• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.1
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• pp.61-67
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• 2001

비대칭 펄스 직류 반응성 스퍼터링을 이용하여 상온에서 Si(100) 기판 위에 AlN 박막을 증착하였다. 100 kHz에서 200 kHz까지 펄스 주파수의 변화 및 70%에서 90%까지 duty cycle의 변화에 따른 아크 발생과 AlN 박막의 결정성 그리고 미세 조직을 관찰하였다. Duty cycle에서 양의 펄스 유지 시간이 증가함에 따라 증착 중에 아크 발생 빈도가 현저히 감소하였고 AlN 박막의 입자 크기와 결정상의 c축 배향성이 증가하였다. 반면에 펄스 주파수 변화에 따른 아크 발생은 일정한 경향을 나타내지 않았지만 전반적으로 많은 아크가 발생했다. 아크 발생 빈도가 늘어남에 따라 c축 배향성이 감소하였다. 양의 펄스 유지 시간과 펄스 주파수가 감소함에 따라 박막의 증착 속도는 증가하였으며 440$\AA$/min의 높은 증착 속도를 나타냈다.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.9 no.2
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• pp.90-95
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• 2000

The substrate for pyroelectric IR sensor which has orientation similar to MgO single crystal was fabricated by depositing the MgO thin film on $Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$/Si. The MgO thin film was deposited by RF magnetron sputtering. The c-axis orientation of PLT thin film deposited on Pt/MgO(100)/$Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$/Si substrate was investigated. The MgO thin film deposited at $500^{\circ}C$ at a gas pressure of 30 mTorr with RF power of 160 W exhibited a good a-axis orientation. The PLT thin films deposited on these substrates also exhibited c-axis orientation similar to the PLT thin films deposited on MgO single crystal substrate.

• 전기의세계
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• v.42 no.9
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• pp.20-27
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• 1993

1. 철근출막은 결정자기이방성의 영향이 작기 때문에, 자기특성이 막의 기하학적구조에 의해 거의 결정되고 그것에 의하여 자성막의 설계가 가능하다. 2. 코발트 근출막은 결정자기이방성이 자기특성에 영향은 크기때문에 코발트 결정의 자화용역축(C축)의 배향에 의하여 자기특성은 크게 변한다. 따라서 이 C축의 배향성을 변화시켜 석출입자의 형태를 바꾸지 않고 작은 포아직경에서도 항자력의 제어가 가능하였다. 3. 코발트-철합금신출막은 조성변화에 의하여 자기특성을 제어할 수 있다. 또 ㅈ포화자화, 항자력도 철을 석출한 자성막에 비해서 높은 값을 나타냄을 물론, 우수한 각형화(Mr/Ms)로 얻어지는 큰 자기에너지적으로 수직 자기기록방식의 고정밀의 로타리 엔코다에의 응용이 유망하다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.37 no.10
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• pp.1008-1013
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• 2000

SrTi $O_3$(001) 단결정 기판 위에 졸-겔 스핀코팅으로 $SrBi_2(Ta,Nb)_2O_9$ 박막을 도포하고 그 결정화 과정을 고온 X-선 회절분석 (HTXRD)으로 추적하면서 Pt(111)/Ti/ $SiO_2$/Si 위에 성장한 박막과 비교하였다. SrTi $O_3$(001) 단결정 기판 위에 도포된 $SrBi_2Nb_2O_{9}$ 박막은 fluorite-like phase와 같은 transient phase를 거치지 않고 곧바로 순수한 $SrBi_2Nb_2O_9$ 상으로 결정화가 시작되었으며 결정화가 시작되는 온도인 ${\sim}540^{\circ}C$부터 c축 배향성장하였다. 또한 $SrB i_2(Ta,Nb)_2O_9$ 박막은 Ta/Nb 비에 관계없이 $SrTiO_3$(001) 위에서 모두 $(00{\ell})$로 배향되었으며, 코팅 횟수가 늘어나 필름의 두께가 증가함에 따라 c축 배향성은 미세한 감소를 보였다. $SrBi_2Nb_2O_9/SrTiO_3$단면을 TEM으로 관찰한 결과 $SrBi_2Nb_2O_9$은 대체로 불규칙한 크기의 다결정체로 되어 있었으나 계면 부근에서는 [001]$_{SBN}$//[001]$_{SrTi}$ $O_3$/, [100]$_{SBN}$//[100]$_{SrTi}$ $O_3$/라는 결정학적 관계를 가지며 에피탁샬 성장했음을 알 수 있었다.있었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.1
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• pp.45-50
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• 1994

