Laser-induced thermochemical etching has been recognized as a new powerful method for processing a variety of materials, including metals, semiconductors, ceramics, insulators and polymers. This study presents characteristics of direct etching for Si substrate using focused argon ion laser beam in aqueous KOH and $CCl_2F_2$ gas. In order to determine process conditions, we first theoretically investigated the temperature characteristics induced by a CW laser beam with a gaussian intensity distribution on a silicon surface. Major process parameters are laser beam power, beam scan speed and reaction material. We have achieved a very high etch rate up to $434.7\mum/sec$ and a high aspect ratio of about 6. Potential applications of this laser beam etching include prototyping of micro-structures of MEMS(micro electro mechanical systems), repair of devices, and isolation of opto-electric devices.
Micro-conductive patterns were microfabricated on an insulating substrate ($SiO_2$) surface by a selective electroless nickel plating process in order to investigate the formation of seed layers. To fabricate micro-conductive patterns, a thin layer of metal (Cu.Cr) was deposited in the desired micropattern using laser-induced forward transfer (LIFT). and above this layer, a second layer was plated by selective electroless plating. The LIFT process. which was carried out in multi-scan mode, was used to fabricate micro-conductive patterns via electroless nickel plating. This method helps to improve the deposition process for forming seed patterns on the insulating substrate surface and the electrical conductivity of the resulting patterns. This study analyzes the effect of seed pattern formation by LIFT and key parameters in electroless nickel plating during micro-conductive pattern fabrication. The effects of the process variables on the cross-sectional shape and surface quality of the deposited patterns are examined using field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and an optical microscope.
In the present work, Inconel 718 alloy is additively manufactured on the Ti-6Al-4V alloy, and a functionally graded material is built between Inconel 718 and Ti-6Al-4V alloys. The vanadium interlayer is applied to prevent the formation of detrimental intermetallic compounds between Ti-6Al-4V and Inconel 718 by direct joining. The additive manufacturing of Inconel 718 alloy is performed by changing the laser power and scan speed. The microstructures of the joint interface are characterized by scanning electron microscopy, energy-dispersive X-ray spectroscopy, and micro X-ray diffraction. Additive manufacturing is successfully performed by changing the energy input. The micro Vickers hardness of the additive manufactured Inconel 718 dramatically increased owing to the presence of the Cr-oxide phase, which is formed by the difference in energy input.
본 연구에서는 실리콘 웨이퍼의 고속 직접접합 공정을 위하여 상압 플라즈마와 함께 에어로젤 형태의 초순수 분사를 이용하여 표면처리 활성화 및 결함이 없는 실리콘 직접접합 공정을 개발하였다. 플라즈마 공정의 다양한 인자, 즉 $N_2$ 가스의 유량, CDA(clean dry air)의 유량, 플라즈마 헤드와 기판 간의 간격, 플라즈마의 인가전압이 플라즈마 활성화, 즉 친수화 처리에 미치는 영향을 접촉각 측정을 통하여 관찰하였다. 또한 열처리 온도 및 열처리 시간이 접합 강도에 미치는 영향을 연구하였으며, 접합 강도의 측정은 crack opening 방법을 이용하였다. 접합 강도가 제일 높은 최적의 열처리 조건은 $400^{\circ}C$의 열처리 온도 및 2 시간의 열처리 시간이었다. 플라즈마 스캔 속도 및 스캔 횟수를 실험계획법을 이용하여 최적화한 결과, 스캔 속도는 30 mm/sec, 스캔 횟수는 4 회에서 최적의 접합 강도를 나타내고 있었다. 열처리 조건과 플라즈마 활성화 조건을 최적화 한 후 직접접합을 하여 적외선투과현미경 등을 이용하여 관찰한 결과, 접합된 웨이퍼에서 접합 공정으로 인한 공극이나 결함은 관찰되지 않았다. 접합된 웨이퍼의 접합 강도는 평균 $2.3J/m^2$의 접합 강도를 나타내고 있었다.
