• 제목/요약/키워드: bulk carriers

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공기층을 가진 저밀도 폴리에틸렌에서의 전도특성과 공간전하 효과 (Effects of Space Charge on Conduction Mechanism in Low density Polyethylene with Air Gap)

  • 박희웅;권윤혁;전승익;황보승;한민구
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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    • pp.1438-1440
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    • 1998
  • In this work, simultaneous measur of space charge and conduction current was c out in LDPE with air gap by Pulsed-Electro-Aco Method. Also, effect of long time charging at con electric field on the formation of space charge conduction was investigated. From the experim results. we knew that the homo space charge formed near the dielectric surfaces and moving the bulk of dielectric as the electric field elevated. This was related with the deep traps b carriers and de trapping by Poole-field lowering conduction current was coincident with the Pool emission. From the long time charging experimen obtained the results that the negative space was moving into the dielectric bulk as the cha continued and the positive space charge accumulated at upper surface of LDPE.

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2단계 스퍼터링으로 형성시킨 강유전 박막의 누설전류 개선 (Improvement of Leakage Current in Ferroelectric Thin Films Formed by 2-step Sputtering)

  • 마재평;신용인
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제13권1호통권38호
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    • pp.17-22
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    • 2006
  • 2단계 스퍼터링으로 강유전 PZT 박막을 형성시켜 유전특성과 전도기구를 조사하였다. 또한 PZT 박막 내의 carrier를 보상해주기위해 도너 불순물을 도핑하였다. 2단계 스퍼터링으로 상온층 두에를 조절하여 누설전류를 $10^{-7}A/cm^2$ order까지 줄일 수 있었다. 전도기구가 bulk-limited의 하나임을 확인하였고 따라서 적정한 도너 불순물을 채택하였다. 도너 불순물을 도핑한 경우 2단계 스퍼터링한 PZT 박막의 누설전류 특성은 $10^{-8}A/cm^2$ order까지 개선되었다.

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수소 및 중수소가 포함된 실리콘 산화막의 전기적 스트레스에 의한 열화특성 (Degradation of Ultra-thin SiO2 film Incorporated with Hydrogen or Deuterium Bonds during Electrical Stress)

  • 이재성;백종무;정영철;도승우;이용현
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제18권11호
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    • pp.996-1000
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    • 2005
  • Experimental results are presented for the degradation of 3 nm-thick gate oxide $(SiO_2)$ under both Negative-bias Temperature Instability (NBTI) and Hot-carrier-induced (HCI) stresses using P and NMOSFETS, The devices are annealed with hydrogen or deuterium gas at high-pressure $(1\~5\;atm.)$ to introduce higher concentration in the gate oxide. Both interface trap and oxide bulk trap are found to dominate the reliability of gate oxide during electrical stress. The degradation mechanism depends on the condition of electrical stress that could change the location of damage area in the gate oxide. It was found the trap generation in the gate oxide film is mainly related to the breakage of Si-H bonds in the interface or the bulk area. We suggest that deuterium bonds in $SiO_2$ film are effective in suppressing the generation of traps related to the energetic hot carriers.

벌크 화물선용 자동 밸러스트수 교환계획 시스템 개발 (Optimized Ballast Water Exchange Management for Bulk Carriers)

  • 홍충유;박제웅
    • 한국해양공학회지
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    • 제18권4호
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    • pp.65-70
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    • 2004
  • Many port states, such as New Zealand, U.S.A., Australia, and Canada, have strict regulations to prevent arriving ships from discharging polluted ballast water that contains harmful aquatic organisms and pathogens. They are notified that transfer of polluted ballast water can cause serious injury to public health and damage to property and environment. For this reason, ballast exchange in deep sea is perceived as the most effective method of emptying ballast water. The ballast management plan contains the effective exchange method, ballast system, and safety considerations. In this study, we pursued both nautical engineering analysis and optimization of the algorithm, in order to generate the sequence of stability and rapidity. A heuristic algorithm was chosen on the basis of optimality and applicability to a sequential exchange problem. We have built an optimized algorithm for the automatic exchange of ballast water, by redefining core elements of the A$\ast$ algorithm, such as node, operator, and evaluation function. The final version of the optimized algorithm has been applied to existing bulk carrier, and the performance of the algorithm has been successfully verified.

상선의 최적속력 및 적화중량톤과 경제성에 관한 연구 ( 일반살적화물선에 있어서 해운운영상의 여건변동을 중심으로 ) (A Study on Ships Optimal Speed, Deadweight and Their Economy (On the Operations of Common Bulk Carriers Under the Various Managerial Circumstances of Shipping Companies))

  • 양시권
    • 한국항해학회지
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    • 제7권2호
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    • pp.65-113
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    • 1983
  • A lot of studies of ship's economy are on the traditional fields such asreducing propulsion resistance, raising cargo handling rates and lessening building consts, but there are few researches on the merchant ship's economy concerning their deadweights and speeds according to shipping companies managerial cercumstances. Contrary to the contemporary trend that "the bigger, the better, if the cargo handling rate could increased sufficiently to hold down port time to that rate of smmaler vessels", this paper demonstrates the existence of certain limits in ship's size and speed according to the coditions of the freight rates, voyage distances, cargo handing rates, prices of fuel oil, interst rates etc. Fom the curves of criteria contour for various ship's deadweights and speeds which are depicted from the gird search method, one can get the costs and the yearly profit rates under the conditiions of large volume with long term contracts for the transportation of bulk cargoes. In estimating ship's transportation economy, the auther takes the position that the profit rate method is properer than the cost method, and introduces the calculation table of the voyage profit rate index. The use of the criteria contours will be of help to ship owners in determining the size and speed of the ship which will be built or purchased and serve in a certain trade route.

