IV-VI족 화합물인 PbSnSe는 흥미 있는 물리적 특성을 가지고 있는 화합물 반도체로써 본 실험에서는 HWE 방법으로 성장시킨 PbSnSe 박막에 대한 특성을 조사하였다. 원료부와 열벽부 그리고 기판의 온도를 변화시키며 단결정 박막을 성장시켰다. Rutherford back scattering (RBS)을 측정하여 Pb:Sn:Se의 조성비를 확인하였다. 특히 좁은 에너지 대역을 측정하기에 매우 용이한 Fourier transform infra red (FT-IR)측정 장치를 이용하여 에너지 갭을 측정하였다. 박막의 표면 상태는 atomic force microscopy (AFM) 사진과 주사 전자 현미경 (SEM) 사진으로 관찰하여 결정구조와 성장 용도와의 연관성을 조사하였다. 광학 상수는 Spectroscopic ellipsometry (SE) 방법을 이용하여 박막의 광학 상수를 측정했다. PbSnSe 화합물 에피층 시료의 굴절률(n), 유전상수(${\varepsilon}$), 반사율(R) 그리고 흡수 계수(${\alpha}$)등 광학상수를 측정하였다.
라인 소스에 의한 빔 패턴 합성 문제에서 소스 분포함수와 빔 패턴간의 관계는 푸리에 변환쌍으로 표현 될 수 있다. 본 연구에서는 원하는 lobe형 빔 패턴을 만족시키는 라인 소스 분포함수를 반복 샘플링을 통한 비선형 역변환법을 사용하여 합성하는 일반적인 방법을 제안한다. 이 방법은 유전 매질에 TE 및 TM 평면파 입사시 원하는 역산란 반사계수를 갖도록 하는 연속적으로 분포된 유전율 합성에 적용될 수 있으며, 임의 반사계수를 갖는 전송선로 합성에도 적용될 수 있는 장점을 가진다. 대역저지 공간 필터 및 분산 특성을 갖는 전송선로 필터에 적용, 분석하므로서 제안한 방법의 타당성을 보인다.
In this work, we have been studied the characteristics of each nitride film for the optimization of PMD(pre-metal dielectric) liner nitride process, which can applicable in the recent semiconductor manufacturing process. The deposition conditions of nitride film were splited by PO (protect overcoat) nitride, baseline, low hydrogen, high stress and low hydrogen, respectively. And also we tried to catch hold of correlation between BPSG(boro-phospho silicate glass) deposition and densification. Especially, we used FTIR area method for the analysis of density change of Si-H bonding and Si-NH-Si bonding, which decides the characteristics of nitride film. To judge whether the deposited films were safe or not, we investigated the crack generation of wafer edge after BPSG densification, and the changes of nitride film stress as a function of RF power variation.
In this paper a K-band harmonic oscillator competitive to ordinary Push-Push type oscillators is introduced. This oscillator is composed of two-X-band dielectric resonance circuits. To favor its harmonic generation, the load effect and the bias effect are studied to allow the maximum harmonic distortion. As results, the dielectric resonated load and the class A bias are used for the 2nd harmonic generation. analytical study for modelling of voltage controlled dielectric resonator is carried out with theoretical background. The performance of the circuit is evaluated by simulation using harmonic balanced method. The novel structure has ont only a voltage tuning circuit but also an output port at fundamental frequency as the function of prescaler for phase lockede loop application on the just single oscillation structure. In experimentation, the output freqneyc of the 2nd harmonic signal is 20.5GHz and the maximum power level of output is +5.5dBm without additional post amplifiers. the harmonic oscillator exhibits -30dBc of high fundamental frequency rejection without added extra filters. The phase noise of -90dBc/Hz at 100kHz off-carrier has been achieved under free running condition, that satisfies phase noise requirement of IESS 308. The proposed oscillator may be utilized as the clean and stable fixed local oscillator in Transmit Block Upconvertor(TBU) or Low oise Block downconvertor(LNB) for K/Ka-band digital communications and satellite broadcastings.
The effect of excimer laser annealing on the structural and dielectric behaviors of $PbZr_{0.52}Ti_{0.48}O_3$ (PZT) thin films has been investigated. The amorphous PZT thin films were prepared on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates by a sol-gel method. The PZT precursor was prepared from lead acetate, zirconium acetylacetonate, and titanium isopropoxide. The starting materials were dissolved in n-propanol and 1,3-propanediol. After, the amorphous PZT thin films were laser-annealed (using KrF excimer laser) as a function of the laser energy density and the number of laser pulse. Structural properties of PZT thin films are characterized by using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). The dielectric characterization was done on a RT66A test system and a Agilent 4294A impedance analyzer. The PZT thin films show that excimer laser irradiation drastically improved the crystallization and dielectric properties of the PZT thin films, depending on the energy density and the pulse number.
