We have developed an evaluation technique for both ratio error and phase displacement of current transformer (CT) comparator by using the precise standard capacitors and resistors. By applying this technique to equivalent circuit of CT comparator evaluation system, we can obtain the calculated and measured ratio errors (or phase displacements) in the CT comparator. Thus we can evaluate ratio errors and phase displacement of CT comparator by comparing the calculated and measured ratio errors (or phase displacements). The method was applied to CT comparator under test with the ratio errors and phase displacement ranges of $0{\sim}{\pm}10%$ and $0{\sim}{\pm}7.5$ crad, respectively. Finally we have compared the ratio error and phase displacement of the CT comparator obtained in this method with specifications of two companies.
본 논문에서는 재무성과를 나타내는 다양한 지표 들 중 기업 안정성과 관련하여 대표적인 지표인 유동비율 및 부채비율과 건설업체 사업 포트폴리오 다각화 수준 간에 관계성을 분석하여 시사점을 도출하는 것을 목적으로 한다. 이에 본 연구에서는 건설업체 안정성 변수로 유동비율과 부채비율을 분석변수로 활용하였다. 건설업체의 사업 포트폴리오 다각화 수준을 나타내는 지표로는 베리-허핀달(Berry-Herfindahl) 지수를 활용하였다. 각 변수의 시계열 자료는 2001년 1분기부터 2013년 3분기까지의 분기별 자료이며 금융감독원의 금융공시시스템을 통해 확보하였다. 분석결과, 유동비율과 부채비율이 증가하게 되면 사업 다각화가 이루어지며, 역으로 사업 다각화가 이루어지면 유동비율은 높아지고, 부채비율은 낮아지는 것으로 확인되었다. 하지만 유동비율과 부채비율의 변동이 사업 다각화에 미치는 영향보다 사업 다각화가 유동비율 및 부채비율에 미치는 영향이 상대적으로 큰 것으로 확인되었다. 반면에 다각화수준이 높아지게 되면, 건설업체의 유동비율이 높아지고, 부채비율은 낮아지는 매우 긍정적인 효과가 발생하는 것으로 확인되었다. 즉 건설업체의 재무적 안정성을 추구하는데 있어서 사업 포트폴리오 다각화는 필수적임을 나타낸다.
AT 방식의 교류 급전시스템에서는 고장점 표정하기 위해 리액턴스 방식과 AT흡상전류비 방식을 채택하고 있다. 하지만 이 방식들은 여러 이유로 인해 표정 오차가 발생할 수 있다. 기존 방식의 이러한 단점을 해결하기 위해 전차선 전류 분류비를 이용하여 고장점을 표정하는 새로운 기법을 제안한다. 전차선 전류 분류비 방식은 기존에 전차선에 연결되어 있는 보호계전기를 사용하여 각 전차선의 전류를 측정하고 취합하여, 그 비(ratio)를 이용하여 고장지점을 표정한다. 이 방식은 기존의 기법보다 더 정확한 고장점을 표정할 수 있으며, 기존의 설치되어있는 계전기를 사용함으로써 추가 설비의 비용을 절감할 수 있다.
An investigation was conducted to determine whether the ratio of the fluid to the charged particles affects the panel reflexibility rate and the drifting current flowing in the panel, in electrophoretic-based electronic paper. In this regard, three panels were produced in this study with the ratio of the charged particles to the fluid set as 1:5, 1:1, and 5:1. Each sample was driven using an identical input pulse, for which the current flowing in the panel and the output voltage of the photodiode were measured for the panel reflexibility rate. Consequently, the drifting current initially exhibited a peak value and a saturated value at a later point. This value was proportional to the ratio of the charged particles, and it was similar to this ratio when it is higher than 1:1. The output voltage of the photodiode due to the panel reflexibility rate was proportional to the ratio of the charged particles. However, the response speed decreased if the ratio was higher than 1:1. It is expected that the results of this study will contribute to the analysis of the charging of charged particles in electrophoretic-based electronic paper, and the selection of an appropriate concentration.
