• 제목/요약/키워드: center gap

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AlGaAs합금의 Al 도핑농도에 대한 효과 (Effect on Al Concentration of AlGaAs Ternary Alloy)

  • 강병섭
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제20권4호
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    • pp.125-129
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    • 2021
  • We investigated the electronic property and atomic structure for chalcopyrite (CH) AlxGa1-xAs semiconductor by using first-principles FPLMTO method. The CH-AlxGa1-xAs exhibits a p-type semiconductor with a direct band-gap. For low Al concentration unoccupied hole-carriers are induced, but for high Al concentration it is formed a localized bonding or anti-bonding state below Fermi level. The hybridization of Al(3s)-Ga(4s, or 4p) is larger than that of Al(3s)-As(4s, or 4p). And the Al film on As-terminated surface, Al/AsGa(001), is more energetically favorable one than that on Ga-terminated (001) surface. Consequently, the band-gap of CH-AlxGa1-xAs system increases exponentially with increasing Al concentration. The change of lattice parameter is shown two different configurations with increasing Al concentration. The calculated lattice parameters for CH-AlxGa1-xAs system are compared to the experimental ones of zinc-blend GaAs and AlAs.

창업보육센터의 보육요소 격차 해소를 위한 변인도출 및 컨설팅 고찰 (A Study on the Causes and Consulting Methods to Reduce the Differentiation of Incubator Center)

  • 임헌욱
    • 융합정보논문지
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    • 제8권1호
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    • pp.313-320
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    • 2018
  • 연구 목적은 창업보육센터의 입주율, 보육료 등 보육요소의 차이를 줄이기 위한 원인을 찾아 컨설팅 방안을 제시하는 것으로 (사)한국창업보육협회의 창업보육센터 262개의 경영공시 현황을 전수 조사하였다. 독립변수는 경영공시 항목 중 지역, 운영주체, 기술분야로 정하고, 종속변수는 입주율, 보육료, 지정등급으로 정하여 얻은 상관관계분석 결과 정적인 관계를 보이는 변수는 지역분류*보육료이고, 부적인 상관관계를 보이는 변수는 운영주체*보육료였다. 회귀분석 결과 독립변수가 보육료를 설명하는 정도는 약19.4%($R^2=0.194$), 입주율을 설명하는 정도는 약 7.0%($R^2=0.059$)로 유의하였다. 결과적으로 보육료는 대도시가 높고, 비영리단체와 기술집약형 센터가 저렴하다, 입주율은 비영리단체가 높고, 대도시가 낮다. 따라서 격차해소를 위한 보육료는 5,720원/$m^2$이 적정하고, 기술집약형 특화센터로 운영하며, 창업기에는 자금을 성장기에는 마케팅을 확장기에는 네트워크를 지원한다.

Construction of Deletion Map of 16q by LOH Analysis from HCC Patients and Physical Map on 16q 23.3 - 24.1 Region

  • Chung, Jiyeol;Choi, Nae Yun;Shim, Myoung Sup;Choi, Dong Wook;Kang, Hyen Sam;Kim, Chang Min;Kim, Ung Jin;Park, Sun Hwa;Kim, Hyeon;Lee, Byeong Jae
    • Genomics & Informatics
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    • 제1권2호
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    • pp.101-107
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    • 2003
  • Loss of heterozygosity (LOH) has been used to detect deleted regions of a specific chromosome in cancer cells. LOH on chromosome 16q has been reported to occur frequently in progressed hepatocellular carcinoma (HCC). Liver tissues from 37 Korean HCC patients were analyzed for LOH by using 25 polymorphic microsatellite markers distributed along 16q. Out of the 37 HCC patients studied, 21 patients (56.8%) showed LOH in various regions of 16q with at least one polymorphic marker. Puring the analysis of these 21 LOH cases, 6 patients showed interstitial LOHs in which the boundary of the LOH region was defined. With two rounds of LOH analysis, five commonly occurring interstitial LOH regions were identified; 16q21-22.1, 16q22.2 - 22.3, 16q22.3, 16q23.2 and 16q23.3 - 24.1. Among the five LOH regions the 16q23.3 - 24.1 region has been reported to be related with chromosome instability. A complete physical map, which covers the 3.2 Mb region of 16q23.3 - 24.1 (D16S402 and D16S486), was constructed to identify novel candidate tumor suppressor genes. We provide the minimally tiling path map consisting of 28 BAC clones. There was one gap between NT_10422.11 and NT_019609.9 of the human genome sequence contig (NCBI sequence build 33, April 29, 2003). This gap can be filled by sequencing the R-1425M20 clone which bridges these sequence contigs.

