Tin oxide thin films were fabricated on glass substrates by the successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method at room temperature and ambient pressure. Before measuring their properties, all samples were annealed at $500^{\circ}C$ for 2 h in air. Film thickness increased with the number of cycles; X-ray diffraction patterns for the annealed $SnO_2$ thin films indicated a $SnO_2$ single phase. Thickness of the $SnO_2$ films increased from 12 to 50 nm as the number of cycles increased from 20 to 60. Although the optical transmittance decreased with thickness, 50 nm $SnO_2$ thin films exhibited a high value of more than 85%. Regarding electronic properties, sheet resistance of the films decreased as thickness increased; however, the measured resistivity of the thin film was nearly constant with thickness ($3{\times}10^{-4}ohm/cm$). From Hall measurements, the 50 nm thickness $SnO_2$ thin film had the highest mobility of the samples ($8.6cm^2/(V{\cdot}s)$). In conclusion, optical and electronic properties of $SnO_2$ thin films could be controlled by adjusting the number of SILAR cycles.
The strain fields due to precipitates, especially S-phase $(Al_2CuMg)$ particles in Al-2.5Cu-1.5Mg wt.% alloy were first investigated with Large Angle Convergent Beam Electron Diffraction (LACBED) method. The work involves LACBED pattern simulations to estimate possibly the strength of the strain fields. To do this the morphology of S-particle was optimized as a cylindrical shape with $a_s$ axis, and the displacement vector of strain fields was assumed to be perpendicular to $a_s$ axis. With this simple model the reasonable fittings between the observed patterns of the strain fields and simulations were obtained. And in the early aging stage of the alloy the significant strain fields were not observed. As a result of this study it is expected that the strain fields due to S-phase precipitates in the stage with maximum hardness would make a complex networks to possibly contribute to hardiness of the alloy.
In order to investigate the dispersion patterns and speciations of Cu, Pb, Zn and Cd in soils, stream sediments and stream waters, geochemical studies of soil, stream sediment and stream water samples collected in the vicinity of the Shi-Heung Cu-Pb-Zn mine was carried out Cation exchange capacity measurement, size analysis, X-ray diffraction analysis and batch test were performed to select applicable soil for adsorption treatment The average content of Cu, Pb, Zn and Cd in soils collected from tailings and ore dressing plant is 1084 ppm, 2292 ppm, 3512 ppm and 29.2 ppm, respectively, and therefore, tailings and ore dressing plant site may be the major contamination sources in this study area. The mean content of Cu, Pb, Zn and Cd in stream sediments is extremely high up to 794 ppm, 1633 ppm, 2946 ppm and 25.2 ppm, respectively. Tailing particles and heavy metal ions are dispersed along the tributary system. Results from the sequential extraction analysis indicate; (1) most of Cu is bound to organic matters and sulphides, (2) fraction of Pb is mainly bound to Fe and Mn oxides. Most of Zn is largely bound to Fe and Mn oxides and residual fraction. Ion exchangeable fraction of Cd is relatively higher than those of Cu, Pb and Zn. Batch test on soils collected from the kaolinite and/or pyrophyllite mines and from the control areas was carried out to select an applicable soil samples for adsorption treatment The sample, S10, collected from the control area 2 (clay content 33.2%) shows the highest $K_d$ (distribution coefficient). Organic content in soils and several clay minerals shows relatively good correlation with $K_d$. It means that applicable soils for adsorption treatment of heavy metals show high organic and clay content.
Kim, Jae-Sik;Ryu, Ki-Won;Koh, Jung-Hyuk;Lee, Young-Hie
Proceedings of the KIEE Conference
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2007.11a
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pp.114-115
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2007
In this study, low temperature sintering property of the $0.6TiTe_3O_8-0.4MgTiO_3$ ceramics with sintering adds were investigated for LTCC application which enable to cofiring with Ag electrode. $TiTe_3O_8$ mixed with $MgTiO_3$ to improve the temperature property. In the X-ray diffraction patterns, the columbite structure of $TiTe_3O_3$ phase and ilmenite structure of $MgTiO_3$ phase were coexisted in all specimens. In the case of $H_3BO_3$ addition, the bulk density and dielectric constant were decreased but quality factor was increased with amount of $H_3BO_3$ additions. The TCRF of the $0.6TiTe_3O_8-0.4MgTiO_3+xwt%H_3BO_3$ ceramics were moved to positive direction. In another case, SnO addition, the bulk density and dielectric constant were increased but Quality factor was decreased with amount of SnO additions. The TCRF of the $0.6TiTe_3O_8-0.4MgTiO_3$+ywt%SnO ceramics were shifted to negative direction. The dielectric constant, quality factor and TCRF of the $0.6TiTe_3O_8-0.4MgTiO_3$ ceramics with $2wt%H_3BO_3$ and 2.5wt%SnO sintered at $830^{\circ}C$ for 1h, were 28.5, 39,570GHz, $+9.34ppm/^{\circ}C$ and 29.86, 35,80000z, $-0.58ppm/^{\circ}C$, respectively.