Direct bonded SOI wafer pairs with $Si ll SiO_2/Si_3N_4 ll Si$ the heterogeneous insulating layers of SiO$_2$-Si$_3$N$_4$are able to apply to the micropumps and MEMS applications. Direct bonding should be executed at low temperature to avoid the warpage of the wafer pairs and inter-diffusion of materials at the interface. 10 cm diameter 2000 ${\AA}-SiO_2/Si(100}$ and 560 $\AA$- ${\AA}-Si_3N_4/Si(100}$ wafers were prepared, and wet cleaned to activate the surface as hydrophilic and hydrophobic states, respectively. Cleaned wafers were pre- mated with facing the mirror planes by a specially designed aligner in class-100 clean room immediately. We employed a heat treatment equipment so called fast linear annealing(FLA) with a halogen lamp to enhance the bonding of pre mated wafers We kept the scan velocity of 0.08 mm/sec, which implied bonding process time of 125 sec/wafer pairs, by varying the heat input at the range of 320~550 W. We measured the bonding area by using the infrared camera and the bonding strength by the razor blade clack opening method, respective1y. It was confirmed that the bonding area was between 80% and to 95% as FLA heat input increased. The bonding strength became the equal of $1000^{\circ}C$ heat treated $Si ll SiO_2/Si_3N_4 ll Si$ pair by an electric furnace. Bonding strength increased to 2500 mJ/$\textrm{m}^2$as heat input increased, which is identical value of annealing at $1000^{\circ}C$-2 hr with an electric furnace. Our results implies that we obtained the enough bonding strength using the FLA, in less process time of 125 seconds and at lowed annealing temperature of $400^{\circ}C$, comparing with the conventional electric furnace annealing.
본 논문에서는 500kg급 중형위성에 탑재를 목표로 개발한 C-밴드 영상 레이다용 파형발생수신모듈의 설계, 제작 및 시험 결과를 제시한다. 파형발생수신모듈은 약 500km의 고도에서 해상도 10m 기준 120km의 관측 폭을 만족할 수 있도록 50MHz 대역의 2개 주파수를 동시 운용하는 이중주파수 스캔 방식을 적용할 수 있도록 설계하였다. 제작된 파형발생수신모듈은 우주환경을 고려하여 방사성 내성이 고려된 RTG4 FPGA를 적용하였으며, 병렬 직접합성방식(PDDS)을 적용하여 메모리 맵 방식 대비 작은 메모리 용량으로 첩 신호를 생성할 수 있도록 구현하였다. 시험결과 주파수 순도가 높은 첩 파형을 안정적으로 생성하였으며, 수신 신호에 대해 디지털 하향 변환 후 확인 결과 목표한 IRF (Impulse Response Function) 성능을 확인할 수 있었다.
플레이어의 움직임을 직접 반영하는 체감형 게임은 키보드와 마우스를 사용하는 일반적인 컴퓨터 게임에서 느낄 수 없는 실감난 조작법과 몰입감을 제공한다. 우리는 플레이어에게 기존의 게임과 다른 재미를 주기 위해 사용자의 스윙이 반영되는 체감형 탁구게임을 제작했다. 이 때, 사용자가 휘두르는 실제 라켓을 가상 공간으로 옮겨서 가상 공간의 공을 칠 수 있게 하기 위해서는 실세계 탁구라켓의 공간정보를 가상세계 공간에 맵핑 해야 한다. 한 대의 카메라를 사용하는 환경에서 오브젝트 추출이나 색깔정보만으로는 체감형 탁구게임에서 요구하는 정확한 공간 정보를 얻을 수 없다. 그래서 Augmented Reality (AR) 기술을 게임 개발에 사용했다. 그리고 시스템이 플레이어의 간단한 제스처를 인식해서 게임에서 필요한 부과적인 입력처리를 가능하도록 했고, 빠르고 간단하게 사용자의 제스처를 인식하기 위해서 스캔라인 방식을 사용했다. 본 논문은 비전기반의 AR과 제스처 인식을 사용하는 실감형 탁구게임을 제안한다.
