Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

The Study of membrane structure for FBAR and the deposition of ZnO piezoelectric thin film

ZnO압전박막을 이용한 FBAR에 대한 연구

  • Lim, Seok-Jin (Department of Chemical Engineering, Kyungwon University) ;
  • Kim, Jong-Sung (Department of Chemical Engineering, Kyungwon University)
  • 임석진 (경원대학교 화학공학과) ;
  • 김종성 (경원대학교 화학공학과)
  • Published : 2002.11.07
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Abstract

체적파 박막형 공진기 (FBAR: Film Bulk Acoustic wave Resonator)소자를 제조하여, 박막의 c축 우선 배향성을 조절하는 것이 FBAR 소자 특성을 확인하였다. 본 연구에서는 MEMS 공정에 의해 Membrane 구조의 FBAR(Film Bulk Acoustic wave Resonator) 소자를 구현하고자 하였다. 이를 위해 Si 기판을 Back-etching 하여 membrane 구조를 제작하였고 압전층으로 ZnO을 Sputtering 공정에 의해 증착 후, 공정 조건에 따른 우선 배향성을 관찰하였다.

Keywords