The barium strontium calcium titanate((Ba,Sr,Ca)$TiO_3$) powders prepared by the sol-gel method and $MnCO_3$ as acceptor were mixed oxide method. The microstructure was investigated with variation of $Pr_{2}O_{3}$ amount. The BSCT powder and $Pr_{2}O_{3}$ were mixed with organic vehicle(Ferro. B75001). BSCT thick films were fabricated by the screen-printing method on alumina substrates. The bottom electrode was Pt and upper electrode was Ag, respectively. All BSCT thick films were sintered at $1420^{\circ}C$, for 2h. The result of the differential thermal analysis(DTA), exothermic peak at around $654^{\circ}C$ due to the formation of the polycrystalline perovskite phase. In the X-ray diffraction(XRD) patterns, all BSCT thick films showed the typical perovskite polycrystalline structure and no pyrochlore phase was dbserved. The microstructure investigated by scanning electron microscope(SEM). Pore and grain size of BSCT thick films were decreased with increasing amount of $Pr_{2}O_{3}$ dopant. And the average grain size and thickness of BSCT thick films doped with 0.1 mol% $Pr_{2}O_{3}$ was $3.09{\mu}m$, $60{\mu}m$, respectively. The relative dielectric constant decreased and dielectric loss decreased with increasing amount of $Pr_{2}O_{3}$ dopant, the values of the BSCT thick films no doped with $Pr_{2}O_{3}$ were 7443 and 4 % at 1 kHz, respectively.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.11a
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pp.248-251
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1999
The microwave dielectric properties of The Dielectric Properties of $Ba_{1-x}$A$_{x}$(Mg$_{1}$3/Nb$_{2}$3/)O$_3$ (A = Sr, Ca, x = 0, 0.2 ,0.4 ,0.6, 0.8, 1.0) were investigated. In composition of $Ba_{1-x}$A$_{x}$(Mg$_{1}$3/Nb$_{2}$3/)O, densities are decreased with increasing x values. Grain sizes are decreased with Sr content and Increased with Ca content. The hexagonally ordered superstructure was observed in $Ba_{1-x}$Sr$_{x}$(Mg$_{1}$3/Nb$_{2}$3/)O$_3$(BSMN) systems, the intensity of superlattice increased with x value. In $Ba_{1-x}$Cr$_{x}$(Mg$_{1}$3/Nb$_{2}$3/)O$_3$(BSMN) systems, the additional diffraction patterns were shown. The highest value of $\varepsilon$$_{r}$ was shown in x=0.2 of BCMN systems and the value was 41.9. The highest Q$\times$f was shown in x=0.2 of BSMN systems and the value was 68,000. $\tau$$_{f}$ were shown 0 ppm/$^{\circ}C$ near x=0.8.TEX> near x=0.8.0.8.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.07a
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pp.463-465
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2005
The $ZnGa_2O_4$:Mn phosphor was synthesized through solid-state reactions at the various molar ratio of Mn from 0.002 % to 0.01 %. Structural and optical properties of the $ZnGa_2O_4$:Mn phosphor was investigated by using X-ray diffraction (XRD), and cathodoluminescence (CL) measurements. The XRD patterns show that the Mn-doped $ZnGa_2O_4$ has a (311) main peak and a spinel phase. Also the emission wavelength shifts from 420 to 510 nm in comparison with $ZnGa_2O_4$ when Mn is doped in $ZnGa_2O_4$. These results indicate that $ZnGa_2O_4$:Mn phosphors hold promise for potential applications in field-emission display devices with high brightness operating in green spectral regions.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.101-101
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2010
