• 한국통신학회논문지
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• 제28권7A호
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• pp.451-466
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• 2003

Untethered nodes in mobile ad-hoc networks strongly depend on the efficient use of their batteries. In this paper, we propose a new metric, the drain rate, to forecast the lifetime of nodes according to current traffic conditions. This metric is combined with the value of the remaining battery capacity to determine which nodes can be part of an active route. We describe new route selection mechanisms for MANET routing protocols, which we call the Minimum Drain Rate (MDR) and the Conditional Minimum Drain Rate (CMDR). MDR extends nodal battery life and the duration of paths, while CMDR also minimizes the total transmission power consumed per packet. Using the ns-2 simulator and the dynamic source routing (DSR) protocol, we compare MDR and CMDR against prior proposals for power-aware routing and show that using the drain rate for power-aware route selection offers superior performance results.

• 한국지반공학회:학술대회논문집
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• 한국지반공학회 2000년도 토목섬유 특별세미나
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• pp.9-16
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• 2000

Applicability of the cross shaped drain in a soft clay ground is examined using the laboratory discharge capacity test, column consolidation test and 3-D numerical flow analysis. The equivalent diameter of the tested drains is back-calculated from the laboratory experiment and compared with those calculated from the formula suggested in the literature. The effective range of the cross shaped drain about the discharge capacity and coefficient of permeability is analyzed. The results of numerical analysis show that the cross shaped drain which has a cross-sectional area twice of the band shaped drain can reduce the consolidation time by 30% from that for the band shaped drain in a soft clay ground that K is over 1${\times}$10$\^$-7/cm/sec

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1357-1359
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• 2001

0.2${\mu}m$ 이하의 최소 선폭을 가지는 소자를 구현할 때 drain induced barrier lowering (DIBL)이나 hot electron effect와 같은 short channel effect (SCE)가 나타나며 이로 인하여 소자의 신뢰성이 악화되기도 한다. 이를 개선하기 위한 방법 중 하나가 silicon selective epitaxial growth (SEG)를 이용한 elevated source/drain (ESD) 구조이다. 본 연 구에서는 silicon selective epitaxial growth를 이용하여 elevated source/drain 구조를 갖는 MOSFET 소자와 일반적인 MOSFET 구조를 갖는 소자와의 차이를 elevated source/drain의 높이 변화에 따른 전류 전압 특성을 이용하여 비교, 분석하였으며 그 결과 elevated source/drain 구조가 short channel effect를 감소시킴을 확인할 수 있었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.779-782
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• 2003

The theoretical and experimental current-voltage characteristics of Erbium silicided n-type Schottky barrier tunneling transistors (SBTTs) are discussed. The theoretical drain current to drain voltage characteristics show good correspondence and the extracted Schottky barrier height is 0.24 eV. The experimentally manufactured n-type SBTTs with 60 nm gate lengths show typical transistor behaviors in drain current to drain voltage characteristics. The drain current on/off ratio is about 10$^{5}$ at low drain voltage regime in drain current to gate voltage characteristics.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권9호
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• pp.38-45
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• 1993

In this study, the degradation characteristics of drain output resis-tance was described due to hot electron effects. An semi-empirical model for the degraded drain output resistance was derived from the measured device characteristics. The suggested model was verified from the measured data and the device parameter dependence was also analyzed. The degradation of drain output resistance was increased with stress time and had linear relationship with the degradation of drain current. The device lifetime which was defined by failure criteria of drain output resistance (such as $\Delta$ro/roo=5%) was equivalent to that of failure criteria of drain current (such as $\Delta$ID/ID=5%)

• 한국산업융합학회 논문집
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• 제7권1호
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• pp.83-89
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• 2004

