Medical polymers require sterilization and must be able to maintain material properties for a specified shelf life. Sterilization can be achieved by using gamma or e-beam exposure. In this study, accelerated aging tests of poly(ether-block-amide) (PEBA) copolymer samples is presented. PEBA copolymer samples with different polyether content that result in Shore hardness of 35D to 72D, were sterilized using e-beam radiation followed by accelerated aging at $55^{\circ}C$. E-beam sterilization effect on molecular weight and mechanical property has performed and analyzed. The average molecular weight significantly reduced as a result of ageing. The enlarged proportion of low molecular weight chains in the aged samples is consistent with the generation of degradation products produced by oxidative chain scission. Also E-beam materials have shown decreased tensile strength and elongation. Overall, this study demonstrated that the medical grade PEBA was significantly affected by radiation exposure over aging time, particularly at high irradiation doses. For medical use in case of radiation sterilization required, it is recommended to avoid Pebax material. If Pebax material must be in use for medical device, recommend to use alternate sterilization method such as Ethylene Oxide sterilization.
In the case of acquisition and displaying medical Images such as ultrasonography and endoscopy on VGA monitor of PC system, image degradation of tear-drop appears through scan conversion. In this study, we compare several methods which can solve this degradation and implement the hardware system that resolves this problem in real-time with PC. It is possible to represent high quality image display and real-time processing and acquisition with specific de-interlacing device and PCI bridge on our hardware system. Image quality is improved remarkably on our hardware system. It is implemented as PC-based system, so acquiring, saving images and describing text comment on those images and PACS networking can be easily implemented.metabolism. All images were spatially normalized to MNI standard PET template and smoothed with 16mm FWHM Gaussian kernel using SPM96. Mean count in cerebral region was normalized. The VOls for 34 cerebral regions were previously defined on the standard template and 17 different counts of mirrored regions to hemispheric midline were extracted from spatially normalized images. A three-layer feed-forward error back-propagation neural network classifier with 7 input nodes and 3 output nodes was used. The network was trained to interpret metabolic patterns and produce identical diagnoses with those of expert viewers. The performance of the neural network was optimized by testing with 5~40 nodes in hidden layer. Randomly selected 40 images from each group were used to train the network and the remainders were used to test the learned network. The optimized neural network gave a maximum agreement rate of 80.3% with expert viewers. It used 20 hidden nodes and was trained for 1508 epochs. Also, neural network gave agreement rates of 75~80% with 10 or 30 nodes in hidden layer. We conclude that artificial neural network performed as well as human experts and could be potentially useful as clinical decision support tool for the localization of epileptogenic zones.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.9
no.4
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pp.11-16
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2002
In this study, the dry etching characteristics of $SrBi_2Ta_2O_9$ (SBT) thin films were investigated by using ICP-RIE (inductively coupled plasma-reactive ion etching). The etching damage and degradation were analyzed with XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) and C-V (Capacitance-Voltage) measurement. The etching rate increased with increasing the ICP power and the capacitively coupled plasma (CCP) power. The etch rate of 900$\AA$/min was obtained with 700 W of ICP power and 200 W of CCP power. The main problem of dry etching is the degradation of the ferroelectric material. The damage-free etching characteristics were obtained with the $Ar/C1_2/CHF_3$ gas mixture of 20/14/2 when the ICP power and CCP power were biased at 700 W and 200 W, respectively. The experimental results show that the dry etching process with ICP-RIE is applicable to the fabrication of the single transistor type ferroelectric memory device.
The reliability degradation phenomena in the SiGe hetero-junction bipolar transistor (HBT) are investigated in this review. In the case of the SiGe HBT the decrease of the current gain, the degradation of the AC characteristics, and the offset voltage are frequently observed, which are attributed to the emitter-base reverse bias voltage stress, the transient enhanced diffusion, and the deterioration of the base-collector junction due to the fluctuation in fabrication process, respectively. The reverse-bias stress on the emitter-base junction causes the recombination current to rise, increasing the base current and degrading the current gain, because hot carriers formed by the high electric field at the junction periphery generate charged traps at the silicon-oxide interface and within the oxide region. Because of the enhanced diffusion of the dopants in the intrinsic base induced by the extrinsic base implantation, the shorter distance between the emitter-base junction and the extrinsic base than a critical measure leads to the reduction of the cut-off frequency ($f_t$) of the device. If the energy of the extrinsic base implantation is insufficient, the turn-on voltage of the collector-base junction becomes low, in the result, the offset voltage appears on the current-voltage curve.
