Atomic layer epitaxy is a relatively new epitaxial pprocess chracterized by the alternate and separate exposure of a susbstrate surface to the reactants contaning the constituent element of a compound semicoductror. The ideal ALE is expected to provide sevral advantageous as petcts for growing complicated heterostrutures such as relativly easy controls of the layer thinkness down to a monolayer and in forming abrupt heterointerfaces though monolayer self-saturatio of the growth. In addition, since ALE is stongly dependent on the surface reaction, the growth can also be controlled by photo-excitation which provides activation can be energies for each step of the reaction paths. The local growth acceleration by photo-excitation can be exploited for growing several device strures on the same wafer, which provides another important practical advantage. The ALE growth of GaAs has advanced to the point the laser opertion has been achieved from AlGs/GaAs quantun well structures where thee active layers were grown by thermal and Ar-laser assisted ALE. The status of the ALE growth of GaAs and other III-V compounds will be reviewed with respect to the growth saturation behavior and the electrical properties of the grown crystals.
본 논문에서는 하나의 은닉층을 가지는 다층 구조 신경망이 고려되었다. 다층 구조 신경망에서 널리 사용되는 오루 역전파 학습 방법은 초기 가중치와 불충분한 은닉층 노드 수로 인하여 지역 최소화에 빠질 가능성이 있다. 따라서 본 논문에서는 퍼지 단층 퍼셉트론에 ART1을 결합한 방법으로, 은닉층의 노드를 자가 생성(self-generation)하는 퍼지 지도 학습 알고리즘을 제안한다. 입력층에서 은닉층으로 노드를 생성시키는 방식은 ART1을 수정하여 사용하였고, 가중치 조정은 특정 패턴에 대한 저장 패턴을 수정하도록 하는 winner-take-all 방식을 적용하였다. 제안된 학습 방법의 성능을 평가하기 위하여 학생증 영상을 대상으로 실험한 결과. 기존의 오류 역전파 알고즘보다 연결 가중치들이 지역 최소화에 위치할 가능성이 줄었고 학습 속도 및 정체 현상이 개선되었다.
As solder becomes small and fine, the reliability and solderability of solder joint are the critical issue in present electronic packaging industry. Besides the use of lead(Pb) containing solders for the interconnections of microelectronic subsystem assembly and packaging has enviromental problem. In this study, using Sn/Pb and Sn/Ag eutectic solder paste, in order to obtain decrease of solder joint strength with increasing aging time, initial solder joint strength and aging strength after 1000 hour aging at $100^{\circ}C$ were measured by peel test. And in order to obtain the growth of intermetallic compound(IMC) layer thickness, IMC layer thickness was measured by scanning electron microscope(SEM). As a result, solder joint strength was decreased with increasing aging time. The mean IMC layer thickness was increased linearly with the square root of aging time. The diffusion coefficient(D) of IMC layer was found to $1.29{\times}10^{-13}{\;}cm^2/s$ at using Sn/Pb solder paste, 7.56{\times}10^{-14}{\textrm}{cm}^2/s$ at using Sn/Ag solder paste.
An experimental study was conducted to investigate the effect of carbon nanotubes on the zinc corrosion resistance of sealing layer formed on the Tungsten Carbide spray coating. Using the nanotubes, a sealing agent in the form of solid-liquid suspensions was made and applied to the surface of spray coating. A series of experiments, consisted of three stages such as preparation of test piece, molten-pot immersion test, and evaluation of micro structure, were undertaken to demonstrate complicated interaction existing between zinc ions and sealing layer containing the nanotubes. Experimental results showed newly developed sealing layer were less susceptible to corrosion and thus coated layer was well protected even in the case of 10 days exposure. Comparison of the micro structure after molten pot test also indicated that carbon nanotubes still remained in the matrix and organized more reliable frame work constituted with boron nitride and chromium compound. It was revealed that carbon nanotubes in the sealing layer played positive role to enhance zinc corrosion resistance in the perspective of both fibrous structure and inherent chemical stability.
The objective of the present study is to investigate the increase in the functional characteristics of a substrate by the formation of a thin coating layer. Thin coating layers of $Ti_5Si_3$ have high potential because $Ti_5Si_3$ exhibits high hardness. Shock induced reaction synthesis is an attractive fabrication technique to synthesize uniform coating layer by controlling the shock wave. Ti and Si powders to form $Ti_5Si_3$ using shock induced reaction synthesis, were mixed using high-energy ball mill into small scale. The positive effect of this technique is highly functional coating layer on the substrate due to ultra fine substructure, which improves the bonding strength. These materials are in great demand as heat resisting, structural and corrosion resistant materials. Thin $Ti_5Si_3$ coating layer was successfully recovered and showed high Vickers' hardness (Hv=1183). Characterization studies on microstructure revealed a fairly uniform distribution of powders with good interfacial integrity between the powders and the substrate.