A tidal current turbine is designed and analyzed numerically by using blade element momentum theory. The rated power has a limitation because the diameter of the tidal current turbine cannot exceed the depth of sea water. This study investigates a horizontal axis tidal-current turbine with a rated power of 500 kW. NACA-6 series laminar foil shape is used for basic airfoil along the blade span. The distributions of chord length and twist angle along the blade span are obtained from the hydrodynamic optimization procedure. Prandtl's tip loss correction and angle of attack correction considering the three-dimensional effect are applied for this study. The power coefficient curve shows maximum peak at the rated tip speed ratio of 6.0, and the maximum torque coefficient is developed at the tip speed ratio of 4. The drag coefficient reaches about 0.85 at the design tip speed ratio.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제9권2호
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pp.110-116
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2009
The prominent advantages of Dual Material Surrounding Gate (DMSG) MOSFETs are higher speed, higher current drive, lower power consumption, enhanced short channel immunity and increased packing density, thus promising new opportunities for scaling and advanced design. In this Paper, we present Transconductance-to-drain current ratio and electric field distribution model for dual material surrounding gate (DMSGTs) MOSFETs. Transconductance-to-drain current ratio is a better criterion to access the performance of a device than the transconductance. This proposed model offers the basic designing guidance for dual material surrounding gate MOSFETs.
According to the increase of electric consumption nowadays, power system becomes complicated. Due to this, the size of single line-to-ground fault from power system also increases to have many problems. In order to resolve these problems effectively, an Superconducting Fault Current Limiter(SFCL) was proposed and continuous study has been done. In this paper, an SFCL was combined to the neutral line of a transformer. An superconductivity has the characteristics of zero resistance below critical temperature. because of this, SFCL has nearly zero resistance. so we connecting SFCL to neutral line will not only have any loss in the normal operation but also have the less burden of electric power because of only limiting the initial fault current. We analyzed the characteristics of current, voltage according to the changes of turn ratio of 3 phase system in case of combinations of an SFCL to the neutral line. It was confirmed that the limiting rate of initial fault current by the increase of turn ratio was reduced.
본 논문에서는 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 산화막 두께비에 대한 터널링 전류의 변화에 대하여 분석하고자 한다. 채널길이가 5 nm까지 감소하면 차단전류에서 터널링 전류의 비율이 크게 증가하게 된다. 이와 같은 단채널효과는 상하단 게이트 산화막 구조를 달리 제작할 수 있는 비대칭 이중게이트 MOSFET에서도 발생하고 있다. 본 논문에서는 상하단 게이트 산화막 두께비 변화에 대하여 차단전류 중에 터널링 전류의 비율 변화를 채널길이, 채널두께, 도핑농도 및 상하단 게이트 전압을 파라미터로 계산함으로써 단채널에서 발생하는 터널링 전류의 영향을 관찰하고자 한다. 이를 위하여 포아송방정식으로부터 해석학적 전위분포를 구하였으며 WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin)근사를 이용하여 터널링 전류를 구하였다. 결과적으로 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET에서는 상하단 산화막 두께비에 의하여 터널링 전류가 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 채널길이, 채널두께, 도핑농도 및 상하단 게이트 전압 등의 파라미터에 따라 매우 큰 변화를 보이고 있었다.
돌출부를 지니고 있는 전극의 전기도금 공정에 대한 이론적 이차 전류분포에 대하여 고찰하였다. 전극이 모두 전도체인 경우(Case 1)와 돌출부위만 전도체인 경우(Case 2) 두 가지 경우에 대하여 인가전위, 이온교환 전류밀도와 용액의 비전도도의 비인 $\xi$값, aspect ratio의 영향 등에 대하여 살펴보았다. 그 결과 인가 전위와 $\xi$값이 증가할수록 전류분포는 불균등화가 심화됨을 알 수 있었다. Aspect ratio가 작아질수록 전류분포가 보다 균등화되며 Case 2의 경우가 Case 1의 경우 보다 균등도가 좋아짐을 알 수 있었다. 돌출부위가 다양한 모양으로 이루진 전극에 대해서도 이 모델을 적용한 결과 전극 표면에 따른 국부 전류분포를 동시에 계산할 수 있음을 알 수 있었고 이 경우에도 이전과 마찬가지로 $\xi$값이 감소할수록 전류분포의 균등도가 좋아짐을 알 수 있었다.
The object of this study is to examine the effect of short circuit time ratio (SCTR) and current rise delay time (Td) on the spatter generation at low and medium current range in $CO_2$ welding. The spatter was evaluated by the weight generated in the welding of bead-on-plate for 30 seconds (3 times). Td was varied by order of 0, 0.4, 0.8 and 1.2 msec. At each Td, the short circuit time ratio was varied by the output voltage of the welding power source. In the low current range, it was found that the optimum SCTR was 20~25%, and the minimum spatter generation weight was obtained in the case of Td=0.4msec and SCTR=22% even though the remarkable difference was not showed by the application of Td. In the medium current range, it was confirmed that the arc was stable though the SCTR was increased from 20% to 40% by the control of current wave. Spatter generation weight depended on the variation of Td, and the lowest value of spatter generation weight occurred at Td=0.8~1.2msec.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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