Purpose: Collagen membranes are used extensively as bioabsorbable barriers in guided bone regeneration. However, collagen has different effects on tissue restoration depending on the type, structure, degree of cross-linking and chemical treatment. The purpose of this study was to evaluate the inflammatory reaction, bone formation, and degradation of dehydrothermal treated porcine type I atelocollagen (CollaGuide$^{(R)}$) compared to of the non-crosslinked porcine type I, III collagen (BioGide$^{(R)}$) and the glutaldehyde cross-linked bovine type I collagen (BioMend$^{(R)}$) in surgically created bone defects in rat mandible. Methods: Bone defect model was based upon 3 mm sized full-thickness transcortical bone defects in the mandibular ramus of Sprague-Dawley rats. The defects were covered bucolingually with CollaGuide$^{(R)}$, BioMend$^{(R)}$, or BioGide$^{(R)}$ (n=12). For control, the defects were not covered by any membrane. Lymphocyte, multinucleated giant cell infiltration, bone formation over the defect area and membrane absorption were evaluated at 4 weeks postimplantation. For comparison of the membrane effect over the bone augmentation, rats received a bone graft plus different covering of membrane. A $3{\times}4$ mm sized block graft was harvested from the mandibular angle and was laid and stabilized with a microscrew on the naturally existing curvature of mandibular inferior border. After 10 weeks postimplantation, same histologic analysis were done. Results: In the defect model at 4 weeks post-implantation, the amount of new bone formed in defects was similar for all types of membrane. Bio-Gide$^{(R)}$ membranes induced significantly greater inflammatory response and membrane resorption than other two membranes; characterized by lymphocytes and multinucleated giant cells. At 10 weeks postoperatively, all membranes were completely resorbed. Conclusion: Dehydrotheramal treated cross-linked collagen was safe and effective in guiding bone regeneration in alveolar ridge defects and bone augmentation in rats, similar to BioGide$^{(R)}$ and BioMend$^{(R)}$, thus, could be clinically useful.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.86-87
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2009
High quality $CuInSe_2$ (CIS) were grown on GaAs substrate by using the hot wall epitaxy method. The behavior of point defects in the CIS layer investigated by using photoluminescence (PL) at 10 K. Point defects originating from $V_{Cu}$, $V_{Se}$, $Cu_{int}$, and $Se_{int}$ were classified as donor or acceptor types. These PL results also led us to confirm that the p-type CIS layer had obviously converted into n-type after the Cu atmosphere treatment. Finally, we found that the In in the CIS layer did not form the native defects, because In existed in the form of stable bonds in the CIS layer.
Effects of non-cleaning and cleaning fluxes on the wetting properties and defects at flow soldered joints were investigated. Non-cleaning flux (R-type of 3.3% solid content) and cleaning flux (RMA-type of 15% solid content) were used. Wetting test was accomplished by wetting balance method with changing surface state of wetting specimen, CU. Sn-37%Pb solder was used for wetting test and flow soldering. As experimental results, the wetting time for vertical force from the surface tension being zero was mainly affected by surface state of the wetting specimen. Non-cleaning flux had a good wettability compared with cleaning flux. In case of non-cleaning flux, conveyor speed had a great affection to defects of bridge, icicle, and poor solder.
Proceedings of the Korean Society for Technology of Plasticity Conference
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1999.03b
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pp.169-172
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1999
Thixoforming process has been accepted as a new method for fabricating near net shaped products with lighweight aluminum alloys. The thixoforming process consists of reheating process of billet, billet handing filling into the die cavity and solidification of thixoformed part,. in this paper the thixoforming experiments are performed with two different die temperature ({{{{ TAU _d}}}}=20$0^{\circ}C$ 30$0^{\circ}C$) and orifice gate type. The microstructures of SSM(357, A490 and ALTHIX 86S) fabricated in thixoforming process are evaluated in therms of globularization and grain size. effect of alloying elements onthe surface and internal defects is investigated. Finally the methods to obtain the thixoformed products with good mechanical propertis are proposed by solution for avoiding the surface and internal defects.
The defects occurred in knitted fabrics have several types due to some trouble sources. In particular, the defects caused by knitting machine troubles give a serious damage to the whole webs. It is, therefore, necessary to discriminate the kind of defects. The method to discriminate the type and size of defects has been proposed, which is used a pair of narrow band eliminating spatial filters. This method is based upon an isotropic signal processing in time domain. This paper is to confirm that the proposed method can be useful in the discrimination of defects, having analyzed in spatial frequency domain.