The objective of this study is to develop a sizing system of fitness clothing that can properly accommodate various body sizes of Korean senior women. The sizing system of upper and lower fitness clothing was developed in the present study by selection of key variables, identification of size category candidates, and determination of an optimal sizing system. First, key anthropometric dimensions (stature and bust circumference for upper clothing and stature; waist circumference for lower clothing) were identified by factor analysis on the direct body measurements (n = 272) and 3D whole-body scan data (n = 271) of Korean senior women in Size Korea. Second, sizing system candidates based on the key dimensions of upper and lower clothing were explored using a grid method and an optimization method. Lastly, among the sizing system candidates, optimal sizing systems of upper and lower clothing were selected in terms of accommodation rate. Five size categories (short/small, short/medium, tall/small, tall/medium, and tall/large) were selected as the optimal sizing systems of upper and lower clothing with 89% and 78% of accommodation rate, respectively, for the Korean senior women. The anthropometric characteristics of the representative humans of the optimal size categories would be of use in the design of fitness compressive wear for the better fit and effectiveness of exercise and health of Korean senior women.
Nd:YAG Laser를 이용하여 polyimide film에 탄화(carbonization)를 진행하여 Carbon을 생성하여 저가의 센서를 간단한 제조과정으로 만들었다. 이를 통하여 유연한 저가형 압저항 센서의 특성에 관한 연구를 수행하였다. 기존에 많은 연구들이 Polyimide에 $10.6{\mu}m$의 파장을 가지는 $CO_2$ laser를 이용하여 carbonization을 하여 센서를 제작하였다. 본 논문에서는 polyimide film에 $1.064{\mu}m$의 파장을 가지는Nd:YAG laser를 이용하여 carbonization(탄화공정)을 진행하였다. 또한 Nd:YAG laser를 사용하여 polyimide film위에 직접 탄화시키며 carbon을 생성하는 최적의 전력밀도($W/cm^2$)과 속도(scan rate) 조건 조합을 찾아 해상도를 높였다. $CO_2$ laser를 사용하였던 기존의 선행연구에서는 carbon생성의 최소 선폭이 $140{\sim}220{\mu}m$의 길이를 가졌지만, 본 연구에서는 카본의 생성되는 선폭이 $35{\sim}40{\mu}m$으로 축소시켰다. 이번 연구에서 제작된 센서의 초기 면저항은 $100{\sim}300{\Omega}/{\square}$ 이였다. 곡률 반경 21 R 로 인장을 하였을 때 저항이 30% 줄어들었고, 이를 통하여 계산된 게이지 팩터는 56.6이였다. 본 연구는 압저항 센서를 제조하기 위한 단순하고, 매우 유연하고 저렴한 공정을 제공한다.
Calvarial bone grafting in craniomaxillofacial trauma and facial reconstructive surgery is now widely recognized and accepted as a standard procedure. One of the commonly reported problems of calvarial bone graft is the contour defect caused by partial resorption of the graft. But, there are few reports that discuss the fate of the calvarial bone graft based on the quantitative data. In this article, the changes of grafted calvarial bone were evaluated using 3-dimensional computed tomography(CT). 9 patients were observed with the CT scans at 2mm thickness immediately after operation and at the time of last follow-up. The area of the bone defect was segmented on the 3-dimensional CT image and calculated by AnalyzeDirect 5.0 software. The immediate postoperative bone defect area of the recipient site and the donor site were $612.9mm^2$ and $441.5mm^2$, respectively, which became $1028.1mm^2$ and $268.8mm^2$, respectively at the last follow-up. In conclusion, the bone defect area was less increased on the donor site of calvarial bone graft than on the recipient site. And the CT scan is a valuable imaging method to assess and follow-up the clinical outcome of calvarial bone grafting.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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