• 전력전자학회논문지
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• 제17권2호
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• pp.142-149
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• 2012

The independently regulated dual-output LLC resonant converter using only one power stage and one control IC is proposed in this paper. The conventional dual-output LLC resonant converter requires the extra non-isolated DC/DC converter to obtain the tightly regulated slave output voltage, which results in the low power conversion efficiency and high production costs. On the other hand, since the proposed converter controls the master and slave output voltages by pulse width modulation(PWM) and pulse frequency modulation(PFM), it can achieve tightly regulated dual output voltages without the additional non-isolated DC/DC converter. Therefore, it features a high efficiency and low cost. To confirm the validity of the proposed converter, theoretical analysis and experimental results from a 40W LED driver prototype are presented.

• Journal of Information Processing Systems
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• 제13권5호
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• pp.1071-1088
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• 2017

For dual-hop multiple-input multiple-output (MIMO) decode-and-forward relaying systems, we propose a selective relaying scheme that uses orthogonal space-time block code (OSTBC) and transmit antenna selection with maximal-ratio combining (TAS/MRC) or vice versa at the first and second hops, respectively. The aim is to achieve an asymptotically identical performance to the dual-hop relaying system with only TAS/MRC, while requiring lower feedback overhead. In particular, we give the selection criteria based on the antenna configurations and the average channel powers for the first and second hops, assuming Rayleigh fading channels. Also, the numerical results are shown for the outage performance comparison between the dual-hop DF relaying systems with the proposed scheme, only TAS/MRC, and only OSTBC.

• Journal of Ship and Ocean Technology
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• 제6권2호
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• pp.12-22
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• 2002

Offshore pipelines play an important role in the transportation of gas, oil, water and oil products. It is common to have a group of pipelines in the oil and gas field. To reduce the installation cost and time, dual pipelines are designed. There are great advantages in the installation of dual pipelines over two separate single lines. It can greatly reduce the cost for trench, back-filling and installation. However the installation of dual pipelines often requires technical challenges. Pipelines should be placed to be stable against external loadings during installation and design life period. Dual pipelines in trench can reduce the influence of external forces. To investigate the flow patterns and forces as trench depth and slope changes, number of experiments are conducted with PIV(Particle Image Velocimetry) equipment in a Circulating Water Channel. Numerical approaches to simulate experimental conditions are also made to compare with experimental results. The velocity fields around dual pipelines in trench are investigated and analysed. Comparison of both results show similar patterns of flow around pipelines. It is proved that the trench depth contributes significantly on hydrodynamic stability. The trench slope also affects the pipeline stability. The results can be applied in the stability design of dual pipelines in trench section. The complex flow patterns can be effectively linked in the understanding of fluid motions around multi-circular bodies in trench.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권5호
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• pp.907-915
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• 2003

유선 통신환경과 비교해서 무선 자원이 부족한 무선 환경에서는 매우 효율적인 패킷 전송 방식이 필요하다. 일반적으로는 이중 모드 패킷 전송 방식이 널리 사용된다. 스위칭 기준에 따라서, 패킷은 전용채널이 할당되거나 또는 공통의 채널을 통해서 전송된다. 일반적인 기준은 패킷의 길이와 생성 주파수이다. 즉 크고 발생 빈도가 높은 패킷은 전용 채널을 통해서 전송되고 작고 발생빈도가 낮은 패킷은 공통 채널을 통해서 전송된다. 이중 모드 패킷 전송 방식의 성능은 스위칭 기준과 밀접한 관련이 있다. 그렇지만 최적의 스위칭 포인트를 찾는 것은 매우 힘드는데 스위칭 포인트가 고정되어 있는 것이 아니라 트래픽 부하와 생성된 패킷의 길이와 채널의 수와 같은 환경에 따라 변동하기 때문이다. 본 논문에서는 동적 스위칭 임계점(dynamic switching threshold)을 이용하는 이중 모드 패킷 전송 방식을 위한 새로운 기법을 제안한다. 이 방식에서는 스위칭 임계값이 네트워크 환경에 따라서 변동한다. 제안한 방식의 성능은 시뮬레이션을 통해 분석하였다. 시뮬레이션 결과는 기존의 이중 모드 패킷 전송 방식과는 달리 제안한 방식의 성능이 네트워크 환경의 영향을 그다지 받지 않음을 보여준다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권8호
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• pp.67-75
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• 2013