U, Chang-Ho;Kim, Yeong-Lee;An, Cheol-Hyeon;Kim, Dong-Chan;Gong, Bo-Hyeon;Bae, Yeong-Suk;Seo, Dong-Gyu;Jo, Hyeong-Gyun
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.11a
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pp.5-5
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2009
Thin-film-transistors (TFTs) that can be prepared at low temperatures have attracted much attention because of the great potential for transparent and flexible electronics. One of the mainstreams in this field is the use of organic semiconductors such as pentacene. But device performance of the organic TFTs is still limited due to low field-effect mobility and rapid degradation after exposing to air. Alternative approach is the use of amorphous oxide semiconductors as a channel. Amorphous oxide semiconductors (AOSs) based TFTs showed the fast technological development, because AOS films can be fabricated at room temperature and exhibit the possibility in application like flexible display, electronic paper, and larges solar cells. Among the various AOSs, a-IGZO has lots of advantages because it has high channel mobility, uniform surface roughness and good transparency. [1] The high mobility is attributed to the overlap of spherical s-orbital of the heavy post-transition metal cations. This study demonstrated the effect of the variation in channel thickness from 30nm to 200nm on the TFT device performance. When the thickness was increased, turn-on voltage and subthreshold swing was decreased. The a-IGZO channels and source/drain metals were deposited with shadow mask. The a-IGZO channel layer was deposited on $SiO_2$/p-Si substrates by RF magnetron sputtering, where RF power is 150W. And working pressure is 3m Torr, at $O_2/Ar$ (2/28 sccm) atmosphere. The electrodes were formed with electron-beam evaporated Ti (30 nm) and Au (70 nm) bilayer. Finally, Al (150nm) as a gate metal was thermal-evaporated. TFT devices were heat-treated in a furnace at 250 $^{\circ}C$ and nitrogen atmosphere for 1hour. The electrical properties of the TFTs were measured using a probe-station. The TFT with channel thickness of 150nm exhibits a good subthreshold swing (SS) of 0.72 V/decade and on-off ratio of $1{\times}10^8$. The field effect mobility and threshold voltage were evaluated as 7.2 and 8 V, respectively.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.19
no.2
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pp.77-85
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2018
Recently, many people have attempted to combine the 4th industry in various fields. Citizen participation has also become more important in the policy making and decision making process. Therefore, this study examined ways to encourage citizen participation by integrating the 4th industry in the field of urban planning and design. The research method was to design street space using virtual reality, and to examine the preference of design and the satisfaction of using a virtual reality device for Cheongju citizens and residents. The main result is that the use of VR in the design process of street space can achieve a sufficient outcome in terms of inducing resident participation. The opinions of the respondents before and after the VR experience were different from each other. After the VR experience, understanding, participation and interest in design were improved. On the other hand, during the course of the study, there are many difficulties in obtaining a place that satisfied the conditions of the PC-VR equipment. Although it can be used by connecting a smart phone and a VR device, the constraint of free movement and degradation of the graphic quality are inevitable. In addition, it is difficult to operate simple interfaces because VR devices are not yet popularized. Accordingly, it will be necessary to popularize and commercialize VR equipment and establish a legal basis.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.15
no.6
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pp.4013-4018
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2014
A 0.45 $cm^2$ DSSC device with a glass/FTO/blocking layer/$TiO_2$/N719(dye)/electrolyte/50 nm-Pt/50 nm-Au/FTO/glass was prepared to examine the stability of the Au/Pt bilayered counter electrode (CE) with electrolyte and the energy conversion efficiency (ECE) of dye-sensitized solar cells (DSSCs). For comparison, a 100 nm-thick Pt only CE DSSC was also prepared using the same method. The photovoltaic properties, such as the short circuit current density ($J_{sc}$), open circuit voltage ($V_{oc}$), fill factor (FF), and ECE, were checked using a solar simulator and potentiostat with time after assembling the DSSC. The microstructure of the Au/Pt bilayer was examined by optical microscopy after 0~25 minutes. The ECE of the Pt only CE-employed DSSC was 4.60 %, which did not show time dependence. On the other hand, for the Au/Pt CE DSSC, the ECEs after 0, 5 and 15 minutes were 5.28 %, 3.64 % and 2.09 %, respectively. The corrosion areas of the Au/Pt CE determined by optical microscopy after 0, 5, and 25 minutes were 0, 21.92 and 34.06 %. These results confirmed that the ECE and catalytic activity of Au/Pt CE decreased drastically with time. Therefore, a Au/Pt CE-employed DSSC may be superior to the Pt only CE-employed one immediately after integration of the device, but it would degrade drastically with time.
