The adsorption isotherms can be assigned to typical Type I for Ag and Cu-treated ACFs and Type I and Type II for Ni-treated ACFs. From the DSC analysis, A $g_{0.9}$-ACF occurs only exothermic curve at the temperature of $203^{\circ}C$, and relatively stable composition curves were formed. But C $u_{0.3}$-ACF and C $u_{0.4}$-ACF occur endothermic curves at the temperature of 57.26, 107.02 and $215.87^{\circ}C$. N $i_{1.0}$-ACF occurs large endothermic curves at 59.26, 98.40 and $208.89^{\circ}C$ and N $i_{0.8}$-ACF are shown endothermic curves at 59.26 and $157.77^{\circ}C$. From the biological results, the percentages of the antibacterial effects were 96.5-100 for Ag-ACFs, 92.3-99.8 for Cu-ACFs and 95.5-100 for Ni-ACFs, respectivelylyvelylyly
Gas sensing effects produced by adsorptive reaction between specimen surface and gases are expected to be influenced greatly by the state of the speimen surface. In this study, Co1-xMgxO ceramics oxygen sensors were prepared by pressing at 0.3-1.5ton/cm\ulcornerwith or without binder, intending to change porosity and average grain size on the surface purposely. The composition ratio of CoO to MgO was fixed at 1:1(mol.%). Microstructure of prepared Co0.5Mg0.5O ceramics were observed, the electrical properties and the sensitivity characteristics for oxygen gas were investigated in the device temperature range of 700-1000\ulcorner and for oxygen partical pressure range of 1-10**-4 atm. Temperature dependence of the resistivity of the specimen showed NTC behavior, average grain size increased and porosity decreased with increasing compaction pressure. The slope of the resistivity of the specimen on the oxygen partial pressure decreased with increasing average grain size and with decreasing porosity. Particularly, specimen pressed by 0.3 and 0.5 ton/cm\ulcornershowed the highest sensitivity to oxygen gas.
Polycrystalline materials suchas yttria and alumina have been applied as a plasma resisting material for the plasma processing chamber. However, polycrystal line material may easily generate particles and the particles are sources of contamination during the plasma enhanced process. Amorphous material can be suitable to prevent particle generation due to absence of grain-boundaries. We manufactured nitrogen-containing $SiO_2-Al_2O_3-Y_2O_3$ based glasses with various contents of silicon and fixed nitrogen content. The thermal properties, mechanical properties and plasma etching rate were evaluated and compared for the different composition samples. The plasma etching behavior was estimated using XPS with depth profiling. From the result, the plasma etching rate highly depends on the silicon content and it may results from very low volatile temperature of SiF4 generated during plasma etching. The silicon concentration at the plasma etched surface was very low besides the concentration of yttrium and aluminum was relatively high than that of silicon due to high volatile temperature of fluorine compounds which consisted with aluminum and yttrium. Therefore, we conclude that the samples having low silicon content should be considered to obtain low plasma etching rate for the plasma resisting material.
Dielectric ceramics with nominal composition of $(Ba_{0.93}Sr_{0.07}O)-0.5Sm_2O_3-4.5TiO_2$ was prepared using the conventional mixed oxide process-derived powder. Effect of $SiO_2$, $MnO_2$ and $Al_2O_3$ impurity addition on the microwave properties was examined in some detail. Measured relative permittivity $(\varepsilon_r)$ values were in the range of 53 to 59 and showed little dependence on impurity addition. In contrast, quality factor $(Q{\cdot}f)$ and temperature coefficient of resonant frequency $(\tau_f)$ values were greatly influenced by the type and the amount of impurities. It was found that 0.1~0.2wt% addition of $Al_2O_3$ was most effective for improving the properties, where ${\varepsilon}_r$, $Q{\cdot}f$ and $\tau_f$ values were 57.7, 10000, and +7ppm/$^{\circ}C$, respectively.
The MmNi-based alloy electrode was studied for use as a negative electrode in Ni-MH battery. Alloys with $MmNi_5-_xM_x$(M=Co,Al,Mn) composition were synthesized, and their electrode charateristics of activation rate, temperature dependence, electrode capacity and cycle life were investigated. With increasing Al content and decreasing Mn content in the alloys, the discharge capacity increased while the cycle life decreased. As x in $MmNi_5-_xM_x$ increased from 1.5 to 2.0, decreasing the Ni content, the discharge capacity, the low temperature property and the rate capability decreased. However its cycle life was improved. Increasing Co content resulted in a prolonged cycle life and decrease of high rate discharge capacity. It can be concluded that the most promising alloy in view of discharge capacity and cycle life is $MmNi_{3.5}Co_{0.7}Al_{0.5}Mn_{0.3}$.
