Park, Hyung-Gu;Kim, Hongjin;Lee, Dong-Soo;Yu, Chang-Zhi;Ku, Hyunchul;Lee, Kang-Yoon
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.13
no.4
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pp.272-281
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2013
This paper presents low power frequency shift keying (FSK) transmitter using all digital PLL (ADPLL) for smart utility network (SUN). In order to operate at low-power and to integrate a small die area, the ADPLL is adopted in transmitter. The phase noise of the ADPLL is improved by using a fine resolution time to digital converter (TDC) and digitally controlled oscillator (DCO). The FSK transmitter is implemented in $0.18{\mu}m$ 1-poly 6-metal CMOS technology. The die area of the transmitter including ADPLL is $3.5mm^2$. The power consumption of the ADPLL is 12.43 mW. And, the power consumptions of the transmitter are 35.36 mW and 65.57 mW when the output power levels are -1.6 dBm and +12 dBm, respectively. Both of them are supplied by 1.8 V voltage source. The frequency resolution of the TDC is 2.7 ps. The effective DCO frequency resolution with the differential MOS varactor and sigma-delta modulator is 2.5 Hz. The phase noise of the ADPLL output at 1.8 GHz is -121.17 dBc/Hz with a 1 MHz offset.
We proposed a new PCB-type 'common-mode current($I_c$) and differential-mode current($I_d$) detector' working for fast detection of $I_c$ and $I_d$ from the differential-mode signaling, with miniaturization effect and possibility of cheaper fabrication. In order to realize this device, we suggest a branch-line-coupler balun having a composite right- and left-handed(CRLH) one-layer microstrip phase-shifting line as compact as roughly ${\lambda}_g/14$. The presented balun obviously is different from the conventional bent-&-folded delay lines or slits on the ground for coupling the lines on the top and bottom dielectrics. As we connect the suggested balun output ports of the differential-mode signal lines via the through-port named U and coupled-port named L, $I_c$ and $I_d$ will appear at port ${\Delta}$ and port ${\Sigma}$ of the present device, in order. The validity of the design scheme is verified by the circuit-and numerical electromagnetic analyses, and the dispersion curve proving the metamaterial characteristics of the geometry. Besides, the examples of the $I_c$ and $I_d$ indicator are observed as the even and odd modes in differential-mode signal feeding. Also, the proposed device is shown to be very compact, compared with the conventional structure.
In this paper the electrochemical behaviors of hydroquinone ($H_2Q$) were investigated on a carbon paste electrode using room temperature ionic liquid N-butylpyridinium hexafluorophosphate ($BPPF_6$) as binder (ILCPE) and further applied to $H_2Q$ determination. In pH 2.5 phosphate buffer solution (PBS), the electrochemical response of H2Q was greatly improved on the IL-CPE with a pair of well-defined quasi-reversible redox peaks appeared, which was attributed to the electrocatalytic activity of IL-CPE to the $H_2Q$. The redox peak potentials were located at 0.340 V (Epa) and 0.240 V (Epc) (vs. the saturated calomel electrode, SCE), respectively. The formal potential ($E^0$') was calculated as 0.290 V and the peak-to-peak separation (${\Delta}E_p$) was 0.100 V. The electrochemical parameters of $H_2Q$ on the IL-CPE were further calculated by cyclic voltammetry. Under the selected conditions the anodic peak current was linear with $H_2Q$ concentration over the range from $5.0\;{{\times}}\;10^{-6}$ to $5.0\;{\times}\;10^{-3}\;mol\;L^{-1}$ with the detection limit as $2.5\;{\times}\;10^{-6}\;mol\;L^{-1}$ (3$\sigma$ ) by cyclic voltammetry. The proposed method was successful applied to determination of $H_2Q$ content in a synthetic wastewater sample without the interferences of commonly coexisting substances.
