• 한국광학회지
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• 제20권5호
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• pp.276-280
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• 2009

Cr:YAG 결정을 포화흡수체로 사용하여 수동형 Q-스위치시킨 다이오드 레이저 여기 Nd:$YVO_4$ 레이저를 제작하였다. Cr:YAG 결정의 한 면에 여기 빛 파장(808 nm)에 대해 고반사 코팅을 한 후, Nd:$YVO_4$ 결정과 접촉시켜 공진기를 구성하였다. Cr:YAG의 한 면에 여기 다이오드 레이저를 반사시키는 코팅을 입혀 공진기의 광변환 효율을 높임과 동시에, 여기빔에 의한 포화흡수체의 표백현상을 방지하여 안정된 출력이 나오게 하였다. 레이저 이득 매질 및 포화흡수체의 온도는 열전 냉각기와 냉각수를 사용하여 안정화 시켰다. 온도안정화를 시킨 상태에서 발진되는 펄스의 첨두 출력 요동(peak to peak)은 4%였다. 다이오드 레이저의 출력이 1 W일 때, 출력 펄스의 반복률은 평균 9 KHz 였으며, 최소 펄스폭은 7.11 ns, 최고 출력은 16.27 mW였다.

• 한국광학회지
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• 제10권4호
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• pp.311-317
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• 1999

다이오드 레이저 펌핑 Nd:YAG 레이저를 평면 반일체 고리형 공진기를 이용하여 1064 nm 파장에서 단방향, 단일 모드로 발진시켰다. 실험에 사용된 반일체 고리형 공진기는 자기장 내에 놓여진 Nd:YAG 레이저 활성매질, 결정 석영판, 출력경으로 구성되어 전체적으로 광 다이오드로서 작용한다. 이에 대한 고유편광 이론 연구가 수행되었으며, 고유편광 모드에 대한 광손실이 계산되었다. 1.2 W, 809 nm 다이오드 레이저로 펌핑하여 155 mW의 단일 모드 출력을 얻었으며, 이때의 기울기 효율은 17%이었다. 동일한 두 레이저 시스템이 제작되었는데, 그 출력들의 맥놀이 주파수 스펙트럼으로부터 100 kHz 이하의 레이저 선폭을 갖는 것으로 측정되었고, 2 GHz 이상의 영역에서 연속적인 주파수 튜닝이 관측되었다.

• 한국광학회지
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• 제32권2호
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• pp.62-67
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• 2021

본 연구에서는 모드 잠금된 ps-펄스 광섬유 레이저와 연속 발진하는 좁은 선폭의 반도체 레이저를 이용하여 주기적 분극반전된 LiNbO3(periodically poled lithium niobate; PPLN) 결정에서 합주파수 생성 연구를 수행하였다. 모드 잠금된 펄스 레이저는 중심 파장이 1560.7 nm이고 스펙트럼의 폭은 약 1.1 nm이며, 연속 발진 반도체 레이저는 중심 파장이 1551 nm이고 스펙트럼의 폭은 약 6 MHz로 동작한다. 합주파수 생성을 효과적으로 수행하기 위해서 하나의 단일 모드 광섬유를 이용하여 PPLN 결정 내부에서 두 펌프 광원을 공간적으로 완전히 중첩하였다. 모드 잠금된 펄스 레이저와 좁은 선폭의 연속발진 반도체 레이저에 의해서 모드 잠금된 펄스 형태의 778 nm인 합주파수 생성을 스펙트럼과 시간적인 변화로 확인하였다. 본 연구 결과는 주파수 제어가 가능한 광주파수 빗(optical frequency comb)을 이용한 광주파수 측정 및 고분해 레이저 분광 연구 등 다양하게 응용될 수 있을 것으로 기대된다.

• Journal of Dental Anesthesia and Pain Medicine
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• 제22권1호
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• pp.19-27
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• 2022

Background: Myofascial pain dysfunction syndrome (MPDS) is the most common type of temporomandibular disorder. This study compared the efficacies of low-level diode laser therapy (LLLT) and laser acupuncture therapy (LAT) in the treatment of MPDS. Methods: This double-blind randomized controlled clinical trial included 24 patients with MPDS who were randomly divided into two equally sized groups. Patients in the LLLT group received 12 sessions of low-level diode laser irradiation applied to the trigger points of the masticatory muscles during 1 month. The same protocol was also used in the LAT group according to the specific trigger points. We measured pain intensity and maximum mouth opening in both groups at baseline, during treatment, and 2 months after treatment completion. Results: The pain intensities decreased from 6.58±1.31 to 0.33±0.65 and from 7.08 ± 1.37 to 0 in the LLLT and LAT groups, respectively. The maximum mouth openings increased from 32.25 ± 8.78 mm to 42.58 ± 4.75 mm and from 33 ± 6.57 mm to 45.67 ± 3.86 mm in the LLLT and LAT groups, respectively. Pain intensity (P = 0.839) and level of maximum mouth opening (P = 0.790) did not differ significantly between the groups. Conclusion: Our results showed similar efficacy between LLLT and LAT in the treatment of MPDS signs and symptoms.

