제올라이트 A의 결정화 과정에서 온도, $Na_2O$와 $SiO_2$ 조성의 영향을 조사하였다. 각 결정화 조건에서 결정화 곡선과 최종 생성물의 결정크기 분포를 조사하고 반응 경로 모델을 이용하여 결정화 속도를 구하였다. 결정화 과정은 길이 성장 속도상수가 결정 크기와 무관하게 일정하고 무정형 고형 겔과 용해된 반응물이 평형을 이룬다는 가정으로 잘 모사되었으며, 실험결과와 비교하여 길이성장 속도상수 등을 결정할 수 있었다. 온도가 높아지면 길이성장 단계와 용해된 반응물의 분율이 커져서 결정화 속도가 커졌다. 반면 $Na_2O/H_2O$ 몰비가 커지면 성장단계는 촉진되지 않으나 용해된 반응물의 분율이 커졌으며 핵심생성이 촉진되었다. $SiO_2/Al_2O_3$ 몰비에 따라 용해된 반응물 분율과 핵심생성 속도가 달라진다. 각 결정화 조건에서 제올라이트 A의 길이성장 속도상수는 $0.07{\sim}0.24{\mu}m{\cdot}min^{-1}$로 추정되었으며 겉보기 활성화에너지는 $49kJ{\cdot}mol^{-1}$이었다.
We report crystallization of a-Si using XeCl excimer laser annealing [1] on the plastic substrate. We tried to obtain higher crystallinity as the effect of $CeO_2$ seed layer patterned. Also, we tried to control the direction of crystallization growth of silicon layer for lateral growth as the type of $CeO_2$ pattern. This crystallization method plays an important role in low temperature poly-Si (LTPS) [2] process and flexible display.
This work focused on the study of thermal properties and kinetic behavior of LDPE-nanoclay composite films. The effect of nanoclay content (0.5, 1, 3, and 5 wt%) on thermal stability and crystallization characteristics of the nanocomposites were investigated by Thermogravimetric Analysis (TGA) and Differential Scanning Calorimetry (DSC). The results from endothermic curve showed that the nanoclay played an important role in the crystallization of nanocomposites by acting as nucleating agent. From exothermic curve, there was a crystallization temperature shift which was attributed to crystallization process induced by nanoclay. The TGA results showed that the addition of nanoclay significantly increased the thermal stability of LDPE matrix, which was likely due to the characteristic of layered silicates/clays dispersed in LDPE matrix as well as the formation of multilayered carbonaceous-silicate char. A well-known Coats-Redfern method was used to evaluate the decomposition activation energy of nanocomposite. It was demonstrated that introducing of nanoclay to LDPE matrix escalated the activation energy of nanocomposite decomposition resulting in thermal stability improvement.
Meng, Z.;Liu, Z.;Zhao, S.;Wu, C.;Wong, M.;Kwok, H.;Xiong, S.
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.985-988
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2008
Metal induced crystallization of a-Si with a source of Ni/Si oxide was studied. Its mechanism to induce crystallization was discussed. It was found that new source behaves an effect of self-released nickel and reducing nickel residua, so can provide a wider process tolerance; improve the uniformity and stability of TFTs.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.378-381
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2009
As a Joule-heat source, a conductive Mo layer was used to crystallize amorphous silicon for AMOLED backplanes. This Joule-heating induced crystallization (JIC) process could produce poly-Si having a grain size ranging from tens of nanometers to greater than several micrometers. Here, the blanket (single-shot whole-plane) crystallization could be achieved on the $2^{nd}$ and the $4^{th}$ generation glass substrate.
