Due to its high production cost and relatively high energy consumption during the Siemens process, poly-silicon makers have been continuously and eagerly sought another silicon route for decades. One candidate that consumes less energy and has a simpler acidic and metallurgical purification procedure is upgraded metallurgical-grade (UMG) silicon. Owing to its low purity, UMG silicon often requires special steps to minimize the impurity effects and to remove or segregate the metal atoms in the bulk and to remove interfacial defects such as precipitates and grain boundaries. A process often called the 'gettering process' is used with phosphorus diffusion in this experiment in an effort to improve the performance of silicon solar cells using UMG silicon. The phosphorous gettering processes were optimized and compared to the standard POCl process so as to increase the minority carrier lifetime(MCLT) with the duration time and temperature as variables. In order to analyze the metal impurity concentration and distribution, secondary ion mass spectroscopy (SIMS) was utilized before and after the phosphorous gettering process.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2003.05c
/
pp.213-216
/
2003
Recently a new high power device GCT (Gate Commutated Turn-off) thyristor has been successfully introduced to high power converting application areas. GCT thyristor has a quite different turn-off mechanism to the GTO thyristor. All main current during turn-off operation is commutated to the gate. Therefore, IGCT thyristor has many superior characteristics compared with GTO thyristor; especially, snubberless tum-off capacibility and higher turn-on capacibility. The basic structure of the GeT thyristor is same as that of the GTO thyristor. This makes the blocking voltage higher and controllable on-state current higher. The turn-off characteristic of the GCT thyristor is influenced by the minority carrier lifetime and the performance of the gate drive unit. In this paper, we present turn-off characteristics of the 2.5kV PT(Punch-Through) type GCT as a function of the minority carrier lifetime and variation of the doping profile shape of p-base region.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2006.11a
/
pp.282-283
/
2006
The transport phenomena of arsenic (As) doped amorphous selenium(a-Se:As) thin film for digital X-ray conversion material has been reported. The effect of As addition on the carrier mobility and recombination lifetime in a-Se:As sample has been measured using the moving photo-carrier grating (MPG) technique. An Increase in hole mobility and recombination was observed when 0.3% arsenic, was added into a-Se sample, whereas electron mobility decrease with arsenic addition due to the defect density. The fabricated a-Se:03% As device exhibited the highest X-ray sensitivity.
Park, Dong-U;Han, Im-Sik;No, Sam-Gyu;Ji, Yeong-Bin;O, Seung-Jae;Seo, Jin-Seok;Jeon, Tae-In;Kim, Jin-Su;Kim, Jong-Su
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
/
2013.08a
/
