Surgeons
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• v.26 no.3
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• pp.284-292
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• 2000

내인성 산화질소는 산화질소 합성효소에 의하여 합성되며 여러 분비선에서 다양한 기능을 하리라 추측되고 있다. 구강주위 외분비선은 형태적으로 유사하나 분비물의 성분과 분비량은 서로 달라 이들 조직에서 산화질소 동위효소의 분포와 기능을 추론함은 흥미 있는 일이다. 또한 구강주위 외분비선과 분비선의 지배신경의 산화질소동위효소의 분포에 관한 보고는 희박하다. 본 연구는 흰쥐구강 주위 외분비조직, 즉 3대 타액선, 혀의 소타액선, 누선 그리고 구강점막의 피지선과 지배신경 및 신경절에서 eNOS와 nNOS의 분포를 면역조직화학 방법에 의하여 관찰하여 다음의 결과를 얻었다. nNOS는 악하선신경절, 대타액선의 분비도관 주위의 신경절후신경섬유, 혀의 소타액선 주위의 신경절후섬유, 누선에서 강한 양성반응을 보였다. nNOS는 대타액선과 근상피세포에서 중등도의 양성반응을 보였고 이중 이하선에서 반응이 가장 약하였으며, 피지선의 분비관에서 약한 반응을 보였다. 그러나 상교감신경절과 삼차신경절, 소타액선의 분비관 및 대,소 타액선의 선포에서는 반응이 매우 미약하거나 관찰되지 않았다. eNOS는 혈관의 내피세포와 대타액선의 분비관, 누선의 분비관 및 선포에서 강한 양성 반응을 보였고, 근상피세포에서 중등도의 반응을, 피지선에서 약한 반응을 보였다. 모든 신경절과 신경섬유에서 eNOS의 반응은 음성이었고 타액선의 일부 선포에서는 미약한 면역반응을 보였다. 이상의 결과 eNOS에 의해 합성된 NO는 악안면영역의 외분비선에서 혈류량의 조절과 분비도관의 기능 조절에 관여하고, nNOS에 의한 NO는 외분비선의 자율신경계에서 신경전달물질로의 기능과 분비도관에서의 분비기능 조절에 관여함을 시사하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.11-11
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• 2007

1차원 구조체인 반도체 나노선은 앙자제한효과 (quantum confinement effect) 등을 이용하여 고밀도/고효율의 소자 개발이 기대되고 있다. GaN는 상온에서 3.4 eV의 밴드갭 에너지를 갖는 III-V 족 반도체 재료로써 박막의 경우 광전자 소자로 폭넓게 응용되고 있다. 최근 GaN 나노선의 합성에 성공하면서 발광소자, 고효율의 태양전지, HEMT 등으로의 응용을 위한 많은 연구가 활발히 이루어지고 있다. 하지만, 아직까지 GaN 나노선의 전기적 특성을 제어하는 기술은 확립되지 않고 있다. 본 연구에서는 Vapor solid (VS)법을 이용하여 GaN 나노선을 합성하였으며, GaN 분말과 함께 $Mg_2N_3$ 분말을 첨가하여 (Ga,Mg)N 나노선을 성공적으로 합성하였다. 합성시에 GaN와 Mg 소스간의 거리 변화를 통해 Mg 도핑농도를 제어하고자 하였다. 이 같은 방법으로 합 된 (Ga,Mg)N 나노선의 Mg 도핑농도에 따른 결정학적 특성을 알아보고, (Ga,Mg)N 나노선을 이용하여 소자를 제작한 후 그 전기적 특성을 살펴보고자 한다. X-ray diffraction (XRD)과 high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), EDX를 이용하여 합성된 나노선의 결정학적 특성과 Mg의 도핑 농도를 확인하였다. Photo lithography와 e-beam lithography법을 이용하여 (Ga,Mg)N 나노선 field-effect transistor (FET)를 제작하고, channel current-drain voltage ($I_{ds}-V_{ds}$) 와 channel current-gate voltage ($I_{ds}-V_g$) 측정을 통해 (Ga,Mg)N 나노선이 도핑 농도에 따라 n형에서 p형으로 전기적 특성이 변화함을 확인하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.50 no.1
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• pp.72-75
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• 2012

In our experiments, strain-free nanowires(NWs) were dispersed on to the substrate, followed by e-beam lithography(EBL) to fabricate single nanowire ultraviolet(UV) sensor devices. Focused-ion beam(FIB), micro-Raman spectroscopy and photoluminescence were employed to characterize the structural and optical properties of AlGaN/GaN NWs. Also, I-V characteristics were obtained under both dark condition and UV lamp to demonstrate AlGaN/GaN NW-based UV sensors. The conductance of a single AlGaN/GaN UV sensor was 9.0 ${\mu}S$(under dark condition) and 9.5 ${\mu}S$ (under UV lamp), respectively. The currents were enhanced by excess carriers under UV lamp. Fast saturation and decay time were demonstrated by the cycled processes between UV lamp and dark condition. Therefore, we believe that AlGaN/GaN NWs have a great potential for UV sensor applications.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.34 no.6
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• pp.509-516
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• 1990