OFDM (Orthogonal Frequency Division Multiplexing) 전송방식의 장점은 높은 주파수 효율, RF 간섭에 대한 강인성, 낮은 다중경로 왜곡 등을 들 수 있다. 다중 사용자 OFDM의 채널용량을 확대하기 위해서는 사용자간의 부채널과 비트할당을 위한 효율적인 알고리즘을 개발하여야 한다. 본 연구에서는 다중 사용자 OFDM 시스템에서 총전송전력을 최소화하는 부채널 및 비트 할당을 위한 0-1 정수계획법문제의 선형계획법 dual 문제의 특성을 기존의 볼록최적화기법 접근법과 비교하고 선형계획법 dual 해를 이용한 primal 휴리스틱 알고리즘을 제안한다. MQAM (M-ary Quadrature Amplitude Modulation)을 사용하고 3개의 독립적인 Rayleigh 다중 경로로 구성된 주파수 선택적 채널을 가정한 경우 MATLAB을 사용한 모의실험에서 제안된 휴리스틱 해의 성능을 기존의 MAO, ESA 휴리스틱 해 및 정수계획법 최적해와 성능을 비교하였다.

• 한국산업정보학회논문지
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• 제16권5호
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• pp.31-35
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• 2011

본 논문에서는 소형화된 듀얼 주파수 FM 송신기의 개발과 현장에서의 실험 결과를 보여주고 있다. 개발된 시스템의 크기는 2.6 cm ${\times}$ 2.6 cm ${\times}$ 2.6 cm 이다. 사용주파수는 88.1 MHz 과 88.3 MHz를 사용하였다. 시스템의 동작 전원은 3.7 V로 전원 공급은 한번 충전에 7시간 사용할 수 있는 내장 밧데리를 사용하였다. 전송 주파수의 채널 분리도는 40dB이다. 현장에서의 실험 결과 3m 이내의 공간에서 전파 특성이 안정적이며 이는 개발 제품이 원하는 사용 범위에 속한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.215.2-215.2
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• 2015

We fabricated dual active layer (DAL) thin film transistors (TFTs) with indium tin zinc oxide (ITZO) and indium gallium zinc oxide (IGZO) thin film layers using solution process. The ITZO and IGZO layer were used as the front and back channel, respectively. In order to investigate the bias stress stability of ITZO SAL (single active layer) and ITZO/IGZO DAL TFT, a gate bias stress of 10 V was applied for 1500 s under the dark condition. The SAL TFT composed of ITZO layer shows a poor positive bias stability of ${\delta}VTH$ of 13.7 V, whereas ${\delta}VTH$ of ITZO/IGZO DAL TFT was very small as 2.6 V. In order to find out the evidence of improved bias stress stability, we calculated the total trap density NT near the channel/gate insulator interface. The calculated NT of DAL and SAL TFT were $4.59{\times}10^{11}$ and $2.03{\times}10^{11}cm^{-2}$, respectively. The reason for improved bias stress stability is due to the reduction of defect sites such as pin-hole and pores in the active layer.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제7권2호
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• pp.110-119
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• 2007

A new two-dimensional analytical model for dual-material double-gate fully-depleted SOI MOSFET with Pearson-IV type Doping Distribution is presented. An investigation of electrical MOSFET parameters i.e. drain current, transconductance, channel resistance and device capacitance in DM DG FD SOI MOSFET is carried out with Pearson-IV type doping distribution as it is essential to establish proper profiles to get the optimum performance of the device. These parameters are categorically derived keeping view of potential at the center (${\phi}_c$) of the double gate SOI MOSFET as it is more sensitive than the potential at the surface (${\phi}_s$). The proposed structure is such that the work function of the gate material (both sides) near the source is higher than the one near the drain. This work demonstrates the benefits of high performance proposed structure over their single material gate counterparts. The results predicted by the model are compared with those obtained by 2D device simulator ATLAS to verify the accuracy of the proposed model.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제18권5호
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• pp.755-760
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• 2023

본 논문에서는 기존 2.4GHz 대역을 이용한 무선 AV 감시시스템의 신뢰성과 안정성을 확보하기 위해서 2.4/5GHz 이중대역을 사용하였다. 제안된 시스템은 타신호(Wifi, Bluetooth 등)로부터 간섭을 회피하기 위해 동적 채널할당 및 채널 변경기술을 지원하고, 무선 CCTV 구축시 발생되는 유지 보수 비용을 절감 시키며 기존 유선 CCTV와 연동 가능해져 CCTV를 이용한 A/V 감시시스템의 서비스 영역을 확대할 수 있다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제48권7호
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• pp.530-532
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• 1999

A new lateral device entitled SB-DCEST(segmented p-base dual-channel emitter switched thyristor), which suppresses the snapback is proposed and successfully fabricated. The proposed device effectively suppressed the snapback phenomenon by employing the gigh resistance in self-aligned segmented p-base when compared with the conventional DCEST. The experimental results show that the SB-DCEST has the low forward voltage drop of 4.3 V at anode current of $150 A/cm^2$ with the eliminated snap-back regime, while conventional DCEST exhibits higher forward voltage drop of 5.3 V.