• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.355-355
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• 2012

Si (111) 기판 위에 polystyrene (PS) bead를 사용하여 만들어진 약 100 nm 나노 구멍에 GaN나노선을 molecular beam epitaxy 법으로 성장하였다. 성장 온도와 III/V 비율 변화에 대하여 성장된 GaN 나노선의 모양과 광학적 특성은 scanning electron microscopy (SEM)와 photoluminescence (PL) 등으로 조사하였으며, InN/GaN 이종접합 및 InGaN p-n 다이오드구조를 성장하여 atomic force microscopy의 tip 접촉방법으로 전기적 특성을 조사하였다. PL 측정 결과 성장온도가 높아지면 Ga 빈자리와 관계된 3.28 eV의 donor acceptor pair (DAP) 신호와 3.42 eV의 stacking faults (SF) 결함에 기인된 발광 신호세기가 감소하는 결과를 SEM으로부터 나노선 폭 및 길이는 좁아지면서 짧아지는 것을 관측하였다. 또한 nitrogen 원자양이 증가하면서 Ga 빈자리와 관련된 3.28 eV DAP 신호가 증가하는 것을 관측하였다. 이들 결과로부터 GaN 나노선의 SF 발광 신호관련 원인에 대하여 논의 하였다. AFM을 이용한 I-V 측정으로부터 성장조건 변화에 따른 GaN 나노선 및 p-n 접합 나노선의 전도 특성을 조사하여 나노선의 소자 응용에 대한 기본적인 물리특성을 규명하였다.

• Journal of the Korean Association of Oral and Maxillofacial Surgeons
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• 제26권3호
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• pp.284-292
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• 2000

내인성 산화질소는 산화질소 합성효소에 의하여 합성되며 여러 분비선에서 다양한 기능을 하리라 추측되고 있다. 구강주위 외분비선은 형태적으로 유사하나 분비물의 성분과 분비량은 서로 달라 이들 조직에서 산화질소 동위효소의 분포와 기능을 추론함은 흥미 있는 일이다. 또한 구강주위 외분비선과 분비선의 지배신경의 산화질소동위효소의 분포에 관한 보고는 희박하다. 본 연구는 흰쥐구강 주위 외분비조직, 즉 3대 타액선, 혀의 소타액선, 누선 그리고 구강점막의 피지선과 지배신경 및 신경절에서 eNOS와 nNOS의 분포를 면역조직화학 방법에 의하여 관찰하여 다음의 결과를 얻었다. nNOS는 악하선신경절, 대타액선의 분비도관 주위의 신경절후신경섬유, 혀의 소타액선 주위의 신경절후섬유, 누선에서 강한 양성반응을 보였다. nNOS는 대타액선과 근상피세포에서 중등도의 양성반응을 보였고 이중 이하선에서 반응이 가장 약하였으며, 피지선의 분비관에서 약한 반응을 보였다. 그러나 상교감신경절과 삼차신경절, 소타액선의 분비관 및 대,소 타액선의 선포에서는 반응이 매우 미약하거나 관찰되지 않았다. eNOS는 혈관의 내피세포와 대타액선의 분비관, 누선의 분비관 및 선포에서 강한 양성 반응을 보였고, 근상피세포에서 중등도의 반응을, 피지선에서 약한 반응을 보였다. 모든 신경절과 신경섬유에서 eNOS의 반응은 음성이었고 타액선의 일부 선포에서는 미약한 면역반응을 보였다. 이상의 결과 eNOS에 의해 합성된 NO는 악안면영역의 외분비선에서 혈류량의 조절과 분비도관의 기능 조절에 관여하고, nNOS에 의한 NO는 외분비선의 자율신경계에서 신경전달물질로의 기능과 분비도관에서의 분비기능 조절에 관여함을 시사하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.11-11
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• 2007