$Co_{78-x}Pt_xB_{10}Si_{12}$ alloys were produced using the melt-spin process in order to study the crystallization behavior and ensuing magnetic properties of the $Co_{78-x}Pt_xB_{10}Si_{12}$ (Co-Pt) amorphous alloys as a function of the Pt content. We showed that when $\chi$$>$ 15 well below its stoichiometric composition, CoPt crystallized in the amorphous alloy, thus greatly altering the crystallized microstructure and magnetic properties during annealing. Below this composition, the main crystallization product was Co with Pt dissolved in its lattice. In spite of the nucleation of CoPt with high magnetic anisotropy, the highest coercivity was obtained when x was 15. It was also concluded that the Pt addition deteriorated the glass stability, triggering the devitrification at a progressively lower temperature.
A 532 nm Nd-YAG laser was applied to crystallize amorphous Si thin films in order to evaluate the applicability of a Nd-YAG laser to low-temperature polycrystalline Si technology. The irradiation of a green laser was controlled during the crystallization of amorphous Si thin films deposited onto glass substrates in a sophisticated process. Raman spectroscopy and UV-Visible spectrophotometry were employed to quantify the degree of crystallization in the Si thin films in terms of its optical transmission and vibrational characteristics. The effectiveness of the Nd-YAG laser is suggested as a feasible alternative that is capable of crystallizing the amorphous Si thin films.
We studied the crystallization of a-Si:H thin film. Multi-crystallized Si films are preferred in many applications such as FPD, solar cells, RAM, and integrated circuits. Because most of these applications require a low temperature process, we investigated a crystallization of a-Si:H using a Cd layer. A metal Cd shows an eutectic point at a temperature of 321$^{\circ}C$. This paper present Cd layer assisted crystallization of a-Si:H film for the various grain growth Parameters such as anneal temperature, Cd layer thickness, and anneal time
란타늄 옥살레이트 반응성 결정화에서 교반속도, 반응물의 농도 및 주입속도 그리고 반응온도 등이 결정입자의 생성 및 성장에 미치는 영향에 대해 실험적으로 조사하였다. 일반적으로 낮은 과포화 농도에서 결정화 연구를 수행하면 현상의 분석이 비교적 분명하나 실제 결정화 공정에서와 같이 높은 과포호 농도에서는 결정화 현상이 매우 복잡하게 나타난다. 본 실험에서는 높은 농도의 염화 란타늄과 옥살산 반응물을 single-jet 반회분식 반응기에서 반응시켜 란타늄 옥살레이트의 결정화를 유도하였다. 교반속도의 증가는 란타늄 옥살레이트의 결정화 과정에서 반응물의 반응속도와 결정의 입자 성장을 촉진하는 방향으로 영향을 미치게 된다. 서로 상반되는 효과를 나타내는 두 과정 중에서 교반속도가 반응물의 반응속도에 더 많은 영향을 미침으로서 교반속도의 증가에 따라 용액의 과포화가 증가되며 따라서 결정의 평균입자 크기가 감소하는 경향을 나타내었다. 반응물의 농도 및 주입속도의 증가에서도 이와 같은 효과에 의해 결정 입자 크기가 감소하는 경향을 보여주었다. 반응온도를 증가시키는 경우에는 결정 평균 입자 크기가 증가하는 것으로 나타났다. 본 실험에서 행한 조업 조건의 변화 범위내에서는 결정의 모양 변화가 나타나지 않았다.
이수석고 상태로 존재하는 인산부생석고를 ${\beta}$형 반수석고가 되도록 탈수한 다음 급격히 수화시켜 석고성분 만을 미립의 침상결정이 되도록 하여 불순물과 분리하는 공정과 여기서 회수된 침상의 이수석고 슬러리에 무수황산나트륨 ($Na_2SO_4$)을 첨가하여 용해시키고 적당한 조건에서 탈수와 결정성장 조작을 행하여 고순도 이수석고 결정을 회수하는 공정을 제안하였다. 본 고에서는 상온에서의 미립 이수석고의 결정성장속도, 전체 공정 단계별 수용액 내 $Ca^{2+}$의 농도 변화, 결정질 석고의 입도와 회수율에 미치는 수중탈수 시간, 결정성장 온도, 강온속도의 영향에 대하여 조사하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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