The optical characteristics of $Al_{0.25}Ga_{0.75}As/In_{0.15}Ga_{0.85}As$ /GaAspseudomorphic high electron mobility transistor structure grown by molecular beam epitaxy
(분자선 에피탁시법으로 성장된 $Al_{0.25}Ga_{0.75}As/In_{0.15}Ga_{0.85}As$ /GaAs 슈우도형 고 전자 이동도 트랜지스터 구조의 광학적 특성)
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- Journal of the Korean Vacuum Society
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- v.9 no.2
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- pp.130-135
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- 2000