Conductive and dielectric SiC are fabricated using electroless plating of Ni-Fe films on SiC chopped fibers to obtain lightweight and high-strength microwave absorbers. The electroless plating of Ni-Fe films is achieved using a two-step process of surface sensitizing and metal plating. The complex permeability and permittivity are measured for the composite specimens with the metalized SiC chopped fibers dispersed in a silicone rubber matrix. The original non-coated SiC fibers exhibit considerable dielectric losses. The complex permeability spectrum does not change significantly with the Ni-Fe coating. Moreover, dielectric constant is sensitively increased with Ni-Fe coating, owing to the increase of the space charge polarization. The improvements in absorption capability (lower reflection loss and small matching thickness) are evident with Ni-Fe coating on SiC fibers. For the composite SiC fibers coated with Ni-Fe thin films, a -35 dB reflection loss is predicted at 7.6 GHz with a matching thickness of 4 mm.
Joo, Chan Kyu;Kim, Jong Hoon;Furudate, Michiko Ahn
Journal of Aerospace System Engineering
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v.11
no.6
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pp.56-63
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2017
Thrust force induced by the dielectric barrier discharge inside of cylinder pipes is measured for various conditions. The input peak-to-peak voltage and frequency are varied from 2 to 9 kVpp and from 5 to 15 kHz, respectively. The height of cylinder is varied from 50 to 100 mm. The results of the measurements show that the magnitude of the generated thrusts increases as the voltage and the frequencies increase. It also shows that the generated thrusts are decreased according to the increase in the height of the cylinder. The cause of the thrust decrease is discussed in terms of energy losses due to the frictions on the wall surface.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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1990.02a
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pp.257-259
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1990
In the design of waveguide E-plane bandpass filter, it is very important to characterize the K-inverters. In the analytical method. losses arising from the metal and the dielectric are ignored for the simplicity of design process. In this paper, based on the new measurement method, characteristics of inverters are measured and compared with those calculated based on mode-matching analysis.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.41
no.8
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pp.37-44
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2004
This paper describes a new GaAs-based surface-micromachined microstrip line supported by dielectric post and air-gapped signal line with ground metal. This new type of dielectric-supported air-gapped microstripline(DAML) structure is developed using surface micromachining techniques to provide easy means of airbridge connection between the signal lines and to archive low losses at millimeter-wave frequency band with wide impedance range. Each DAMLs with the length of 5 mm are fabricated and the measured characteristics are compared with those of the conventional microstrip transmission line. These transmission lines are composed of 10 ${\mu}{\textrm}{m}$ height of signal line, post size of 10 ${\mu}{\textrm}{m}$${\times}$ 10 ${\mu}{\textrm}{m}$ and post height of 9 ${\mu}{\textrm}{m}$. By elevating the signal lines from the substrate using the micromachining technology, the substrate dielectric loss can be reduced Compared with of the conventional microstrip transmission line showing 7.5 dB/cm loss at 50 GHz, the loss can be reduced to 1.1 dB/cm loss at 50 GHz.
Bhuyan, Ranjan K.;Thatikonda, Santhosh K.;Dobbidi, Pamu;Renehan, J.M.;Jacob, Mohan V.
