National standard system for calibrating current transformer(CT) up to primary current of 20,000A have been established. The system consists of 20,000 A AC high current source, CT comparator, standard CT, CT under test and CT burden. An AC high current is applied tn the primary windings of both the standard CT and the CT under test, and then the CT comparator measures the ratio error and the phase displacement by comparing the secondary currents of the two transformers. As a validity check for 20,000 A CT calibration system, the comparison with the two national standard institutes(NMIs) has been performed using same CTs. The comparison results of the CTs are consistent with those measured at two NMIs within 0.004 % for ratio error and 0.1 min for phase displacement in the primary current ranges of Ip = 10 - 20,000 A with a secondary current of Is = 5 A.
The effect of current waveform on Cu filling into TSV (through-silicon via) and the bottom-up ratio of Cu were investigated for three dimensional (3D) Si chip stacking. The TSV was prepared on an Si wafer by DRIE (deep reactive ion etching); and its diameter and depth were 30 and $60{\mu}m$, respectively. $SiO_2$, Ti and Au layers were coated as functional layers on the via wall. The current waveform was varied like a pulse, PPR (periodic pulse reverse) and 3-step PPR. As experimental results, the bottom-up ratio by the pulsed current decreased with increasing current density, and showed a value of 0.38 on average. The bottom-up ratio by the PPR current showed a value of 1.4 at a current density of $-5.85mA/cm^2$, and a value of 0.91 on average. The bottom-up ratio by the 3-step PPR current increased from 1.73 to 5.88 with time. The Cu filling by the 3-step PPR demonstrated a typical bottom-up filling, and gave a sound filling in a short time.
In DC electric railways, while an electric rail car is driving, a part of the working current returned to the substation through rails leaks into the ground. Such a stray current causes railway facilities and metal objects to corrode electrolytically. Therefore, change of stray current needs to be monitored constantly. But so far in domestic, the research on stray current measuring techniques and system adaption are insufficient. To estimate stray current, this paper addresses a method of monitoring the return current that is returned into the negative pole of the substation in real time.
Arc pressure is one of important factors in understanding physical arc phenomena. Especially it affects on the penetration, size and shape of TIG welding. Some researches were reported on the effect of arc pressure in low and middle current region. But there are not any research in high current region. The purpose of this study is to investigate the arc pressure distribution with mixing ratio of shield gas such as Ar and He gases. A Cu block with water cooling was specifically designed and used as an anode electrode in order to measure the arc pressure in high current region. Then, the arc pressure distribution was measured with change in welding current and mixing ratio of shield gases. The arc force was obtained by numerically integrating the measured results. As the results, it was shown that the arc pressure was concentrated at the central part of the arc in middle and high current regions when a pure Ar gas was used. In case of Ar + He mixing gas, the arc pressure was much lower than that of pure Ar gas. In addition, it was widely distributed to radial direction.
Kim, Sang-Gi;Won, Jong-Il;Koo, Jin-Gun;Yang, Yil-Suk;Park, Jong-Moon;Park, Hoon-Soo;Chai, Sang-Hoon
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제17권5호
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pp.302-305
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2016
In this paper, a low on-resistance and high current driving capability trench gate power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) incorporating a current sensing feature is proposed and evaluated. In order to realize higher cell density, higher current driving capability, cost-effective production, and higher reliability, self-aligned trench etching and hydrogen annealing techniques are developed. While maintaining low threshold voltage and simultaneously improving gate oxide integrity, the double-layer gate oxide technology was adapted. The trench gate power MOSFET was designed with a 0.6 μm trench width and 3.0 μm cell pitch. The evaluated on-resistance and breakdown voltage of the device were less than 24 mΩ and 105 V, respectively. The measured sensing ratio was approximately 70:1. Sensing ratio variations depending on the gate applied voltage of 4 V ~ 10 V were less than 5.6%.