전착법을 이용한 Cu2O 박막 형성 및 공정 조건에 따른 특성 변화 (Influence of Process Conditions on Properties of Cu2O Thin Films Grown by Electrodeposition)

  • 조재유;하준석;류상완;허재영
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제24권2호
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    • pp.37-41
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    • 2017
  • $Cu_2O$는 초저가 태양전지의 흡수층으로 적용될 수 있는 물질 중 하나로 direct band gap($E_g={\sim}2.1eV$)을 갖고 있으며 최대 650 nm 파장의 빛을 흡수 할 수 있는 높은 흡수율을 가지고 있다. 또한 무독성, 풍부한 매장량으로 낮은 비용 등의 여러 장점을 가지며 간단하고 저렴한 방법으로 대량으로 제작이 가능하다. 본 연구에서 Au가 증착된 $SiO_2/Si$ 기판 위에 전착법을 통해 $Cu_2O$ 박막을 제작하였다. 우리는 용액의 pH와 작업전극에 인가되는 전위, 용액의 온도와 같은 공정조건을 바꾸어주었고 최종적으로 XRD와 SEM 사진 분석을 통해 박막의 특성을 확인하였다.

Deformation Characteristics and Sealing Performance of Metallic O-rings for a Reactor Pressure Vessel

  • Shen, Mingxue;Peng, Xudong;Xie, Linjun;Meng, Xiangkai;Li, Xinggen
    • Nuclear Engineering and Technology
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    • 제48권2호
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    • pp.533-544
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    • 2016
  • This paper provides a reference to determine the seal performance of metallic O-rings for a reactor pressure vessel (RPV). A nonlinear elastic-plastic model of an O-ring was constructed by the finite element method to analyze its intrinsic properties. It is also validated by experiments on scaled samples. The effects of the compression ratio, the geometrical parameters of the O-ring, and the structure parameters of the groove on the flange are discussed in detail. The results showed that the numerical analysis of the O-ring agrees well with the experimental data, the compression ratio has an important role in the distribution and magnitude of contact stress, and a suitable gap between the sidewall and groove can improve the sealing capability of the O-ring. After the optimization of the sealing structure, some key parameters of the O-ring (i.e., compression ratio, cross-section diameter, wall thickness, sidewall gap) have been recommended for application in megakilowatt class nuclear power plants. Furthermore, air tightness and thermal cycling tests were performed to verify the rationality of the finite element method and to reliably evaluate the sealing performance of a RPV.

Influence of the Fluorine-doping Concentration on Nanocrystalline ZnO Thin Films Deposited by Sol-gel Process

  • Yoon, Hyunsik;Kim, Ikhyun;Kang, Daeho;Kim, Soaram;Kim, Jin Soo;Son, Jeong-Sik;Leem, Jae-Young
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.204.2-204.2
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    • 2013
  • Wide band gap II-VI semiconductors have attracted the interest of many research groups during the past few years due to the possibility of their applications in light-emitting diodes and laser diodes. Among the II-VI semiconductors, ZnO is an important optoelectronic device material for use in the violet and blue regions because of its wide direct band gap (Eg ~3.37 eV) and large exciton binding energy (60 meV). F-doped ZnO (FZO) and undoped ZnO thin films were grown onto quartz substrate by the sol-gel spin-coating method. The doping level in the solution, designated by F/Zn atomic ratio of was varied from 0 to 5 in 1 steps. To investigate the effects of the structure and optical properties of FZO thin films were investigated using X-ray diffraction (XRD), UV-visible spectroscopy, and photoluminescence (PL). In the XRD, the residual stress, FWHM, bond length, and average grain size were changed with increasing the doping concentration. For the PL spectra, the high INBE/IDLE ratio of the FZO thin films doping concentration at 1 at.% than the other samples.