Advances in materials Research
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v.3
no.2
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pp.105-116
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2014
The microwave dielectric properties of $CeO_2$ nanoparticles (0.5, 1.0 & 1.5wt%) doped $Mg_2TiO_4$ (MTO) ceramics have been investigated at cryogenic temperatures. The XRD patterns of the samples were refined using the full proof program reveal the inverse spinel structure without any secondary phases. The addition of $CeO_2$ nanoparticles lowered the sintering temperature with enhancement in density and grain size as compared to pure MTO ceramics. This is attributed to the higher sintering velocity of the fine particles. Further, the microwave dielectric properties of the MTO ceramics were measured at cryogenic temperatures in the temperature range of 6.5-295 K. It is observed that the loss tangent ($tan{\delta}$) of all the samples increased with temperature. However, the $CeO_2$ nanoparticles doped MTO ceramics manifested lower loss tangents as compared to the pure MTO ceramics. The loss tangents of the pure and MTO ceramics doped with 1.5 wt% of $CeO_2$ nanoparticles measured at 6.5K are found to be $6.6{\times}10^{-5}$ and $5.4{\times}10^{-5}$, respectively. The addition of $CeO_2$ nanoparticles did not cause any changes on the temperature stability of the MTO ceramics at cryogenic temperatures. On the other hand, the temperature coefficient of the permittivity increased with rise in temperature and with the wt% of $CeO_2$ nanoparticles. The obtained lower loss tangent values at cryogenic temperatures can be attributed to the decrease in both intrinsic and extrinsic losses in the MTO ceramics.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.14
no.12
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pp.1292-1299
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2003
In this paper, we fabricated new GaAs-based dielectric-supported air gapped microstriplines(DAMLs) using the surface MEMS and the LPF for Ka-band using the fabricated DAMLs. We elevated the signal lines from the substrate, in order to reduce the substrate dielectric loss and obtain low losses at millimeter-wave frequency band with wide impedance range. We fabricated LPF with DAMLs for Ka-band. Due to reducing the dielectric loss of DAMLs, the insertion loss of LPF can be reduced. Miniature is essential to integrate LPF with active devices, so that we fabricated LPF with the slot on the ground to reduce the size of the LPF. We compared a characteristic to LPF with the slot and LPF without the slot.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.05a
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pp.65-68
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2003
Interconnected power system operation has given rise to the problem of increased fault levels and leads to over stressing of all the components. Use have been made of recently developed high Tc superconductor in devising a superconducting fault current limiter (SFCL) that promises optimum performance in terms of capital cost, size, auto sensing, operational losses, response time and reliability. Recently, research about the application of the SFCL is actively progressing in Korea. To be applied for SFCL practically, the electrical insulation design of SFCL must be developed. Therefore, this paper presents the result of an investigation of the dielectric characteristics of turn-to-turn insulation for SFCL in liquid nitrogen. The dielectric characteristics of turn-to-turn insulation models of SFCL were investigated. We obtained following results. The breakdown voltages increased as the spacer thickness and length increased. And the breakdown voltages of turn-to-turn model without spacer were higher than the breakdown voltages of turn-to-turn model with spacer under impulse as well as AC voltages. The information gathered in this test series should be helpful in the design of liquid nitrogen filled SFCL.
$Pb(Zr_{0.52}, Ti_{0.48})O_3$ (PZT) thick films as an actuating material with conducting oxides, $(La_{0.5}Sr_{0.5}) CoO_3$ (LSCO), have been fabricated by sol-gel method for Optical Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) devices, in which PZT/LSCO/SiO2 structures were used. In order to improve the adhesion to LSCO solution in order to enhance the wetting behavior of a water-based LSCO precursor solution and further to improve the adhesion between LSCO and $SiO_2$ layers. PZT films were made using 1-3 propanediol based precursor solution which has a high viscosity and a boiling point appropriate for thick film fabrication. In the precursor solution, Ti-propoxied and Zr-propoxied are partially substituted with acetylacetone to achieve the solution stability while maintaining reactivity. Crack free PZT films (0.8~1$\mu\textrm{m}$) have been successfully fabricated at crystallization temperatures above $700^{\circ}C$. Dielectric constants and dielectric losses of the PZT films were 900~1200and 2~5%, respectively. Piezoelectric constant $d_{33}$ of the PZT films constrained by a substrate were 200pm/V at 100kV/cm.
Reflective polarizers can be used as luminance enhancement films for LCD backlights via the polarization recycling process. The optical performances of a wire grid polarizer (WGP) as a reflective polarizer adopted in edge-lit backlights were investigated by luminance evaluation and a time-domain simulation technique. The results were compared to those of a commercial dielectric multilayer film. The luminance gain factor of WGP was smaller than that of the multilayer film by 18%. This was attributed to a much larger internal loss of WGP due to light absorption by metal wires. The internal losses of both reflective polarizers and the polarization conversion efficiency of the backlight were obtained numerically based on a phenomenological model. The optical performances of WGP were optimized by using a time-domain simulation technique. The luminance gain increased and was found to become comparable to, but slightly less than the case of the dielectric multilayer film with decreasing line width.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.242-242
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2007
To verify the applicability of High Temperature Superconducting (HTS) cable system into the real grid, the HTS cable system with the specification of 22.9 kV, 1250 A, 100 m long was installed in the second quarter of 2006, and the long term field test has been in progress at the KEPCO's Gochang power testing yard. Apart from the conventional power cable, HTS cable system requires sufficient thermo-mechanical strength to endure a large temperature difference. To date, the KEPCO HTS cable system was cooled down and warmed to the room temperature several times to investigate the influence of thermal cycles experimentally. Dielectric properties, critical current dependance and heat losses were evaluated at each step of thermal cycle. The test results showed that thermal cycle did not induce the degradation of dielectric properties, and the critical current decreased to 5 % of the initial value.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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