Self-organized nanostructures of dots, holes or ripples produced by energetic ion bombardment have been reported in a wide variety of substrates. Ion bombardment on an alloy or compound also draws much attention because it can induce a surface composition modulation with a topographical surface structure evolution. V. B. Shenoy et al. further suggested that, in the case of alloy surfaces, the differences in the sputtering yields and surface diffusivities of the alloy components will lead to a lateral surface composition modulation [1]. In the present work, the classical molecular dynamics simulation of Ar bombardment on metallic alloys at room temperature revealed that this bombardment induces a surface composition modulation in layer-by-layer mode. In both the $Co_{0.5}Cu_{0.5}$ alloy and the CoAl B2 phase, the element of higher-sputtering yield is accumulated on the top surface layer, whereas it is depleted in lower layers. A kinetic model considering both the rearrangement and the sputtering of the substrate atoms agrees with the puzzling simulation results, which revealed that the rearrangement of the substrate atoms plays a significant role in the observed composition modulation.
A failed spent fuel rod with 53,000 MWd/tU from a nuclear power plant was characterized, and the fission products and oxygen layer in the pellet-clad mechanical interaction region were observed using an EPMA (Electron Probe Micro-Analyzer). A sound fuel rod burned under similar conditions was used to compare and analyze, the results of the failed fuel rod. In the failed fuel rod, the oxide layer represented $10{\mu}m$ of the boundary of the cladding, and $35{\mu}m$ of the region outside the cladding. By comparison, in the sound fuel rod, the oxide layer was $8{\mu}m$, observed in the cladding boundary region. The cladding inner surface corrosion and the resulting fuel-cladding bonding were investigated using an EPMA. Zirconium existed in the bonding layer of the (U, Zr)O compound beyond the pellet cladding interaction gap of $20{\mu}m$, and composition of UZr2O3 was observed in the failed fuel rod. This paper presents the results of the EPMA examination of a spent fuel specimen, and a technique to analyze fission products in the pellet-clad mechanical interaction region.
Sb2S3 thin films were fabricated by vacuum evaporation of compound Sb2S3 at a pressure of 10**-5 torr. and in argon ambient. Then, their electrical and photoconductive properties were investigated. The Sb2S3 glass-layer showed maximum photosensitivity at the deposition rate of 250\ulcornersec, and Sb2S3 porous layer had mininum dielectric constant of 1.5 at the deposition rate of 0.3 um/sec and argon partial pressure of 0.2torr. Sb2S3 multi-layers were prepared at the different thickness ratio (B/A) to find the proper structural property suited for camera pick-up tube. Here, A is the sum of the thickness of Sb2S3 porous layer and Sb2S3 fine grain layer, and B is the thickness of Sb2S3 fine grain layer. As a result, photosensitivity had a peak value at the thickness ratio (B/A) of 60%.
상황(상황(桑黃); Phellinus linteus) 균사체 배양액의 ethyl acetate 가용성 분획으로부터 silica gel column chromatography 및 preparative thin layer chromatography를 이용하여 6개의 화합물을 분리, 정제하였다. 화합물 1은 표준품과의 비교에 의하여 succinic acid, 화합물 2는 $^1H-NMR$ 및 EI-MS로부터 p-hydroxyphenylacetic acid methyl ester로 동정되었으며, 화합물 3은 $^1H-NMR$과 EI-MS에 의하여 p-hydroxybenzaldehyde로, 화합물 4와 6은 각종 NMR data와 MS data 및 이들의 아세틸 유도체의 spectral data로부터 각각 2-hydroxymethyl-5-methoxy-methylfuran 및 2,5-dihydroxymethylfuran으로 동정되었다. 또한, 화합물 5는 $^1H-NMR$ data와 EI-MS에서의 m/z 179의 molecular ion peak로부터 N-acetyltyramine으로 추정되었으며 이 구조는 무수초산과 tyramine을 이용한 합성에 의하여 최종적으로 확인되었다.
$CuInS_2$ thin films were synthesized by sulfurization of Cu/In Stacked elemental layer deposited onto glass Substrates by vacuum furnace annealing at temperature 200[$^{\circ}C$]. And structural and electrical properties were measured in order to certify optimum conditions for growth of the ternary compound semiconductor $CuInS_2$ thin films with non-stoichiometry composition. $CuInS_2$ thin film was well made at the heat treatment 200[$^{\circ}C$] of SLG/Cu/In/S stacked elemental layer which was prepared by thermal evaporator, and chemical composition of the thin film was analyzed nearly as the proportion of 1 : 1 : 2. Physical properties of the thin film were investigated at various fabrication conditions substrate temperature, annealing and temperature, annealing time by XRD, FE-SEM and hall measurement system. At the same time, carrier concentration, hall mobility and resistivity of the thin films was $9.10568{\times}10^{17}$ [$cm^{-3}$], 312.502 [$cm^2/V{\cdot}s$] and $2.36{\times}10^{-2}$ [${\Omega}{\cdot}cm$], respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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