ZnO shows a direct band gap of 3.37eV, large exciton binding energy (~60 meV), high oxidation ability, high sensitivity to many gases, and low cost, and it has been used in various applications such as transparent electrodes, light emitting diodes (LEDs), gas sensors and photocatalysts. Among these applications ZnO as photocatalyst has considerably attracted attention over the past few years because of its high activities in removing organic contaminants generated from industrial activities. In this research, ZnO nanoparticles were synthesized by spray-pyrolysis method using the zinc acetate dihydrate as starting material at synthesis temperature of $900^{\circ}C$ with concentration varied from 0.01 to 1.0M. The physical and chemical properties of the synthesized ZnO nanoparticles were examined by X-ray Diffraction (XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM), Fourier Transformation Infrared (FT-IR), and UV-vis spectroscopy. The Miller indices of XRD patterns indicate that the synthesized ZnO nanoparticles showed a hexagonal wurtzite structure. With increased precursor concentration, a primary, secondary particle sizes of ZnO nanoparticles increased by 0.8 to $1.5{\mu}m$ and 15 to 35nm, and their crystallinity was improved. Methyleneblue (MB) solution ($1{\mu}M$) as a test comtaminant was prepared for evaluating the photocatalytic activities of ZnO nanoparticles synthesized in different precursor concentration. The results show that the photocatalytic efficiency of ZnO nanoparticles was gradually enhanced by increased precursor concentration.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.453-453
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2010
In this study, zinc germanate ($Zn_2GeO_4$) thin films has been synthesized by using radio frequency magnetron sputtering and the divalent manganese-activated luminescence was characterized. X-ray diffraction patterns of the as-deposited $Zn_2GeO_4$:Mn films showed only a broad feature, indicative of an amorphous structure. Scanning electron microscopy images revealed that the as-deposited $Zn_2GeO_4$:Mn has a smooth surface morphology. The $Zn_2GeO_4$:Mn films were found to be crystallized by annealing in air ambient at temperatures as low as $700^{\circ}C$. The annealed $Zn_2GeO_4$:Mn possessed a rhombohedral polycrystalline structure. The broad-band photoluminescent emission spectrum from 470 to 650nm was obtained at room temperature from the $Zn_2GeO_4$:Mn films. The emission peak was centered at around 535nm in the green range, which originates from the intrashell transition of manganese $3d^5$ electrons from $^4T_1$ excited-state level to the $^6A_1$ ground state. The PL emission spectrum had an asymmetric line shape, which results from the $^3d_5$ electron transitions of divalent manganese ions located at different sites of the zinc germanate host crystal lattice. Electroluminescent devices were fabricated using $Zn_2GeO_4$:Mn as an emission layer. The fabricated devices showed a green EL emission similar to the PL emission. The CIE chromaticity color coordinates of the EL emission were determined to be x=0.308 and y=0.657.
[ $A_{3-2x/3}Al_{1-z}In_{z}O_4F:Eu_x^{3+}$ ](A = Ca, Sr, Ba, x = -0.15, z = 0, 0.1) oxyfluoride phosphors were simply prepared by the solid-state method at $1050^{\circ}C$ in air. The phosphors had the bright red photoluminescence (PL) spectra of an $A_{3-2x/3}Al_{1-z}In_{z}O_4F$ for $Eu^{3+}$ activator. X-ray diffraction (XRD) patterns of the obtained red phosphors were exhibited for indexing peak positions and calculating unit-cell parameters. Dynamic excitation and emission spectra of $Eu^{3+}$ activated red oxyfluoride phosphors were clearly monitored. Red and blue shifts gradually occurred in the emission spectra of $Eu^{3+}$ activated $A_3AlO_4F$ oxyfluoride phosphors when $Sr^{2+}$ by $Ca^{2+}$ and $Ba^{2+}$ ions were substituted, respectively. The concentration quenching as a function of $Eu^{3+}$ contents in $A_{3-2x/3}AlO_4F:Eu^{3+}$ (A = Ca, Sr, Ba) was measured. The interesting behaviors of defect-induced $A_{3-2x/3}Al_{1-z}In_{z}O_{4-{\alpha}}F_{1-{\delta}}$ phosphors with $Eu^{3+}$ activator are discussed based on PL spectra and CIE coordinates. Substituting $In^{3+}$ into the $Al^{3+}$ position in the $A_{3-2x/3}AlO_4F:Eu^{3+}$ oxyfluorides resulted in the relative intensity of the red emitted phosphors noticeably increasing by seven times.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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