1차원 구조체인 반도체 나노선은 앙자제한효과 (quantum confinement effect) 등을 이용하여 고밀도/고효율의 소자 개발이 기대되고 있다. GaN는 상온에서 3.4 eV의 밴드갭 에너지를 갖는 III-V 족 반도체 재료로써 박막의 경우 광전자 소자로 폭넓게 응용되고 있다. 최근 GaN 나노선의 합성에 성공하면서 발광소자, 고효율의 태양전지, HEMT 등으로의 응용을 위한 많은 연구가 활발히 이루어지고 있다. 하지만, 아직까지 GaN 나노선의 전기적 특성을 제어하는 기술은 확립되지 않고 있다. 본 연구에서는 Vapor solid (VS)법을 이용하여 GaN 나노선을 합성하였으며, GaN 분말과 함께 $Mg_2N_3$ 분말을 첨가하여 (Ga,Mg)N 나노선을 성공적으로 합성하였다. 합성시에 GaN와 Mg 소스간의 거리 변화를 통해 Mg 도핑농도를 제어하고자 하였다. 이 같은 방법으로 합 된 (Ga,Mg)N 나노선의 Mg 도핑농도에 따른 결정학적 특성을 알아보고, (Ga,Mg)N 나노선을 이용하여 소자를 제작한 후 그 전기적 특성을 살펴보고자 한다. X-ray diffraction (XRD)과 high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), EDX를 이용하여 합성된 나노선의 결정학적 특성과 Mg의 도핑 농도를 확인하였다. Photo lithography와 e-beam lithography법을 이용하여 (Ga,Mg)N 나노선 field-effect transistor (FET)를 제작하고, channel current-drain voltage ($I_{ds}-V_{ds}$) 와 channel current-gate voltage ($I_{ds}-V_g$) 측정을 통해 (Ga,Mg)N 나노선이 도핑 농도에 따라 n형에서 p형으로 전기적 특성이 변화함을 확인하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제50권1호
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• pp.72-75
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• 2012

Strain-free AlGaN/GaN 나노선을 기판에 분산시킨 후 E-beam lithography(EBL)를 이용해 단일 나노선 자외선 센서를 제작하였다. 나노선의 구조적, 광학적 특성을 분석하기 위해 focused ion beam(FIB), photoluminescence, micro-Raman spectroscopy를 이용하여 나노선의 strain 및 형태를 조사하였다. 자외선 센서로서의 특성 여부를 확인하기 위하여 빛을 차단 한 조건과 자외선을 조사하는 조건하에서 current-voltage(I-V) 특성을 측정하였으며 각각 9.0 ${\mu}S$과 9.5 ${\mu}S$의 전기전도도(conductance)를 얻었다. 자외선 조사 조건하에서 excess carrier의 증가로 인해 전기전도도가 약 5%가 향상되었음을 알 수 있었다. 자외선을 반복적으로 조사하는 과정의 실험을 통해 우수한 포화 시간(saturation time)과 감쇠 시간(decay time)을 얻었다. 따라서 AlGaN/GaN 나노선은 자외선 센서로서 많은 가능성을 가지고 있음을 확인하였다.

• 대한화학회지
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• 제34권6호
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• pp.509-516
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• 1990

n-알코올 용매에서 아세트아미드(AA)의 아미노 양성자의 nmr 화학적 이동과 선모양을 온도의 함수로 조사 연구하였다. 아미노 양성자의 화학적 이동 변화를 용매의 극성 파라미터 중에서 Reichardt의 $E_{T}$(30)으로 고찰하여 그들 사이에 다음과 같은 관계가 존재함을 밝혔다. ${\delta}_{obs}$ = ${\delta}_{o}$ ＋ aE$_{T} (30) ＋ b[E_{T}(30)]^2$ 여기서 ${\delta}_{o}$는 용질의 기체 상태 또는 $E_{T}$(30)가 0인 상태에서의 용질의 화학적 이동이며, a는 알코올 용액에서 용질이 갖는 고유한 특성이며, b는 용질-용매의 상호작용을 나타내는 상수이다. 또한, 선모양의 분석에서 얻은 N-C(O) 결합 주위로의 부자유회전 장애도 아미노 양성자에 대한 화학적 이동의 행동과 유사하게 용매의 $E_{T}$(30)과 밀접한 관계가 있음을 알아 내었다.

• 대한화학회지
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• 제33권2호
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• pp.149-155
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• 1989

n-알코올 용매에서 티오아세테이트아미드(TA)의 아미노 양성자의 nmr 화학적 이동과 선모양이 온도를 변화시켜가면서 구하였다. 아미노 양성자의 화학적 이동변화를 용매의 극성 파라미터 중에서 Reichardt의 $E_T(30)$과 연관지어 고찰하였으며, 그들 사이에는 다음의 관계가 있음이 밝혀졌다. ${\delta}_{obs}=a{\cdot}E_T(30)＋b{\cdot}(E_T(30))_2$ 여기서 a는 알코올 용액에서의 용질의 고유한 특성이며, b는 용질-용매 분자간 상호작용의 특성을 나태내고 있다. 또한 선모양 분석에서 얻은 N-C(S) 결합 주위로의 부자유 회전 장애도 아미노 양성자의 화학적 이동의 행동과 유사하게 $E_T(30)$과 밀접한 관계가 있음을 알았다.