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Tachioside, an Antioxidative Phenolic Glycoside from Bamboo Species

  • Li, Ting;Park, Min-Hee;Kim, Mi-Jeong;Ryu, Bog-Mi;Kim, Myo-Jung;Moon, Gap-Soon
    • Food Science and Biotechnology
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    • 제17권6호
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    • pp.1376-1378
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    • 2008
  • Tachioside (4-hydroxy-3-methoxy-phenyl-1-O-glucoside), a known phenolic glycoside, was isolated from various bamboo species. The 1,1-diphenyl-2-picrylhydrazyl (DPPH) radical scavenging activity and Trolox equivalent antioxidant capacity determined a significant antioxidant activity of tachioside which was comparable to L-ascorbic acid. Each culm and leaf extracts were tested and the culm of Phyllostachys bambusoides appeared to contain the highest amount of tachioside.

인공신경망 기법을 이용한 청미천 유역 Flux tower 결측치 보정 (A point-scale gap filling of the flux-tower data using the artificial neural network)

  • 전현호;백종진;이슬찬;최민하
    • 한국수자원학회논문집
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    • 제53권11호
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    • pp.929-938
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    • 2020
  • 본 연구에서는 청미천 유역에서의 플럭스타워에서 산출되는 증발산량의 결측값을 보완하기 위해 인공신경망(Artificial Neural Network, ANN)을 사용하였다. 비교 평가를 위해, Mean Diurnal Variation(MDV), Food and Agriculture Organization Penman-Monteith(FAO-PM) 방법들을 이용하여 증발산량을 산정하였고, ANN 방법을 이용한 결과와 비교하였다. 비교 평가 방법으로 시계열 방법 및 통계 분석(결정계수, IOA, RMSE, MAE)이 사용되었다. 각 gap-filling 모델의 검증을 위해 2015년의 30분 단위 데이터를 이용하였으며, 121개의 결측값 중 MDV, FAO-PM, ANN 방법 순으로 각각 70, 53, 54개의 결측값을 보완하여 모든 데이터가 관측되지 않은 36개의 데이터를 제외하면 각각 82.4%, 62.4%, 63.5%의 성능을 보였다. 결정계수(MDV, FAO-PM, ANN 방법 순으로 각각 0.673, 0.784, 0.841)와 IOA(MDV, FAO-PM, ANN 방법 순으로 각각 0.899, 0.890, 0.951)를 분석한 결과, 3가지 방법 모두 양질의 상관성을 보여 활용성이 충분하다고 판단되며, 이 중 ANN 모델이 가장 높은 적합도와 양질의 성능을 나타내었다. 본 연구를 기반으로 기계학습방법을 이용한 플럭스 타워 자료의 gap-filing 연구에 보다 적절하게 활용될 수 있을 것이다.

고준위폐기물처분장 공학적방벽의 갭 공간이 미치는 영향 분석 (An Influence Analysis on the Gap Space of an Engineered Barrier for an HLW Repository)

  • 윤석;이창수;김민준
    • 한국지반공학회논문집
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    • 제37권4호
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    • pp.19-26
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    • 2021
  • 원자력발전소에서 발생되는 고준위폐기물은 지하 수백 미터 깊이의 암반에 처분된다. 이러한 고준위폐기물은 인체에 유해하기에 공학적방벽시스템에 의해 안전하게 처분되어야 하며, 공학적방벽시스템은 처분용기, 뒤채움재, 완충재 등으로 구성된다. 고준위폐기물처분장에 이러한 공학적방벽시스템의 구성요소를 설치하게 되면, 처분용기 및 완충재 사이, 완충재와 자연 암반 사이 등에 갭이 존재하게 된다. 이러한 갭의 존재로 인해 공학적방벽재의 차수능과 열전달 효율이 떨어질 수 있기에, 갭 공간의 크기 및 갭채움재 특성 평가 등의 연구가 반드시 필요하다고 할 수 있다. 해외에 비해 국내 처분시스템을 고려한 갭 공간 및 갭채움재에 대한 연구는 아직 진행되고 있지 않는 상황이기에, 본 연구에서는 수치해석을 통해 국내 처분시스템을 고려한 갭 공간이 공기로 채워져 있는 조건하에서 갭의 크기에 따른 벤토나이트 완충재의 첨두 온도를 도출하였다. 처분용기와 완충재 사이의 갭 공간이 완충재의 첨두 온도에 미치는 영향은 미미하였으나, 완충재와 자연 암반 사이의 갭 공간에 따른 완충재의 첨두 온도는 최고 약 40%의 차이를 나타냈다.