pp.205-205
/
2013
테라헤르쯔(terahertz: THz)파는 0.1~10 THz 의 범위로 적외선과 방송파 사이에 광대역 주파수 스펙트럼을 차지하고 있으며 직진성, 투과성, 그리고 낮은 에너지 (meV)를 가지고 있어 비 파괴적이고 무해한 장점을 지니고 있다. Ti:sapphire laser와 같은 femto-pulse source 등이 많은 발전이 되어 현재 많은 연구와 발전이 이루어지고 있다. femto-pulse source를 이용한 THz 응용에서는 높은 저항, 큰 전자 이동도, 그리고 아주 짧은 전하수명의 기판을 요구하는데 저온에서 성장한 (low-temperature grown : LT) GaAs는 격자 내에 Gallium 자리에 Arsenic이 치환 하면서 AsGa antisite가 발생하여 전하수명을 짧아지는 것을 응용하여 가장 많이 이용되고 있다. 현재 THz 응용분야에서 보다 작고 가격경쟁력이 있는 광통신을 이용한 THz photomixer등이 활발히 연구 하고 있다. 광섬유 내에서 손실과 분산이 최소값을 가지는 부분이 1.55 ${\mu}m$ 부근이고 In0.53Ga0.47As 기판을 이용하였을 때 여기에 완벽하게 만족하게 된다. 하지만 LT-InGaAs 의 경우 AsGa antisite로 인하여 carrier lifetime은 짧아지지만 높은 n-type 전하밀도를 가지게 된다. 이때 Be을 doping하여 전하밀도를 보상하여 높은 저항을 유지해야 하는데 Be의 활성화를 위해서는 열처리를 필요로 한다. 하지만 열처리를 하면 carrier lifetime이 길어지기 때문에 carrier lifetime과 저항을 적절히 조율해야 한다. 이는 물질자체의 특성이기 때문에 InGaAs는 GaAs보다 낮은 amplitude와 짧은 cut-off frequency를 가진다. 본 연구에서는 보다 높은 저항을 얻기 위하여 molecular beam epitaxy를 이용하여 semi-insulating InP:Fe 기판위에 격자 정합된 InGaAs:Be/InAlAs multi quantum well (MQW)를 온도별 ($250{\sim}400^{\circ}C$), 주기별 (50~150)로 성장을 하였고 이때 InGaAs layer의 Be doping level은 $2{\times}1018\;cm^{-3}$, Ex-situ annealing은 $550^{\circ}C$에서 10분으로 고정 하였다. THz 발생 실험에서는 InGaAs/InAlAs MQW은 4000 pA로 1,000 pA를 가지는 InGaAs epilayer보다 4배 높은 전류 신호를 얻을 수 있었고 모든 샘플이 2 THz에서 cut-off frequency를 가지고 있었다. THz 검출 실험에서는 LT-InGaAs:Be epilayer LT-InGaAs:Be/InAlAs, HT-InGaAs/InAlAs 샘플이 각각 180, 9000, 12000 pA의 전류신호를 가지고 있었고 모든 샘플이 2 THz에서 cut-off frequency를 가지고 있었다. HT-InGaAs/InAlAs MQW를 이용한 검출실험에서는 InGaAs layer가 defect free이지만 LT-InGaAs:Be/ InAlAs MQW 보다 높은 전류 신호를 얻을 수 있었다. 이는 InAlAs layer가 저항만 높이는 것뿐만 아니라 carrier trapping layer로써의 역할도 하는 것으로 사료된다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
/
2014.02a
/
pp.462-462
/
2014
The effect of rear passivation for passivated emitter and rear cell (PERC) using ozone and H2O oxidant of atomic layer deposited (ALD) Al2O3 was studied by post-annealing in N2 and forming gas ambients. Rear surface of PERC solar cell was passivated by Al2O3 grown by ALD with ozone and H2O oxidant. Al2O3 grown by ALD with ozone oxidant has been known to have many advantages, such as lower interface defects, low leakage current density. Its passivation quality is better than Al2O3 with H2O. Al2O3 layer with 10 nm and 20 nm thickness was grown at $150^{\circ}C$ with ozone oxidant and at $250^{\circ}C$ with H2O oxidant. And then each samples were post-annealled at $450^{\circ}C$ in N2 ambients and at $850^{\circ}C$ in forming gas ambients. The passivation quality was investigated by measuring the minority carrier lifetime respectively. We examined atomic layer deposited Al2O3 such as growth rate, film density, thickness, negative fixed charge density at AlOx/Si interface, and reflectance. The influences of process temperature and heat treatment were investigated using Sinton (WCT-120) by Quasi-Steady State Photoconductance (QSSPC) mode. Ozone-based ALD Al2O3 film shows the best carrier lifetime at lower deposition temperature than H2O-based ALD.