Yao, Fei;Sun, Yang;Tan, Chunlei;Wei, Song;Zhang, Xiaojuan;Hu, Xiaoyun;Fan, Jun
Journal of the Korean Chemical Society
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v.55
no.6
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pp.932-935
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2011
Using tetrabutyl titanate as precursor, $Eu^{3+}$ doped $TiO_2$ nano-powder was prepared by sol-gel method, the nature of luminescence of nano-powder was studied. The interaction of chlorpyrifos with $Eu^{3+}$ doped $TiO_2$ was studied by absorption and fluorescence spectroscopy. The results indicated the fluorescence intensity of $Eu^{3+}$ doped $TiO_2$ was quenched by chlorpyrifos and the quenching rate constant ($k_q$) was $1.24{\times}10^{11}\;L/mol{\cdot}s$ according to the Stern-Volmer equation. The dynamics of photoinduced electron transfer from chlorpyrifos to conduction band of $TiO_2$ nanoparticle was observed and the mechanism of electron transfer had been confirmed by the calculation of free energy change (${\Delta}G_{et}$) by applying Rehm-Weller equation as well as energy level diagram. A new rapid method for detection of chlorpyrifos was established according to the fluorescence intensity of $Eu^{3+}$ doped $TiO_2$ was proportional to chlorpyrifos concentration. The range of detection was $5.0{\times}10^{-10}-2.5{\times}10^{-7}mol/L$ and the election limit ($3{\sigma}$) was $3.2{\times}10^{-11}$ mol/L.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.44
no.10
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pp.1-6
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2007
Wireless Self-Powered Temperature Sensor for UHF Sensor Tags which are basic device for construction of ubiquitous sensor network is proposed. The key parameters of the target specification are resolution of $0.1\;^{\circ}C$ per output bit, below 1.5 V of operating voltage and below 5 uW of power consumption during sensing operation. Temperature sensor circuit consists of PTAT current generator, band gap reference circuit generating both reference voltage and current, Sigma-Delta Converter, and Digital Counter. Simulated maximum resolution was $0.23\;^{\circ}C/bit$ in 11-bit output. The proposed temperature sensor was fabricated by using a 0.25 m CMOS process. The chip area is $0.32\;{\times}\;0.22\;mm$ and the operating frequency is 2 MHz. Measured resolution from fabricated temperature sensor was $4\;^{\circ}C/bit$ in 8-bit output for the temperature range from $10^{\circ}C$ to $80^{\circ}C$.
Lim, Yeo-Myeong;Min, Kyoung Wook;Feldman, Paul D.;Han, Wonyong;Edelstein, Jerry
The Bulletin of The Korean Astronomical Society
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v.37
no.2
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pp.107.1-107.1
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2012
We present the results of far-ultraviolet (FUV) observations of comet C/2001 Q4 (NEAT) obtained with Far-ultraviolet Imaging Spectrograph (FIMS) on board the Korean microsatellite STSAT-1, which operated at an altitude of 700 km in a sun-synchronous orbit. FIMS is a dual-channel imaging spectrograph (S channel 900-1150 ${\AA}$, L channel 1350-1750 ${\AA}$, ${\lambda}/{\Delta}{\lambda}$ ~ 550) with large image fields of view (S: $4^{\circ}.0{\times}4^{\prime}.6$, L: $7^{\circ}.5{\times}4^{\prime}.3$, angular resolution 5'-10') optimized for the observation of diffuse emission of astrophysical radiation. Comet C/2001 Q4 (NEAT) was observed with a scanning survey mode when it was located around the perihelion between 8 and 15 May 2004. Several important emission lines were detected including S I (1425, 1474 ${\AA}$), C I (1561, 1657 ${\AA}$) and several emission lines of CO $A^1{\Pi}-X^1{\Sigma}^+$ system in the L channel. Production rates of the notable molecules, such as C I, S I and CO, were estimated from the photon fluxes of these spectral lines and compared with previous observations. We compare the flux and the production rates in the radius of $3{\times}10^5$ km with $20{\times}10^5$ km from the central coma. We obtained L-channel image which have map size $5^{\circ}{\times}5^{\circ}$ The image was constructed for the wavelength band of L-channel (1350 - 1710 ${\AA}$. We also present the radial profiles of S I, C I, CO obtained from the spectral images of the central coma. The radial profiles of $2{\times}10^6$ km region are compared with the Haser model.