CoCr 박막에 있어서 C축 결정배향성과 미세구조 변화에 대한 Co73Cr27 씨앗층의 영향이 조사되 었다. 기록밀도가 높고 재생전압도 높은 CoCr 수직기록매체를 개발하기 위해서는 CoCr층의 두께가 엷 으면서 결정배향성이 우수하고 결정립 크기가 적고 균일한 자성기록막 제조가 필요하다. CoCr 단층막 또는 CoCr/퍼말로이 이중막 제조에서 500$\AA$정도의 Co73Cr27 층을 씨앗층으로 만들어 줌으러써 기록층인 CoCr 박막이 $0.2mu$m의 두께에서도 천이층이 거의 없고 결정배향성이 우수한 자성막을 제조할 수 있었 다. 또한 Co73Cr27 씨앗층은 비록 결정립 크기는 증가시켰지만 기록층의 에피택시 성장에 보다 바람직 한 것으로 조사되었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2002.11a
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• pp.358-361
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• 2002

체적파 박막형 공진기 (FBAR: Film Bulk Acoustic wave Resonator)소자를 제조하여, 박막의 c축 우선 배향성을 조절하는 것이 FBAR 소자 특성을 확인하였다. 본 연구에서는 MEMS 공정에 의해 Membrane 구조의 FBAR(Film Bulk Acoustic wave Resonator) 소자를 구현하고자 하였다. 이를 위해 Si 기판을 Back-etching 하여 membrane 구조를 제작하였고 압전층으로 ZnO을 Sputtering 공정에 의해 증착 후, 공정 조건에 따른 우선 배향성을 관찰하였다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.7 no.2
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• pp.250-254
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• 2003

A film bulk acoustic resonator (FBAR) device for 2 GHz radio frequency (RF) bandpass filter application is presented. This FBAR device consists of an aluminum nitride (AlN) film sandwiched between top(Al) and bottom(Au) electrodes and an acoustic multilayer reflector of a silicon dioxide/tungsten (SiO2/W). The A/N film deposited using a RF sputtering was observed to have small columnar grains with a strongly preferred orientation towards c axis. In addition to a high quality factor (4300), a large return loss of 37.19 dB was obtained.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2000.11a
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• pp.246-250
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• 2000

Reactive radio frequency (RF)magnetron sputter has been used to deposit AlN thin film on a Si substrate. (002)Preferred orientation of AlN thin film has been obtained at low sputtering pressure and high $\textrm{N}_2$ concentration. Also it has been shown that properties of AlN thin film are affected by presputtering time. As presputtering time increased aluminum and nitride concentration of AlN thin film decreased. But oxygen concentration and grain size increased. The good preferred orientation was shown with the short presputtering time.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.9 no.2
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• pp.196-203
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• 1996

The highly c-axis oriented zinc oxide thin films were deposited on Sapphire(0001) substrates by reactive RF magnetron sputtering. The characteristics of zinc oxide thin films on RF power, substrate-target distance, and substrate temperature were investigated by XRD, SEM and EDX analyses. The physical characteristics of zinc oxide thin films changed with various deposition conditions. The higher substrate temperatures were, The better crystallinity of zinc oxide thin films. The highly c-axis oriented zinc oxide thin films were obtained at sputter pressure 5mTorr, rf power 200W, substrate temperature 350.deg. C, substrate-target distance 5.5cm. In these conditions, the resistivity of zinc oxide thin films deposited on pt/sapphire was 12.196*10$^{9}$ [.ohm.cm].

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1995.11a
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• pp.9-13
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• 1995

In this paper, Zinc Oxide films, with a high degree of c-axis orientation, have been grown on glass substrates by a rf magnetron sputtering. The maximum crystal orientation was found to occur with substrate temperature 150$^{\circ}C$, input power 190W, oxygen rate 50%, target-substrate distance 55mm. It is proposed to achieve high-resistivity ZnO films by increasing the annealing temperature. The piezoelectric layers, preferred oriented with (002) perpendicular to the layer with 4.9$^{\circ}$, could be obtained by the annealing temperature 300$^{\circ}C$ in oxygen atmosphere. It is indicated that the relative permittivity is range from 8.9 to 9.8 in the frequency ranging from 10KHz to 5MHz.