1H-nmr chemical shifts and lineshapes of amino-protons of acetamide (AA) in n-alcohols were determined. The chemical shifts are discussed by the Reichardt's solvent polarity parameter, E$_{T}$(30). The following relationship between $\delta$obs and E$_{T}$(30) was obtained. ${\delta}_{obs}$ = ${\delta}_{o}$ ＋ aE$_{T}$ (30) ＋ b[E$_{T}$(30)]$^2$ where ${\delta}_{o}$ is the chemical shift of the solute in gaseous state or at $E_{T}$(30) = 0, a is a characteristic constant for the protons of AA in n-alcohol solutions and b is a constant for the solute (AA)-solvent (n-alcohols) interaction. The barrier of the hindered rotation about the N-C(O) bond in AA was obtained by analysis of the lineshapes of the amino-protons in AA. The behavior of the internal rotation as well as chemical shifts of the amino-protons in AA has been found to be closely related to the $E_{T}$(30) of n-alcohols.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.33 no.2
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• pp.149-155
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• 1989

1H-nmr chemical shifts and lineshapes of amino-protons of thioacetamide in n-alcohols were determined. The chemical shifts are discussed by the Reichardt's solvent polarity parameter, $E_T(30)$. The following relationship between ${delta}_{obs}\;and\;E_T(30)$ was obtained, ${\delta}_{obs}=a{\cdot}E_T(30)＋b{\cdot}(E_T(30))_2$ where a is a characteristic constant for the protons of thioacetamide in n-alcohol solutions and b is a constant for the solute(TA)-solvent (n-alcohols) interactions. The barrier of the hindered rotation about the N-C(S) bond in TA was obtained by analysis of the lineshape of the amino-protons in TA. The behavior of the hindered rotation as well as chemical shifts of the amino-protons in TA has been found to be closely related to the $E_T(30)$ of n-alcohols.

• Radiation Oncology Journal
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• v.9 no.2
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• pp.337-342
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• 1991

The comparison of the KAPM Dosimetric Protocol (1990) with the TG-21 and $C_{\lambda}/C_E$(ICRU-21 and SCRAD protocol) method is studied. The therapetutic range of radiation (photon 4MV-l5MV and electron 6 MeV-20MeV) and three kinds of the chambers were used in the water phantom. The results from 7G-21 and KAPM protocol did not show much differences (less than 1$\%$) throughout the whole energy range; $N_D$ from KAPM protocol and Ngas from TG-21 showed 0.2$\%$ deviation mainly from W/e difference between two protocols. But the results from KAPM protocol (1990) and those from $C_{\lambda}/C_E$ Method showed $-1.9{\pm}0.6\%$ (KAPM protocol is higher) deviation for photom beam and $+3.3{\pm}1\%$ (KAPM protocol is lower) deviation for electron beams.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.17 no.4
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• pp.166-171
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• 2007

We report the magneto-transport properties of an individual single crystalline Bi nanowire grown by a spontaneous growth method. We have successfully fabricated a four-terminal device based on an individual 400-nm-diameter nanowire using plasma etching technique to remove an oxide layer forming on the outer surface of the nanowire. The transverse MR (2496% at 110 K) and longitudinal MR ratios (38% at 2 K) for the Bi nanowire were found to be the largest known values in Bi nanowires. This result demonstrates that the Bi nanowires grown by the spontaneous growth method are the highest-quality single crystalline in the literatures ever reported. We find that temperature dependence of Fermi energy ($E_F$) and band overlap (${\triangle}_0$) leads to the imbalance between electron concentration ($n_e$) and hole concentration ($n_h$) in the Bi nanowire, which is good agreement with the calculated $n_e\;and\;n_h$ from the respective density of states, N(E), for electrons and holes. We also find that the imbalance of $n_e\;and\;n_h$ plays a crucial role in determining magnetoresistance (MR) at T<75 K for $R_T$ and at T<205 K for $R_L$, while mean-free path is responsible for MR at T>75 K for $R_T$ and T>205 K for $R_L$.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.10 no.2
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• pp.49-52
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• 2000

The changes of magnetic properties in neutron irradiated F $e_{81}$ $B_{13.5}$S $i_{3.5}$ $C_2$ amorphous ribbon were studied by X-ray diffraction, hysteresis loop, temperature dependence of magnetization and complex permeability. The fluences of thermal ( $n_{th}$) and fast ( $n_{f}$) neutron were 6.95$\times$10$^{18}$ $n_{th}$ c $m^{-2}$ and 4.56$\times$10$^{16}$ $n_{f}$c $m^{-2}$ , respectively. The changes of XRD Profiles were not observable at the neutron irradiated sample. The complex permeability spectra showed that the permeability from domain wall motion decreased due to the increase of pinning force against domain motion by the neutron irradiation, and the relaxation frequency of rotational magnetization moved to higher frequency region. The measurement of hysteresis loop showed the increase of magnetic softness, related to rotational magnetization, but saturation magnetization was decreased in neutron irradiation sample. The Curie temperature was decreased in the neutron irradiated sample.e.e.e.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• v.15 no.1
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• pp.101-110
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• 1998

We calculated line profiles of 32 Cyg with an assumed $str{\"{o}}mgren$ sphere at orbital phases 0.06 and 0.78. The wind models with $Alfv\'{e}n$ waves show diminished line profiles compared to those of the models using power velocity laws. The reduced density of absorbers in HII region produce weak profiles, but line profiles at ${\phi}=0.06$ do not show the differences except in the red edge of absorption. At ${\phi}=0.78$ however, we could reproduce the line profiles of Alfven waves model by the power law models with two velocity gradients. It suggests that the power law model with 2 acceleration regions could reduce the errors in the theoretical line formation with no consideration of wind acceleration mechanism.nism.