The theoretical analysis for AlInAs/GaInAs resonant tunneling diodes (RTDs), which have shown the improved negative differential resistance (NDR) characteristics, has scarcely been made in comparison with AlGaAS/GaAs RTDs. In this paper, the static current-voltage relation of Al$_{0.48}In_{0.52}As/Ga_{0.47}In_{0.53}$As RTDs were numerically estimated by using a self-consistent method. Assuming a simplified RTD with single quantum well structure and spacer layers, the peak current density (J$_{P}$) and the peak-to-valley current ratio (PVCR) were analysed as the function of the thickness of the well, the barrier and the spacer layer, and temperature. As the results, the peak current density and the peak-to-valley current ratio indicated a reciprocal relation roughly in respect to the thicknesses of the well and the barrier, and it was theoretically predicted that it be not attainable to provide a high peak current desity (J$_{P}$) over 1${\times}10^{5}A/cm^{2}$ as well as the large peak-to-valley current ratio (PVCR) over 10 that were the the critical conditions for the practical use.
본 연구에서는 10 nm이하 채널길이를 갖는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널도핑농도 변화에 대한 터널링 전류(tunneling current)의 변화에 대하여 분석하고자 한다. 채널길이가 10 nm이하로 감소하면 차단전류에서 터널링 전류의 비율이 문턱전압이하 영역에서 차지하는 비율이 증가하게 된다. 비록 비대칭 이중게이트 MOSFET가 단채널효과를 감소시키기 위하여 개발되었을지라도 10 nm 이하에서 터널링 전류에 의한 차단전류의 증가는 필연적이다. 본 연구에서는 채널도핑농도의 변화에 대하여 차단전류 중에 터널링 전류의 비율 변화를 계산함으로써 단채널에서 발생하는 터널링 전류의 영향을 관찰하고자 한다. 열방사 전류와 터널링 전류로 구성된 차단전류를 구하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 WKB(Wentzel- Kramers-Brillouin) 근사를 이용하여 터널링 전류를 구하였다. 결과적으로 10 nm이하의 채널길이를 갖는 비대칭 이중게이트 MOSFET에서는 채널도핑농도에 의하여 터널링 전류가 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 채널길이, 채널두께, 상하단 게이트 산화막 및 전압 등의 파라미터에 따라 매우 큰 변화를 보이고 있었다.
This study was attempted to analyze causal relations among flexibility, growth, and profitability variables, which are the financial indexes of restaurant enterprises. The samples were 24 restaurant enterprises in total, and 102 financial statements between 2002 and 2006 were analyzed. As a result of the analysis, total asset growth rate influenced all profitability variables among growth variables. Also, the net sales growth influenced return on sales and return on assets, and the assets turnover influenced return on assets and return on equity. Among flexibility variables, current ratio and interest coverage ratio to operating profit influenced return on assets, and return on equity was influenced by current ratio and debt-to-equity ratio.
The fault current limiting characteristics at the initial fault time for flux-lock type high-Tc superconducting fault current limiter(SFCL) were investigated. The amplitude of initial fault current of the flux-lock type SFCL was dependent on the inductance ratio of coil 1 and 2. After fault current limiting mode was analyzed, we compared the calculated value with the experimental one for the initial fault current. The effect of initial fault current due to the inductance ratio of coil 1 and 2 on fault current limiting characteristics was discussed.
The transformer is expected to be an essential component of a superconducting fault current limiter (SFCL) for both the increase of its voltage ratings and the simultaneous quench due to different critical current between high-$T_C$ superconducting (HTSC) elements comprising the SFCL. However, in order to perform the effective current limiting operation of the SFCL, the design for the SFCL considering the hysteresis characteristics of the iron core is required. In this paper, the influence of the hysteresis characteristics of the iron core comprising the transformer type SFCL on its current limiting characteristics was investigated. Through the comparative analysis on the hysteresis curves due to the ratio of the turn number between the 1st and the 2nd windings of the transformer, the proper design condition for the ratio of the turn number to achieve the effective current limiting operation of the transformer type SFCL could be obtained.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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