We present a hypothetical quantum scattering model to propose a novel electroluminescence device. Adoping with features of solid state semiconductor LED and exciplex laser, the cathode (electrol incoming potential) and anode(electron outgoing potential) are made to correspond to two 1-dimensional resonance supporting potentials, and the light emitting part to an interaction potential in the intermediate region. When an external voltage is applied, the electron flows into the cathode having small work function. Subsequently in flows via LUMO of the " electron incoming potential" loses kinetic energy emitting a photon, then continues to flow via LUMO of the "electron outgoing potential" unlike the conventional LUMO to HOMO transitions occurring in solid state semiconductor LED. In this model, the photon frequency can be controlled by adijusting the applied voltage. The model hopefully could be realized as partially conjugated hydrocarbon chains.
A new anthracene-containing conjugated molecule was synthesized through the Sonogashira coupling and reduction reactions. 1-Ethynyl-4-hexylbenzene was coupled to 2,6-bis((4-hexylphenyl) ethynyl)anthracene-9,10-dione through a reduction reaction to generate 2,6,9,10-tetrakis((4-hexylphenyl)ethynyl) anthracene. The semiconducting properties were evaluated in an organic thin film transistor (OTFT) and a single-crystal field-effect transistor (SC-FET). The OTFT showed a mobility of around 0.13 $cm^2\;V^{-1}\;s^{-1}$ ($I_{ON}/I_{OFF}$ > $10^6$), whereas the SC-FET showed a mobility of 1.00-1.35 $cm^2\;V^{-1}\;s^{-1}$, which is much higher than that of the OTFT. Owing to the high photoluminescence quantum yield of 2,6,9,10-tetrakis((4-hexylphenyl)ethynyl) anthracene, we could observe a significant increase in drain current under irradiation with visible light (${\lambda}$ = 538 nm, 12.5 ${\mu}W/cm^2$).
Recently, thiophene oligomer with short chain lengths has received much attention as model compounds for facilitating better understanding of electronic and optical properties of polymers, because oligomer is well-defined chemical systems and its conjugation chain length can be exactly controlled. Moreover, organic this films based on conjugated thiophene oligomer have potential for application to electronic and optoelectronic devices such as MISFETs(metal-insulator-semiconductor field-effect transistors) and LEDs(light-emitting diodes). However, there is little knowledge on electronic and structural properties of linear-conjugated oligothiophenes in solid states, compared with those in solutions. $\alpha$-sexithienyl($\alpha$-6T) thin-films were deposited by OMBD(Organic Molecular Beam Deposition) technique, where the $\alpha$-6T was synthesized and purified by the sublimation method. The $\alpha$-6T films were deposited under various conditions. The effects of deposition rate, substrate temperature, and vacuum pressure on the formation of these films have been studied. The molecules in the $\alpha$-6T film deposited at a low deposition rate under a high vacuum were aligned almost perpendicular to the substrate. The $\alpha$-6T films deposited at an elevated substrate temperature showed higher conductivity than the film deposited at room temperature. Electrical characterization of these films will be also executed by using four-point probe measurement technique.
본 논문에서는 유기전자소자의 반도체 물질로 많이 사용되는 poly(9,9-dioctylflurorene) (PFO), poly(9,9-dioctylfluorene-co-benthiadiazole) (F8BT), (regioregular poly(3-hexylthiophene) (P3HT)를 기반으로 하는 균일한 크기와 특성을 가지는 고분자 나노와이어를 AAO 템플레이트를 이용하여 대량으로 제작하였다. 제작된 나노와이어는 결점이 없이 깨끗한 표면을 보였으며, 약 250~300 nm의 지름과 ${\sim}30{\mu}m$의 일정한 길이를 가지고 있었다. 나노와이어들은 스프레이 분사 방법을 통하여 유리 기판 위에 균일하게 분사할 수 있었으며, PFO와 F8BT 나노와이어의 경우 UV 빛의 조사하에 각각 나노와이어의 전체에 걸쳐서 왜곡없이 밝은 yellow와 blue luminescence를 보였다.