• Radiation Oncology Journal
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• 제9권2호
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• pp.337-342
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• 1991

방사선 선량의 표준측정법 (한국의학 물리학회 1990) 및 TG-21, $C_{\lambda}/C_E$ 방법을 비교 연구하였다. 방사선 치료에서 사용되는 광자선과(4MV-l5MV) 전자선(6MeV-20MeV)을 세 종류의 전리함으로 물팬틈속에서 측정, 평가한 결과를 비교하였다. TG-21과 방사선 선량의 표준 측정법 비교에서는1$\%$ 이내의 작은 차이만을 보여주었으며 그 차이는 주로 $N_{D}-N_{gas}$ 차이에서 나오는 것으로 평가되었다. 그러나 $C_{\lambda}/C_E$ 방법과의 비교에서는 광자선의 경우 $-1.9{\pm}0.6\%$ (방사선 선량의 표준 측정에 의한 결과가 높게 나옴) 전자선의 경우 $3.3{\pm}1\%$(방사선 선량의 표준측정법에 의한 결과가 낮게 나옴)의 차이를 보였다.

• 한국자기학회지
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• 제17권4호
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• pp.166-171
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• 2007

단결정 Bi단일 나노선의 정상 자기 저항(ordinary magnetoresistance) 특성을 $2{\sim}300K$에서 4 단자법으로 측정하였다. I-V 측정을 통해 전기적 오믹 형성을 확인하였고, 2 K과 300 K에서 비저항이 각각 $1.0{\times}10^{-4}$와 $8.2{\times}10^{-5}{\Omega}{\cdot}cm$으로 측정되었다. 수직(transverse) 및 수평(longitudinal) 자기저항비(MR ratio)가 110 K와 2 K에서 각각 현재까지 보고된 MR 중 가장 큰 2496%와 -38%으로 관찰되었으며, 이 결과는 자발 성장법으로 성장된 Bi 나노선의 결정성이 매우 우수한 단결정임을 증명한다. simple two band(STB) 모델을 통해 Bi 나노선의 수직 및 수평 정상 자기 저항(OMR) 거동이 온도에 따른 페르미 준위(Fermi level)와 밴드 겹침(band overlap)등의 전자 구조 변화 및 운반자 농도 변화로 잘 설명된다.

• 한국자기학회지
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• 제10권2호
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• pp.49-52
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• 2000

비정질 F $e_{81}$ $B_{13.5}$S $i_{3.5}$ $C_2$리본에서 중성자 조사 후 X-선 회절, 상온에서의 자기이력곡선, 자화의 온도의존성 그리고 복소 투자율 측정하고, 결함에 의한 자기 특성과 관련하여 분석하였다. 중성자 조사량은 열 중성자( $n_{th}$)와 고속 중성자( $n_{f}$)가 각각 6.95$\times$$10^{18}$ $n_{th}$$cm^{-2}$ 과 4.56$\times$$10^{16}$ $n_{f}$$cm^{-2}$ 이었다. 중성자 조사된 시료의 X-선 회절상의 변화는 보이지 않았다. 중성자 조사 후, 복소 투자율의 자기이완특성에서 자벽운동에 의한 부분은 감소하였고, 자화회전에 의한 자기이완 주파수는 좀더 높은 주파수 영역으로 이동하였는데 , 이는 pinning력이 증가된 것을 반영한다. 자기이력곡선에서는 중성자 조사 후의 시료의 softness는 좋아지는 한편 포화자화값은 감소되는 것을 볼 수 있었으며, Curie 온도가 감소하는 결과가 나왔다. 자기 softness 향상은 자화회전에 의한 것이라 여겨진다.다.다.다.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• 제15권1호
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• pp.101-110
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• 1998

32Cyg의 B형 별 주위에 형성된 $str{\"{o}}mgren$ 구를 가정하고 공전궤도위상 0.06과 0.78에서 이론적인 선 윤곽을 계산하였다. 항성 풍의 속도분포에 따라 alfv n 파 모형의 선윤곽이 누승 함수의 속도 분포를 이용한 모형의 선 윤곽 보다 전체적으로 낮은 세기를 보였다. HII 모형은 HII 영역이 없는 경우보다 약한 선 윤곽을 보였으나 $\phi$ = 0.06에서는 HII 영역이 없는 모형이 HII 영역을 가진 모형에 비해 단지 적색편이 쪽에서만 약간의 차이를 보였다. 한편 $\phi$ = 0.79에서 HII 영역을 가진 $Alfv{\'{e}}n$ 파 모형의 선 윤곽은 적색편이와 청색 편이 쪽에서 각각 다른 속도기울기의 누승 함수 모형으로써 나타낼 수 있었다. 이는 급격한 초기 속도 기울기를 고려하여 2개의 가속영역을 가진 누승 함수 모형이라면 항성 풍의 가속과정을 고려하지 않음으로써 생기는 오차를 줄일 수 있음을 의미한다.의미한다.