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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v.11
no.3
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pp.376-385
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1987
In this study, the plane stress fracture toughness and Tearing modulus are investigated for various crack ratios using the J integral. To evaluate the J integral and Tearing modulus, both experiments and estimation are used. The thickness of the low carbon steel specimens that is used in the experiments is 3mm. The type of specimen that is considered in the study is center-cracked-tension one. The measurements of crack length are performed by unloading compliance method. In the estimation of crack parameters such as the J integral and load line displacement, the Ramberg and Osgood stress strain law is assumed. Then simple formulas are given for estimating the crack parameters from contained yielding to fully plastic solutions. Obtained results are as follows; (1) When the crack ratio is in the range of 0.500 - 0.701, the plane stress fracture toughness is almost constant regardless of crack ratios. (2) The fracture toughness (J$\_$c/) and Tearing modulus (T) obtained are J$\_$c/=28.51kgf/mm, T=677.7 for base metal, J$\_$c/=31.85kgf/mm, T=742.0 for annealed metal. (3) Simpson's and McCabe's formulas which consider crack growth in estimating J integral are shown more conservative J and lower T than Rice's and Sumpter's. (4) Comparison of the prediction with the actual experimental measurements by Simpson's formula shows good agreement.
Park, Jun-Chul;Yoo, Chan-Sei;Kim, Dongsu;Lee, Woo-Sung;Yook, Jong-Gwan
Journal of electromagnetic engineering and science
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v.14
no.3
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pp.284-292
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2014
This paper presents a characteristic evaluation of commercial gallium nitride (GaN) transistors having two different gate-lengths of $0.4-{\mu}m$ and $0.25-{\mu}m$ in the design of a class-S power amplifier (PA). Class-S PA is operated by a random pulse-width input signal from band-pass delta-sigma modulation and has to deal with harmonics that consider quantization noise. Although a transistor having a short gate-length has an advantage of efficient operation at higher frequency for harmonics of the pulse signal, several problems can arise, such as the cost and export license of a $0.25-{\mu}m$ transistor. The possibility of using a $0.4-{\mu}m$ transistor on a class-S PA at 955 MHz is evaluated by comparing the frequency characteristics of GaN transistors having two different gate-lengths and extracting the intrinsic parameters as a shape of the simplified switch-based model. In addition, the effectiveness of the switch model is evaluated by currentmode class-D (CMCD) simulation. Finally, device characteristics are compared in terms of current-mode class-S PA. The analyses of the CMCD PA reveal that although the efficiency of $0.4-{\mu}m$ transistor decreases more as the operating frequency increases from 955 MHz to 3,500 MHz due to the efficiency limitation at the higher frequency region, it shows similar power and efficiency of 41.6 dBm and 49%, respectively, at 955 MHz when compared to the $0.25-{\mu}m$ transistor.