• Journal of Oral Medicine and Pain
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• 제23권4호
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• pp.301-307
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• 1998

본 연구에서는 904nm의 다이오드 레이저를 발치창에 조사하여 효과를 분석하교, 동물실험에서 제시된 가설 즉 레이저 광조사가 주위정상조직을 자극하여 창상치유를 촉진하고 진통, 항염증효과가 있는지를 확인하고저 하였다. 먼저 19명의 발치환자에게 발치후 즉시 1분간 평균 14mW의 저수준레이저를 조사하였다. 이들중 8명은 대조군으로서 위조사(sham-irradiation)하였다. 일주일동안 시간경과에 따른 동통의 정도, 진통제의 사용횟수, 진통제 사용기간등을 각각조사하였다. Visual analogue scale로 두근에서 동통의 정도를 비교한 결과 대조군 보다 레이저 조사군에서 동통이 유의하게 감소하였으며, 진통제의 사용횟수가 기간도 레이저조사군에서 유의하게 감소하였다. 이러한 결과로 보아 비록 1분간의 적은 량의 레이저 조사라도 발치후 합병증을 억제하여 동통을 억제하고 치유를 촉진한다고 사료된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.121-121
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• 2013

최근 산업에서 이슈화되고 있는 고출력산업용레이저를 위한 반도체다이오드레이저 기술에 대한 산업적 관점을 소개하고자 한다. 열효율이 높고 및 비접촉 제어가 가능한 고출력다이오드에 대한 전반적인 소개와 함께, 왜 각광을 받고 있는지를 진단하며, 이러한 고출력레이저다이오드를 제작하는 방법에 관한 고찰을 하고자 한다. 특히 박막생성기술을 위한 장비 기술에 대해 소개하며, MBE와 MOCVD에 대해 비교하고자 한다. 실제적인 고출력레이저 다이오드제작을 위한 측정 및 신뢰성 기술에 대해서 소개하며, 한국광기술원에서 수행하고 있는 산업용 레이저 핵심부품 모듈 국산화 기반구축사업에 대한 소개를 하고자 한다. 한국광기술원 레이저 개발 내용 중 고출력다이오드레이저 개발을 위한 장비 소개 및 기술 소개를 하고자 한다.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제15권3호
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• pp.227-231
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• 2011

An external optical modulation using absorption s in a Fabry-Perot laser diode (FP-LD), has been proposed and experimentally demonstrated for multicasting in a WDM-PON. The center wavelengths of absorption s in an FP-LD move to short-wavelength rapidly by only a small current (~1 mA) injection. If the current injection is stopped, the s move back to the original position. Such a movement of the s can make the FP-LD act as an external optical modulator, which is found to modulate at a maximum modulation speed of 800 Mbps or more. For a multicasting transmitter in a WDM-PON, the proposed modulator can be cost-effectively applied to a multi-wavelength laser source with the same periodicity of the longitudinal mode. Instead of the multi-wavelength laser source, tunable-LDs are used for experiments. The 32 channel multicasting system with the proposed modulator has been demonstrated, showing power penalties of 1.53~4.15 dB at a bit error rate of $10^{-9}$ with extinction ratios better than 14.5 dB at 622 Mbps.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권1호
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• pp.159-165
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• 1995

A double-heterostructure mesa-stripe-geometry laser diode integrated with thermoelectric Peltier cooler has been designed and fabricated. Epi-layers have been grown by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) method. Peltier cooling effect has been measured for devices with a mesa width of 14$\mu$m and a cavity length of 380$\mu$m. The effects of thermoelectric cooling could be shown by measuring the optical output of the laser with the increase of the current in the thermoelectric cooler. While the input courrent of the laser was maintained at 250mA, the optical output was decreased from 4.8mW to 3.8mW due to heating, but with the thermoelectric cooler on the optical output power was recovered by more than 40%. The results show that the complicated cooling device is not needed since the cooling can be achevied by the developement of the fabrication processing.

• Applied Microscopy
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• 제27권3호
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• pp.257-263
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• 1997

Microstructural characterizations of II-VI blue laser diodes which consist of quaternary $Zn_{1-x}Mg_xS_ySe_{l-y}$ cladding layer, ternary $ZnS_ySe_{l-y}$ guiding layer and $Zn_{0.8}Cd_{0.2}Se$ quantum well as active layer were carried out using the transmission electron microscope working at 300 kV. Even though the entire structure is pseudomorphic to GaAs substrate, the structure had contained numerous extended stacking faults and dislocations which had created at ZnSe/GaAs interfaces and then further grown to the top of the epilayers. These faults might be expected to cause the degradation and shortening the lifetime of laser devices.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제15권2호
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• pp.124-127
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• 2011

Quantum dots were designed within a GRIN-SCH(Graded index - Separate confinement Heterostructure) heterostructure to create a high power InAlAs/AlGaAs laser diode. 808 nm light emission was with a quantum dot composition of In0.665Al0.335As and wetting layer composition of Al0.2Ga0.8As by LASTIP simulation software. Typical characteristics of GRIN structures such as high confinement ratios and Gaussian beam profiles were shown to still apply when quantum dots are used as the active media. With a dot density of 1.0x1011 dots/cm2, two quantum dot layers were found to be good enough for low threshold, high-power laser applications.