$Pb_{1-x}Sr_x(Mg-{1}2}W_{1}2})O_3$$ ceramics for application in the microwave frequency range were investigated by dielectric constant and X-ray diffraction measurements. The dielectric constant curves showed two concentration dependent characteristics in the $$Pb(Mg-{1}2}W_{1}2})O_3$-rich$ region. As the Sr constant further increases to x=0.3 the dielectric curve levels off. In the concentration range between x=0.4 and x=1 in which dielectric constant dependence on temperature is negligible, it decreases and Qf value increases in the microwave frequency with increasing Sr. The temperature coefficient (${\tau}_{\varepsilon} $) of the dielectric constant changes from the negative to positive value between x=0.9 and x=1. The dielectric constant, Qf and $\tau\varepsilon$ are correlated with tolerance factor(t). From the X-ray diffraction results for $0.1{\le}x{\le}1$ the cell parameter is found to decrease as x increases and B-site ordering is observed in all the composition ranges.
High-power piezoelectric materials are being developed for applications such as actuators and ultrasonic motors. In this paper, ferroelectric property of iron-doped 0.57 (Sc$_{1}$2//Nb$_{1}$2/)O$_3$-0.43 PbTiO$_3$. which is the morphotropic phase boundary composition for the PSN-PT system, was investigated. The maximum dielectric constant ( $\varepsilon$$_{33}$/$\varepsilon$$_{0}$ = 2551) and the minimum dielectric loss(tan $\delta$ = 0.51 %) at room temperature were obtained at 01. wt% and 0.3 wt% of iron additions. With additions of the Fe$_2$O$_3$ the electromechanical coupling factor of radial mode k$_{p}$ and the piezoelectric coefficient d$_{33}$ were slightly decreased, on the other hand the mechanical quality factor was increased significantly. The highest mechanical quality factor (Qm= 297) was obtained at 0.3 wt% Fe$_2$O$_3$, which is 4.4 times larger than that of pure 0.57 PSN-0.43PT ceramics. The temperature dependence of the dielectric constant and dielectic loss was observed between 2$0^{\circ}C$ and 35$0^{\circ}C$ .X> .X> .
The physical and dielectric properties of complex perovskite compound Sr(Mg1/3Nb1/3)O3-Ba(Mg1/3Nb2/3)O3-Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT) system were investigated as a function of composition. As the mole ratio of BMN was increased, lattice parameter ratio c/a was slightly increased, and density was increased in SMN-BMN system. However, in BMN-BMT system, lattice parameter ratio c/a and density were decreased with increasing the mole ratio of BMN. Dielectric constant, dielectric loss at $25^{\circ}C$ and 100kHz, and temperature coefficient of resonant frequency, the dependence of temperature in capacitance were increased with increasing the mole ratio of BMN in SMN-BMN-BMT system. These result can be explained according to the degree of order=disorder and dielectric constant.
Perovskite 구조의 PMT-PT계 고용체를 precursor columbite를 이용한 산화물 혼합법으로 제작하여 결정립의 성장과 상전이 현상을 분석하였다. $1250^{\circ}C$에서 4시간 유지하여 제작한 시편의 소결밀도는 이론밀도의 97% 이상이었고, 완전한 perovskite phase를 형성하였다. 치밀하게 소결 처리된 시편의 결정립의 크기는 $6\sim8{\mu}m$로 측정되었다. PMT-PT 고용체계는 복합 강유전 고용체의 전형적인 P-E 이력현상과 강한 진동수 분산특성이 관찰되었다. 특히 PMT가 70% 이하인 조성은 상전이 온도 이상에서도 자발분극이 완전히 소멸하지 않는 relaxor 특성을 보였으며, 유전상수와 유전손실의 큰 진동수 의존성을 보였다.
Perovskite-type titanate dielectrics have attracted much attention in memory devices such as DRAMs or FeRAMs due to their high dielectric constants. However, low volatility of the Ba, Sr, Pb or Zr precursors with only thd ligands has limitations in obtaining high quality thin films by liquid source metal organic chemical vapor deposition (LS-MOCVD) processes. To improve the volatility of these precursors, many attempts have been made such as adding polyether ligands to satisfy the coordinative saturation. We report the synthesis of new precursors Ba(thd)₂(tmeea) and Sr(thd)₂(tmeea), where tmeea = tris[2-(2-methoxyethoxy)ethyl]amino, and LS-MOCVD of barium strontium titanate (BSTO) thin films using these precursors. Due to increased basicity of amines compared with ethers, it is expected that the nitrogen-donor ligand will make a strong bond to a metal than an analogous oxygen-donor ligand, consequently improving the volatility and thermal behavior of these precursors. Thin films of BSTO were grown on Pt(111)/SiO₂/Si(100) substrates by LS-MOCVD using a cocktail source consisting of the conventional Ti precursor Ti(thd)₂(O/sup i/Pr), and these new Ba and Sr precursors. As-grown films were characterized by XPS, SEM, XRD, XRF, and C-V and I-V measurements. BSTO films grown at 420℃ were stoichiometric barium strontium titanate with very smooth surface morphology and their dielectric constants were found to be as targe as 450. Dependence of the composition, microstructure and the electrical properties of the BSTO films on the growth temperature, annealing temperature, working pressure, and the composition of the cocktail source will be discussed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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