1 |
S. J. Kim, S. H. Yoon and H. J. Kim, Jpn. J. Appl. Phys., 53, 02BA02 (2014).
DOI
|
2 |
I.-H. Cho, H.-W. Park, K.-B. Chung, C.-J. Kim and B.-H. Jun, Semicond. Sci. Technol., 33, 085004 (2018).
DOI
|
3 |
International Atomic Energy Agency, Neutron Transmutation Doping of Silicon at Research Reactors, IAEATECDOC-1681, IAEA, Vienna (2012).
|
4 |
L. Lv, P. Li, X. Ma, L. Liu, L. Yang, X. Zhou, J. Zhang, Y. Cao, Z. Bi, T. Jiang, Q. Zhu and Y. Hao, IEEE Trans. Nucl. Sci., 64, 643 (2017).
DOI
|
5 |
A. Reisman, M. Walters and G. H. R. Kegel, J. Electron. Mater., 20, 935 (1991).
DOI
|
6 |
A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, A. V. Markov, S. J. Pearton, N. G. Kolin, D. I. Merkurisov, V. M. Boiko, M. Skowronski and I.-H. Lee, Phys. B (Amsterdam, Neth.), 376-377, 523 (2006).
DOI
|
7 |
J. J. Kim, J. M. Ha, H. M. Lee, H. S. Raza, J. W. Park and S. O. Cho, ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 19192 (2016).
DOI
|
8 |
H. J. Moon, S. H. Jung, M. K. Ryu, K. I. Cho, E.-J. Yun and B. S. Bae, J. Korean Phys. Soc., 60, 254 (2012).
DOI
|
9 |
I.-H. Cho, K.-I. Jo, J. H. Choi, H.-W. Park, C.-J. Kim and B.-H. Jun, Korean J. Mater. Res., 27, 216 (2017).
DOI
|
10 |
I.-H. Cho, H.-W. Park, C.-J. Kim and B.-H. Jun, Korean J. Mater. Res., 27, 345 (2017).
DOI
|
11 |
Y.-K. Moon, S. Lee, D.-Y. Moon, W.-S. Kim, B.-W. Kang and J.-W. Park, Surf. Coat. Technol., 205, 109 (2010).
|
12 |
B. D. Ahn, J.-S. Park and K. B. Chung, Appl. Phys. Lett., 105, 163505 (2014).
DOI
|
13 |
S. Kwon, H.-W. Park and K.-B. Chung, J. Electron. Mater., 46, 1210 (2017).
DOI
|
14 |
L. Petti, N. Munzenrieder, C. Vogt, H. Faber, L. Buthe, G. Cantarella, F. Bottacchi, T. D. Anthopoulos and G. Troster, Appl. Phys. Rev., 3, 021303 (2016).
DOI
|
15 |
Y. J. Kim, B. S. Yang, S. Oh, S. J. Han, H. W. Lee, J. Heo, J. K. Jeong and H. J. Kim, ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 3255 (2013).
DOI
|
16 |
Y. J. Tak, B. D. Ahn, S. P. Park, S. J. Kim, A. R. Song, K.-B. Chung and H. J. Kim, Sci. Rep., 6, 21869 (2016).
DOI
|
17 |
H. W. Park, J. S. Park, J. H. Lee and K. B. Chung, Electrochem. Solid State Lett., 15, H133 (2012).
DOI
|
18 |
B. D. Ahn, D.-W. Choi, C. Choi and J.-S. Park, Appl. Phys. Lett., 105, 092103 (2014).
DOI
|
19 |
E. Ziegler, A. Heinrich, H. Oppermann and G. Stoever, Phys. Status Solidi, 66, 636 (1981).
|
20 |
T. Minami, H. Sato, H. Nanto and S. Takata, Jpn. J. Appl. Phys., 24, 781 (1985).
|
21 |
K. I. Hagemark, J. Solid State Chem., 16, 293 (1976).
DOI
|