The analysis about consolidation characteristic in soft clay has been depending one-dimension consolidation analysis. but, drain and undrain zone are explicated as homogeneous by consolidation behavior following consoli- dated settlementsoft in soft clay. 1) Established sand drain in soft clay in many types, and measured water content, unconfined compression strength, vertical stress, horizontal stress, vertical settlement, pore water pressure. 2) Arranged the result from the test and numerically explicated effective stress, total stress, and effective stress path at the drain and undrain zone. 3) We also analyzed and comparied elastic and elastic-plastic in soft clay using measured data. The result analyzed does not approach to a special theory, but, it is well in accord with the result of other investigator's study in the same condition.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.271-272
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• 2007

Displacement current $(I_{dis})$ and drain-to-source current $(I_{DS})$ are evaluated using the simultaneous measurements of source $(I_S)$ and drain $(I_D)$ currents during the application of a constant drain voltage and a triangular-wave gate voltage $(V_{GS})$ to top-contact pentacene thin-film transistors.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.232.2-232.2
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• 2013

본 연구에서는 asymmetric과 symmetric MOSFET 소자의 drain breakdown 및 snapback 특성을 분석하였다. 실험에서는 두 MOSFET 소자의 동작 영역에서 게이트와 드레인에 각각 전압을 인가하였다. 드레인 전류-전압 곡선으로 부터 drain breakdown 전압과 snapback 전압을 추출하였다. 결과 avalanche breakdown 발생 전의 드레인 전류는 asymmetric 구조의 경우 더 작은 값을 보였으며 이는 asymmetric 구조에서의 drain field 가 더 낮기 때문이다. 따라서 impact ionization은 asymmetric 구조에서 덜 발생하며, snapback 전압은 avalanche breakdown voltage가 작은 asymmetric 구조에서 크게 나타났다.

• 한국관개배수논문집
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• 제5권2호
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• pp.20-32
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• 1998

In the present study, 2-D consolidation theory of the dredged clay by means of horizontal drain method is proposed. The horizontal drain method to install the drains such as plastic drain board within the dredged clay is a soil improvement method to accel

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.310-310
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• 2013

본 연구에서는 Titanium (Ti) source/drain 전극 접합이 차세대 비정질 InGaZnO (IGZO) 기반 박막형 트랜지스터에 미치는 영향을 화학적, 구조적, 전기적 특성 분석을 통하여 관찰하고 Ti/IGZO 접합 특성을 설명할 수 있는 메커니즘을 제시하였다. IGZO 기반 박막형 트랜지스터 소자의 구동 특성은 transmission line method (TLM) 패턴 공정을 이용하여 정량적으로 분석되었다. 비정질 IGZO 기반의 박막형 트랜지스터에서 Ti source/drain 전극 접합에 의한 구동 특성 변화 및 영향을 확인하기 위하여 금속/산화물 계면 반응성이 낮은 silver (Ag) source/drain 전극이 reference로 비교되었으며, 그 결과 Ti source/drain 전극 접합이 적용된 비정질 IGZO 트랜지스터의 경우 Ti 금속과 IGZO 산화물 계면에 형성되는 열역학적으로 안정한 $TiO_x$ 층의 형성에 의해 VT ($-{\Delta}0.52V$) shift 및 saturation mobility ($8.48cm^2$/Vs) 상승됨을 확인하였다. 뿐만 아니라 TLM 패턴을 이용한 IGZO 트랜지스터의 전기적 변수 도출 및 수치적 해석으로부터 $TiO_x$ 계면층 형성이 Ti 금속과 비정질 InGaZnO 계면에서의 effective contact resistivity를 효과적으로 낮출 수 있음을 확인하였다. Ti source/drain 전극 접합에 의해 발생되는 $TiO_x$ 계면층의 화학적, 구조적 특성과 $TiO_x$ 계면층 생성에 의한 소자 특성 변화를 연관시켜 해석함으로써, IGZO 기반 박막형 트랜지스터에서의 Ti source/drain 전극 접합이 비정질 IGZO 기반 박막형 트랜지스터에 미치는 영향을 설명하였다.