In this study, the influence degree of the scattering of the line depending on the incident energy of the radiation objective was to evaluate a new method of quantitative methods of PSNR is provided.Value of MSE and PSNR of the DR and the Target is placed at the left when there was no change in CR Target, the change appeared to ttaran MSE and PSNR value in tube voltage. Both CR and DR seen that there is a variation of the MSE and PSNR depending on the tube voltage change Computon showed that the scattered radiation effects. If the CR and DR 80 The changes in the MSE and PSNR experience the symptoms suddenly occur in areas kVp was found to affect the optoelectronic Computon E, and at the same time, the scattered radiation detector Computon Computon by scattering due to the photoelectric effect. CR and DR of the imaging device in the future on the basis of the energy bands of the photoelectric effect of 60 kVp 70 kVp, 80 kVp, 90 kVp, compares the value of the PSNR and MSE 100 kVp in accordance with the change of the tube voltage of the CR and device DR proposes jigil scattering study of the degradation of the line quality is achieved.
Although it is well-known that environmental noise can lead to hearing loss in individuals, the true extent of subway noise effects in the general population remains poorly understood. The purpose of the present study is to see changes of acoustic reflex thresholds and speech perception scores when passengers listen to music presented from their personal listening device in the subway. Forty subjects with normal hearing participated being divided into two groups, experimental and control groups. As a baseline, all subjects were measured by acoustic reflex thresholds in five test frequencies and Korean speech perception in noise (KSPIN) test at 0 and -5 dB SNR. In the experiment, the control group read newspaper or magazine in the subway noise, whereas the experimental group listened to music presented from their smartphone under the subway noise through speakers at 73.45 dBA for 60 min. After completing the experiment, two groups also conducted both acoustic reflex thresholds and KSPIN tests in the same condition as the baseline. The results showed that there was a significant difference of correct percent in speech-in-noise test between experimental and control groups and of that between two signal-to-noise ratios, which means the double noise exposure of 60 min might cause some degradation of speech perception when noise increases compared to only subway noise condition that was not statistically significant difference. We concluded that a risk of some degraded speech perception ability would be expected when passengers have a habit of listening to music in the subway noisy situation for a long duration.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.457-457
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2010
Flexible organic light emitting diodes (F-OLEDs) requires excellent moisture permeation barriers to minimize the degradation of the F-OLEDs device. Specifically, F-OLEDs device need a barrier layer that transmits less than $10^{-6}g/m^2/day$ of water and $10^{-5}g/m^2/day$ of oxygen. To increase the life time of F-OLEDs, therefore, it is indispensable to protect the organic materials from water and oxygen. Severe groups have reported on multi-layerd barriers consisting inorganic thin films deposited by plasma enhenced chemical deposition (PECVD) or sputtering. However, it is difficult to control the formation of granular-type morphology and microscopic pinholes in PECVD and sputtering. On the contrary, atomic layer deoposition (ALD) is free of pinhole, highly uniform, conformal films and show good step coverage. Thus, $Al_2O_3/TiO_2$ multi-layer was deposited onto the polyethersulfon (PES) substrate by electron cyclotron resonance atomic layer deposition (ECR-ALD), and the water vapor transmission rates (WVTR) were measured. WVTR of moisture permeation barriers is dependent upon density of films and initial state of polymer surface. A significant reduction of WVTR was achieved by increasing density of films and by applying low plasma induced interlayer on the PES substrate. In order to minimize damage of polymer surface, a 10 nm thick $TiO_2$ was deposited on PES prior to a $Al_2O_3$ ECR-ALD process. High quality barriers were developed from $Al_2O_3$ barriers on the $TiO_2$ interlayer. WVTR of $Al_2O_3$ by introducing $TiO_2$ interlayer was recorded in the range of $10^{-3}g/m^2.day$ at $38^{\circ}C$ and 100% relative humidity using a MOCON instrument. The WVTR was two orders of magnitude smaller than $Al_2O_3$ barriers directly grown on PES substrate without the $TiO_2$ interlayer. Thus, we can consider that the $Al_2O_3/TiO_2$ multi-layer passivation can be one of the most suitable F-OLEDs passivation films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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