This paper proposes a capacitance estimation method of the dc-link capacitor for brushless DC motor (BLDCM) drive systems. In order to estimate the dc-link capacitance, the BLDCM is operated in quadrant-II or -IV among four-quadrant operation. Quadrant-II and -IV are called reverse braking and forward braking, respectively. During the braking operation of the BLDCM, the capacitor is charged by the phase current and then the voltage is increased during the braking operation time. The capacitor current and voltage can be obtained by using the phase current sensor of BLDCM and the dc-link voltage sensor. The capacitance and be easily obtained by the voltage equation of the capacitor. The proposed method guarantees the reliable and simple calculation of the dc-link capacitance without additional hardware system except several the sensors already installed for the motor control system. The effectiveness of the proposed method is verified through both the simulation and experimental results.
For open-end permanent magnet synchronous machine(PMSM) with dual inverter system, where one inverter is connected to the source and the other is flying, the dc link voltage of the flying inverter can be boosted through the machine. For this reason, when compared with single inverter drive system, higher voltage can be applied to PMSM, and higher torque can be generated in the flux weakening region. In this case, however, active and reactive powers are separately supplied by each inverter to maintain the dc link voltage of flying inverter. Therefore, the required flux weakening control is different from the conventional method for a single inverter drive system. This paper proposes the novel flux weakening control method which maximizes the active voltage component in a dual inverter PMSM drive system. The proposed method was demonstrated and verified through experimental results.
This paper presents the design of a new turn-off gate drive circuit for GTO which can accomplish faster turn-off switching. The major disadvantage of the conventional turn-off gate drive technique is that it has a difficulty in realizing high negative diS1GQT/dt because of VS1RGM(maximum reverse gate voltage) and stray inductances of turn-off gate drive circuit[1~2]. The new trun-off gate drive technique can overcome this problem by adding another turn-off gate drive circuit to the conventional turn-off gate drive circuit. Simulation and experimental results of the new turn-off gate drive circuit in conjunction with chopper circuit verify a faster turn-off switching performance.
The switched reluctance motor(SRM) drive system provides a good adjustable speed characteristics. However higher torque ripple are one of the few disadvantages of the SRM drives. The SRM would have to operated with an MMF waveform specified for switching angle and phase voltage. This paper proposes control modelling method using ANN(Artificial Neural Network) and GA(Genetic Algorithm) that are used to control switch-on angles and input voltage.
In this paper, a performance evaluation of different current regulators for induction motor drive systems fed by IGBT inverter is presented. The twoparts of current regulation are considered : current error compensation part, voltage modulation part. The characteristics of hysteresis, synchronous PI, decoupled PI, predictive, deadbeat and stage feedback controllers are analyzed and the steady-state performances and transient responses of current regulation are well compared through the simulation and experimental results.
전력전자학회 2001년도 Proceedings ICPE 01 2001 International Conference on Power Electronics
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pp.713-717
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2001
This paper focuses on a network model for GCTs which can be used to investigate high power circuits with or without using RC-snubbers. The series connection of GCTs is commonly applied in the high power inverter field. Here expensive and space-consuming snubbers are applied, to overcome the problem of an asymmetric distribution of the blocking voltage among the single GCTs. As an alternative to large snubbers, a new active gate drive concept is proposed and investigated by simulation.
Today we have excellent motor drive system using high frequency carrier PWM control voltage source inverter in the other hand, we have met serious problems caused by high frequency switching. PWM Cyclo-converter called Matrix converter is expected as the new strategy Possible to improve these problems and add some more convenient features suitable for new drive system. in this Paper, we will introduce the background, features and outline of this converter, and additionally introduce some remarkable activity on this converter
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제10권3호
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pp.240-250
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2010
Double Gate MOSFETs (DG MOSFETs) with doping in one or two thin layers of an otherwise intrinsic channel are simulated to obtain the transport characteristics, threshold voltage and leakage current. Two different device structures- one with doping on two layers near the top and bottom oxide layers and another with doping on a single layer at the centre- are simulated and the variation of device parameters with a change in doping concentration and doping layer thickness is studied. It is observed that an n-doped layer in the channel reduces the threshold voltage and increases the drive current, when compared with a device of undoped channel. The reduction in the threshold voltage and increase in the drain current are found to increase with the thickness and the level of doping of the layer. The leakage current is larger than that of an undoped channel, but less than that of a uniformly doped channel. For a channel with p-doped layer, the threshold voltage increases with the level of doping and the thickness of the layer, accompanied with a reduction in drain current. The devices with doped middle layers and doped gate layers show almost identical behavior, apart from the slight difference in the drive current. The doping level and the thickness of the layers can be used as a tool to adjust the threshold voltage of the device indicating the possibility of easy fabrication of ICs having FETs of different threshold voltages, and the rest of the channel, being intrinsic having high mobility, serves to maintain high drive current in comparison with a fully doped channel.
Talib, Md Hairul Nizam;Ibrahim, Zulkifilie;Rahim, Nasrudin Abd.;Abu Hasim, Ahmad Shukri
Journal of Power Electronics
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제14권1호
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pp.115-124
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2014
This paper presents the implementation of two-arm modulation (TAM) technique for the independent control of a two-induction motor drive fed by a five-leg inverter (FLI). A carrier-based space vector pulse width modulation technique for TAM is proposed to generate switching signals for FLI. Two independent three-phase space vector modulators are utilized to control two motors. The motor drive system applies two separate indirect field-oriented control methods. The stationary voltage outputs from the vector control are synthesized in the three-phase space vector modulator to generate switching signals for FLI. The performance of the independent control of the motors and the voltage utilization factor are likewise analyzed. Simulation and experimental results verify the effectiveness of the proposed method for the independent control of the two-motor drive system. The proposed technique is successfully validated by dSPACE DS1103 experimental work.
This paper represents a ultra precision rotational device where the smooth impact drive mechanism(SIDM) is utilized as a driving mechanism. Linear motions of piezoelectric elements are converted to the rotational motion of disk by frictional forces generated between the rotational disk and the friction bars which are attached to the piezoelectric elements. This device was designed to drive a rotational disk using slip-slip motion mechanism based on stick-slip motion mechanism. Experimental results show that the angular velocity was increased in proportion to the magnitude of supplied voltage to piezoelectric element. In our device, the smooth rotational motion was obtained when the driving frequency has been reached to 500Hz under the driving voltage of 100V. The amount of step movement has been revealed to be $3.44{\times}10^{-4}$ radian.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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