In this study, in order to develop the composition ceramics for lead-free ultrasonic motor, $[(K_{0.5}Na_{0.5})_{0.95}Li_{0.05}(Nb_{0.96}Sb_{0.04})]O_3$ ceramics were fabricated using $Ag_2O$ as sintering aid and a conventional mixed oxide process and their piezoelectric and dielectric characteristics were investigated according to the $SrTiO_3$ substitution. $SrTiO_3$ substitution enhanced density, dielectric constant$(\varepsilon_r)$ and electromechanical coupling factor$(k_p)$. However, mechanical quality factor was deteriorated. At the 0.5mol% $SrTiO_3$ substitution, density, electromechanical coupling factor$(k_p)$, dielectric constant$(\varepsilon_r)$ and piezoelectric constant$(d_{33})$ of specimen showed the optimum value of 4.437g/$cm^3$, 0.457, 1294, 265pC/N, respectively.
We present a three-dimensional (3D) particle focusing channel using the positive dielectrophoresis (pDEP) guided by a dielectric structure between two planar electrodes. The dielectric structure between two planar electrodes induces the maximum electric field at the center of the microchannel, and particles are focused to the center of the microchannel by pDEP as they flow from the single sample injection port. Compared to the previous 3D particle focusing methods, the present device achieves the simple and effective particle focusing function without any additional fluidic ports and top electrodes. In the experimental study, approximately 90 % focusing efficiency were achieved within the focusing length of 2mm, on both x-z plane (top-view) and y-z plane (side-view) for $2{\mu}m$-diameter polystyrene (PS) bead at the applied voltage over 15 Vp-p (square wave) and at the flow rate below 0.01 ${\mu}l$/min. The present 3D particle focusing channel results in a simple particle focusing method suitable for use in integrated microbiochemical analysis system.
Ba(Mgl-xCox)TaO3[BMCT] ceramics were prepared by the conventional mixed oxide method. The ceramics were sintered at the temperature of 1525~$1625^{\circ}C$ for 5hr. in air. The crystal structure of BMCT ceramics was investigated by the XRD. The microstructure of the specimens were observed by SEM. The Microwave dielectric properties of BMCT specimens were investigated as a function of composition and sintering temperature. All BMCT ceramics sintered over 1575$^{\circ}C$ were showed a polycrystalline complex perovskite structure. The density of BMCT (90/10) specimen sintered at $1575^{\circ}C$ was 7.75g/㎤. As the Co contents decreased, the ordering parameter of B-site in BMCT increased. In the case of the BMCT(90/10) ceramics sintered at $1575^{\circ}C$ for 5 hours, dielectric constant, quality factor and temperature coefficient of resonant frequency for microwave dielectrics application were a good value o( 25, 17, 845 at 10㎓ and +2.4 ppm/${\circ}$, respectively.
The novel type of cable under consideration is cooled by gaseous Helium at elevated pressure. Helium is known for having poor electric breakdown strength; therefore the dielectric capabilities of this type of cable must be tested under conditions similar to the envisaged operation. In order to study the dielectric performance we have designed and built a novel high pressure cryostat rated at 2.17 MPa which has been used for testing model cables of lengths of up to 1 m. The cryostat is an open system where the gas is not re-circulated. This allows maintaining a high purity of the gas. The target temperature range is between 40 K and 70 K. This substantially increases the critical current density of the HTS compared to 77 K, which is the typical temperature of cables cooled by liquid nitrogen. The cryostat presented allows for adjusting the temperature and keeping it constant for the time necessary to run a complete dielectric characterization test. We give a detailed description of the cryostat. Measurements of partial discharge inception voltages as well as the temperature distribution along the model cables as a function of time are presented.
Discharge analysis technique for dielectric liquid was presented by using the Finite Element Analysis (FEA) under a lightning impulse incorporating two-phase flow phenomena which described gas and liquid phases in discharge space. Until now, the response of step voltage has been extensively explored, but that of lightning impulse voltage was rarely viewed in the literature. We, therefore, developed an analyzing technique for dielectric liquid in a tip-sphere electrode stressed by a high electric field. To capture the bubble phase, the Heaviside function was introduced mathematically and the material functions for the ionization, dissociation, recombination, and attachment were defined in liquid and bubble, respectively. By using this numerical setup, the molecular dissociation and ionization mechanisms were tested under low and high electric fields resulted from the lightning impulse voltage of 1.2/50 ${\mu}s$. To verify our numerical results, the velocity of electric field wave was measured and compared to the previous experimental results which can be viewed in many papers. Those results had good agreement with each other.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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