Nanoimprint lithography (NIL) has attracted broad interest as a low cost method to define nanometer scale patterns in recent years. A major disadvantage of thermal NIL is the thermal cycle, that is, heating over glass transition temperature and then cooling below it, which requires a significant amount of processing time and limits the throughput. One of the methods to overcome this disadvantage is to improve the cooling performance in NIL process. In this paper, the performance of the cooling system of thermal NIL is numerically investigated by SolidWorks Flow Simulation program. The calculated temperatures of nanoimprint device were verified by the measurements. By using the analysis model, the effects of the change of flow velocity and cooler location on the cooling performance are investigated. For the 6 cases (0.1 m/s, 0.5 m/s, 1 m/s, 3 m/s, 5 m/s, 10 m/s) of flow velocity and for the 6 cases of distances (50 mm, 40 mm, 30 mm, 20 mm, 10 mm, 1 mm) of cooler location, the heat conjugated flow analyses are performed and discussed.
Organic thin-film transistors (OTFTs) with printable semiconductors are promising candidate devices for flexible active-matrix (AM) display applications. Yet, stable operation of actual display panels driven by OTFTs has seldom been reported up to date. Here, we demonstrate a flexible reflective type polymer dispersed liquid crystal (PDLC) display, in which inkjet-printed OTFT arrays are used as driving elements with excellent areal uniformity in terms of device performance. As the active semiconductor, a novel, ambient processable conjugated copolymer was synthesized. The stability of the devices with respect to electrical bias stress was improved by applying a channel-passivation layer, which suppresses the environmental effects and hence reduces the density of trap states at the channel/dielectric interface. The combination of high performance and high stability OTFT devices enabled the successful realization of stable operating flexible color-displays by inkjet-printing.
In the study, a numerical analysis is conducted to investigate the heat transfer characteristics of an inverter system inside a panel for three locations (bottom, middle and top). A conjugate heat transfer is simulated using a CFD (computational fluid dynamics) code since the heat transfer through the surrounding panel walls is important. It is shown that the heat flux through the left wall, which is important for the safety of the electronic equipment, is the biggest when the inverter is located at bottom. On the other hand, the heat flux through the left wall is negligible when the inverter at middle or top. It is also found that the heat flux to the surrounding walls is the lowest when the inverter is at middle.
In this study, we have investigated the power conversion efficiency of organic solar cells utilizing conjugated polymer/fullerene bulk-hetero junction(BHJ) device structures. We have fabricated poly(3-hexylthiophene)(P3HT), poly[2methoxy-5-(3',7'-dimethyloctyl-oxy)-1-4-phenylenevinylene] as an electron donor, [6,6]-phenyl $C_{61}$ butyric acid methylester(PCBM-$C_{61}$)as an electron acceptor, and poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate)(PEDOT:PSS) used as a hole injection layer(HIL), after fabricated active layer, between active layer and metal cathode(Al) deposited LiF interlayer(5 nm). The properties of fabricated organic solar cell(OSC) devices have been analyzed as a function of different thickness. The electrical characteristics of the fabricated devices were investigated by means J-V, fill factor(FF) and power conversion efficiency(PCE). We observed the highest PCEs of 0.628%(MDMO-PPV:PCBM-$C_{61}$) and 2.3%(P3HT:PCBM-$C_{61}$) with LiF inter-layer at the highest thick active layer, which is 1.3times better than the device without LiF inter-layer.
In this study, we have shown the power conversion efficiency of organic thin film photovoltaic devices utilizing a conjugated polymer/fullerene bulk-hetero junction structure. We use MDMO-PPV(Poly[2-methoxy-5-(3,7-dimethyloctyloxy -1,4-phenylenevinylene) as an electron donor, PCBM([6,6]-Phenyl C61 butyric acid methyl ester) as an electron accepter, and PEDOT:PSS used as a HTL(Hole Transport Layer). We have fabricated OPV(Organic Photovoltaic) devices as a function of the MDMO-PPV/PCBM concentration from 1:1 to 1:5. The electrical characteristics of the fabricated devices were investigated by means of I-V, P-V, F·F(Fill Factor) and PCE(power conversion efficiency). The power conversion efficiency was gradually increased until 1:4 ratio, also the highest efficiency of 0.4996% was obtained at the ratio.
Conductive polymer is insulator or semiconductor in initial state. Polyaniline(PANI) is a $\pi$-conjugated polymer that shows electric property changes, when it is contact with oxidant/reductor chemicals. Synthesis of polyaniline is used vacuum evaporation method, using by (NH$_4$)$_2$O$_{8}$과 NMP, NH$_2$NH$_2$, HCl, MH$_4$OH, etc. Doped PANI is used such a resistor, addition to graphite is increased conductivity. Applying contact voltage, samples show constant current and contact temperature.e.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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