It is essential to increase the switching speed of power devices to reduce the energy loss because high frequency is commonly used in power device operation these days. In this work electron irradiation has been conducted to reduce the lifetime of minority carriers and thereby to increase the switching speed of a$p^+- n^-$ junction diode. Effects of electron irradiation on the electrical properties of the diode are reported The switching speed is effectively increased. Also the junction leakages and the forward voltage drop which are anticipated to increase are found to be negligible in the $p^+- n^-$ junction diodes irradiated with the optimum energy and dose. The analysis results of DLTS and C-V profiling indicate that the defects induced by electron irradiation in the silicon substrate are donor-like ones which have the energy levels of 0.284 eV and 0.483 eV. Considering all the experimental results in this study, it might be concluded that electron irradiation is a very useful technique in improving the switching speed and thereby reducing the energy loss of $p^+- n^-$ junction diode power devices.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
/
v.23
no.6
/
pp.431-435
/
2010
In this paper, we investigated the dependence of device performance and hot carrier lifetime on the channel direction of PMOSFET. $I_{D.sat}$ vs. $I_{Off}$ characteristic of PMOSFET with <100> channel direction is greater than that with <110> channel direction because carrier mobility of <100> channel direction is greater than that of <110> channel direction. However, hot carrier lifetime for <110> channel direction is much lower than that with <110> channel due to the greater impact ionization rate in the <100> channel direction. Therefore, concurrent consideration of reliability characteristics and device performance is necessary for channel strain engineering of MOSFETs.
Kim, Ha-Young;Park, Min-Kyeong;Kim, Min-Young;Choi, Jeong-Ho;Roh, Si-Cheol;Seo, Hwa-Il
Journal of the Semiconductor & Display Technology
/
v.13
no.3
/
pp.27-33
/
2014
To develop high efficiency crystalline solar cells, the $SiN_x$ film for surface passivation and anti-reflection coating is very important and it is generally deposited by PECVD. In this paper, the $SiN_x$ film deposited by Hot-Wire chemical vapor deposition(HWCVD) that has no plasma damage was studied. First, to optimize the $SiN_x$ film deposition process, $SiH_4$ gas rate and substrate temperature were varied and then refractive index and thickness were measured. When $SiH_4$ gas rate was 22sccm and substrate temperature was $100^{\circ}C$, refractive index was 1.94 and higher than that of other process conditions. Second, the lifetime was measured by varying the annealing temperature and time. The annealing process was made from 5 to 30 minutes at $300{\sim}500^{\circ}C$. When the annealing temperature was $100^{\circ}C$ and time was 10minute, the lifetime was the highest. The lifetime of annealed samples was also measured after the firing process at $975^{\circ}C$. Although the lifetime of all samples was decreased by firing process, the lifetime of annealed samples before the firing process was higher than that of fired samples only. Finally, the characteristics of solar cells with HWCVD $SiN_x$ film were measured.
Seo, Yong-Jin;An, Tae-Hyun;Kim, Sang-Yong;Kim, Tae-Hyung;Kim, Chang-Il;Chang, Eui-Goo
Proceedings of the KIEE Conference
/
1998.11c
/
pp.735-736
/
1998
Reduction of hot carrier degradation in MOS devices has been one of the most serious concerns for MOS-ULSIs. In this paper, three types of LDD structure for suppression of hot carrier degradation, such as spacer-induced degradation and decrease of performance due to increase of series resistance will be investigated. LDD-nMOSFETs used in this study had three different drain structure. (1) conventional ${\underline{S}}urface$ type ${\underline{L}}DD$(SL), (2) ${\underline{B}}uried$ type ${\underline{L}}DD$(BL), (3) ${\underline{S}}urface$urface ${\underline{I}}mplantation$ type LDD(SI). As a result, the surface implantation type LDD structure showed that improved hot carrier lifetime to comparison with conventional surface and buried type LDD structure.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
/
v.20
no.2
/
pp.101-105
/
2010
Silicon electrode and ring in a plasma etcher those are in contact with harsh plasma suffer from periodic heating and cooling during their lifetime. This causes the silicon components failure due to thermal stress remaining the persistent slip bands (PSBs) on their surfaces. The factors that determine the lifetime of silicon electrode and ring were discussed with respect to silicon ingot. The impurity level and the average defect concentration measured with glow discharge mass spectrometer (GDMS) and microwave photo-conductance decay (${\mu}$-PCD) were compared with the grade of silicon ingots those are divided to slip-free and slip-allowed ingot. Some silp-allowed samples showed planar defects along <110> direction on {001} surface. The role of these defects was suggested from the viewpoint of the lifetime of silicon components.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.