Proceedings of the Korean Institute of Building Construction Conference
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2021.11a
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pp.56-57
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2021
Apartments, an intensive residential type, exist and are supplied in large quantities regardless of the size of the city. The value of an apartment is affected not only by the surrounding infrastructure, but also in terms of maintenance. Defects that occur in apartments come in various forms, and mainly poor finishing accounts for 60% of the defects. Among them, tile defects accounted for a large proportion and were found to be caused by several factors. This paper analyzed the influence of each factor considering the coefficient of thermal expansion affecting tile defects according to the domestic seasonal climate.
The software defects that are not found in the course of a project frequently appear during the conduct of the maintenance procedure after the complete development of the software. As the frequency of surfacing of defects during the maintenance procedure increases, the cost likewise increases, and the quality and customer reliability decreases. The defect rate will go down only if cause analysis and process improvement are constantly performed. This study embodies the defect tracking system (DTS) by considering the Pareto principle: that most defects are repetitions of defects that have previously occurred. Based on the records of previously occurring defects found during the conduct of a maintenance procedure, DTS tracks the causes of the software defects and provides the developer, operator, and maintenance engineer with the basic data for the improvement of the software concerned so that the defect will no longer be manifested or repeated. The basic function of DTS is to analyze the defect type, provide the measurement index for it, and aggregate the program defect type. Doing these will pave the way for the full correction of all the defects of a software as it will enable the defect correction team to check the measured defect type. When DTS was applied in the software configuration management system of the W company, around 65% of all its software defects were corrected.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.19
no.3
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pp.683-688
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2015
Recently, various static analysis tools for software defect detection are becoming widely used in practice. However, there is little public information of the most frequent defects in commercial areas until now. In this paper, we analyze the defects found by CodeSonar, a static analysis tool that finds defects in C/C++, Java programs. So we report the most frequent defects by various aspects in Dongnam area, Korea.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.823-827
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2001
The AgInS$_2$epilayers with chalcopyrite structure grown by using a hot-wall epitaxy (HWE) method have been confirmed to be a high quality crystal. From the optical absorption measurement, the temperature dependence of the energy band gap on the AgInS$_2$/GaAs was derived as the Varshni's relation of Eg(T)=2.1365 eV-(9.89${\times}$10$\^$-3/ eV)T$^2$/(2930+T). After the as-grown AgInS$_2$/GaAs was annealed in Ag-,S-, and In-atmosphere, the origin of point defects of the AgInS$_2$/GaAs has been investigated by using the photoluminescence (PL) at 10 K. The native defects of V$\_$Ag/, V$\_$s/, Ag$\_$int/, and S$\_$int/ obtained from PL measurement were classified to donors or acceptors type. And, we concluded that the heat-treatment in the S-atmosphere converted the AgInS$_2$/GaAs to optical p-type. Also, we confirmed that the In in the AgInS$_2$/GaAs did net from the native defects because the In in AgInS$_2$did exist as the form of stable bonds.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.5
no.2
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pp.50-54
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2004
The AgInS$_2$epilayers with chalcopyrite structure grown by using a hot-wall epitaxy (HWE) method have been confirmed to be a high quality crystal. From the optical absorption measurement, the temperature dependence of the energy band gap on the AgInS$_2$/GaAs was derived as the Varshni's relation of E$\_$g/(T) = 2.1365 eV - (9.89${\times}$10$\^$-3/ eV/K) T$^2$/(2930+T eV). After the as-grown AgInS$_2$/GaAs was annealed in Ag-, S-. and In-atmosphere, the origin of point defects of the AgInS$_2$/GaAs has been investigated by using the photoluminescence (PL) at 10 K. The native defects of $V_{Ag}$, $V_s$, $Ag_{int}$, and $S_{int}$ obtained from PL measurement were classified to donors or accepters type. And, we concluded that the heat-treatment in the S- atmosphere converted the AgInS$_2$/GaAs to optical p-type. Also, we confirmed that the In in the AgInS$_2$/GaAs did not form the native defects because the In in AgInS$_2$did exist as the form of stable bonds.
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