The Songgang-ri area, Cheongsong-gun, which is located in the Sobaeksan province of Yeongnam Massif near the southwestern boundary of Yeongyang subbasin of Gyeongsang Basin, consists of age unknown metamorphic rocks (banded gneiss, granitic gneiss, limesilicates) and age unknown igneous rock (granite gneiss) which intrudes them. This paper researched the geological structures of the Songgang-ri area from the geometric and kinematic features and the developing sequence of multi-deformed rock structures in the geological outcrops exposed about 170 m along the riverside of Yongjeoncheon in the eastern part of Songgang village, Songgang-ri. In the Songgang-ri geological outcrops are recognized three times (Fn, Fn+1, Fn+2) of folding, three times (Dk-I, Dk-II, Dk-III) intrusion of acidic dykes, one time of faulting, which are different in deformation and intrusion timing each other. These geological structures are at least formed by five times (Dn, Dn+1, Dn+2, Dn+3, Dn+4) of deformation. The Dn deformation is recognized by Fn fold which axial surface is parallel to the regional foliation. The Dn+1 intruded the (E)NE trending Dk-I dyke in the earlier phase and formed the NW trending Fn+1 fold in the later phase under compression of (E)NE-(W)SW direction. There are tight, isoclinal, intrafolial folds, boudinage, ${\sigma}$- or ${\delta}$-type boudins, asymmetric fold, C' shear band as the major deformed rock structures. The Dn+2 intruded the (N)NW trending Dk-II dyke in the earlier phase and formed NE trending Fn+2 fold in the later phase under compression of (N)NW-(S)SE direction. There are open fold and folded boudinage as those. The Dn+2 intruded the Dk-III dyke which cuts the Dk-I and Dk-II dykes and the axial surface of Fn+2 fold. The Dn+3 formed the left-handed reverse oblique-slip fault of NNE trend in which hanging wall moves into the SSE direction. Considering in that such five times of deformation recognized in the Songgang-ri geological outcrops are closely connected to the distribution and geological structure of the constituents in the more regional area as well as Songgang-ri area, the research result is expected to play a great data in clarifying and understanding the geological structure and its development process of the surrounding and boundary constituents of the Yeongnam Massif and Gyeongsang Basin.
The antimony deposits of the Hyundong mine, located in the northeastern part of the Sobaegsan massif, occur as hydrothermal quartz+carbonate veins and stockworks which fill the fault fractures developed in Precambrian metamOlphic rocks (mainly, granitic gneiss). Hydrothermal alteration occurs commonly in the vicinity of mineralized veins and is characterized by sericitization and silicification. A K-Ar age of alteration sericite is 139.2$\pm$ 4.4 Ma, implying the early Cretaceous age of mineralization, possibly in association with intrusion of nearby acidic dikes (mainly, quartz porphyry). The hydrothermal mineralization occurred in five mineralization stages. These are: (I) stage I, characterized by deposition of chalcedonic quartz; (2) stage II, deposition of quartz with base-metal sulfides and stibnite; (3) stage III, deposition of quartz and carbonates (calcite, dolomite, ankerite, rhodochrosite) with various antimony-bearing minerals such as stibnite, polybasite, berthierite, native antimony, gudmundite and ullmannite; (4) stage IV, deposition of calcite with stibnite; and (5) stage V, deposition of barren calcite. Antimony occurs mostly as stibnite within stages II to IV veins, which has various habits including disseminated, veinlets and euhedral coarse crystals. Fluid inclusion studies indicate that hydrothermal mineralization at Hyundong occurred from the fluids with temperature and salinity of $330^{\circ}$C to 120 and 5.3 wI. % equiv. NaCI. The temperature and salinity of ore fluids systematically decreased with elapsed time in the course of mineralization, possibly due to the influx of larger amounts of meteoric groundwater. The deposition of antimony-bearing minerals occurred at low temperatures «$250^{\circ}$C), mainly due to the cooling and dilution of fluids. Based on the evidence of fluid boiling during the early stage II mineralization, the mineralization occurred under low pressure conditions (about 80 bars, corresponding to depths of about 350 m under hydrostatic pressure regime). Thermodynamic considerations of ore . mineral assemblages indicate that antimony deposition also occurred as the results of decreases in temperature and sulfur fugacity of hydrothermal fluids. Calculated sulfur isotope composition of ore fluids ($\delta^{34}S_{\Sigma s}$=5.4 to 7.8$\textperthousand$) indicates an igneous source of sulfur.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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