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침수시 산적화물선 파형 횡격벽 붕괴강도해석 전용 유한요소 프로그램 개발 (A Special Purpose FE Program for the Collapse Strength Analysis of Bulk Carrier Corrugated Bulkheads Subject to Accidental Flooding)

  • 백점기;김성근
    • 대한조선학회논문집
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    • 제35권2호
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    • pp.63-73
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    • 1998
  • 최근 산적화물선의 빈번한 침몰사고 발생과 함께 산적화물선의 구조안전성 확보문제가 관심의 대상이 되고 있으며, IMO, 각국 선급협회를 중심으로 구조강도 강화작업이 진행되고 있다. 특히 IMO에서는 산적화물선 침몰사고의 주요 원인중의 하나로 지적되어 온 침수시 파형 횡격벽의 붕괴문제를 방지하기 위해 신조선박뿐만 아니라 기존선박에 대해서도 파형 횡격벽을 보강하도록 하는 규정의 제정을 서두르고 있다. 이 문제와 관련하여 보다 근본적으로는 파형 횡격벽의 최종붕괴 강도 평가방법이 확립되어 있지 않은 문제점이 있다. 본 연구에서는 탄소성 대변형 유한요소 해석기법을 적용하여 파형 횡격벽의 붕괴강도를 계산하기 위한 전용 프로그램을 개발하였으며, 구조모형실험 결과와의 비교를 통하여 개발한 프로그램의 정도와 유용성을 검증하였다.

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산적화물선의 에너지 저감 장치들의 성능 비교에 관한 연구 (A Study on the Performance Comparison of Energy Saving Devices for Handy-size Bulk Carrier)

  • 김억규;이강기;조권회
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제39권1호
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    • pp.1-7
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    • 2015
  • 최근에 CO2 배출에 대한 환경 규제가 마련되었고, 연료유 가격은 계속해서 상승하고 있다. 이런 상황들을 극복하기 위해 연료소모량을 감소시키고 추진효율을 개선한 에너지 저감 추진장치들이 계속해서 개발되고 있다. 본 논문에는 핸디형 산적화물선에 적용한 PBCF, SCHNEEKLUTH duct, 비대칭 러더 벌브, Mewis duct의 성능 실험을 서술하였다. 그 결과, SCHNEEKLUTH duct가 다른 에너지 저감 장치들에 비해 연료소모량 절감과 추진효율의 향상 측면에서 더 효과적이었다. 또한 SCHNEEKLUTH duct가 거주구 진동에도 효과가 있음을 확인하였다. 그리고 연료소모량은 주기관 de-rating을 통해서도 절감할 수 있었다.

가시광 수중 무선통신을 위한 이종접합 유기물 반도체 기반 고감도 포토트랜지스터 연구 (Photo-Transistors Based on Bulk-Heterojunction Organic Semiconductors for Underwater Visible-Light Communications)

  • 이정민;서성용;임영수;백강준
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제36권2호
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    • pp.143-150
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    • 2023
  • Underwater wireless communication is a challenging issue for realizing the smart aqua-farm and various marine activities for exploring the ocean and environmental monitoring. In comparison to acoustic and radio frequency technologies, the visible light communication is the most promising method to transmit data with a higher speed in complex underwater environments. To send data at a speedier rate, high-performance photodetectors are essentially required to receive blue and/or cyan-blue light that are transmitted from the light sources in a light-fidelity (Li-Fi) system. Here, we fabricated high-performance organic phototransistors (OPTs) based on P-type donor polymer (PTO2) and N-type acceptor small molecule (IT-4F) blend semiconductors. Bulk-heterojunction (BHJ) PTO2:IT-4F photo-active layer has a broad absorption spectrum in the range of 450~550 nm wavelength. Solution-processed OPTs showed a high photo-responsivity >1,000 mA/W, a large photo-sensitivity >103, a fast response time, and reproducible light-On/Off switching characteristics even under a weak incident light. BHJ organic semiconductors absorbed photons and generated excitons, and efficiently dissociated to electron and hole carriers at the donor-acceptor interface. Printed and flexible OPTs can be widely used as Li-Fi receivers and image sensors for underwater communication and underwater internet of things (UIoTs).

LNG 운반선에 적용된 독립형 탱크의 균열 진전 해석에 관한 연구 (Crack Propagation Analysis for IMO Type-B Independent Tank with Liquefied Natural Gas Carrier)

  • 김범일;모하메드 샤피쿨
    • 해양환경안전학회지
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    • 제27권4호
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    • pp.529-537
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    • 2021
  • LNG 운반선은 선체와 화물창이 일체형인 멤브레인 타입을 적용한 대형선을 중심으로 건조되어 왔으나, 최근 친환경 연료인 LNG의 수요 증가 및 LNG 벙커링 인프라 확대로, 중소형 운반선에 대한 관심이 증가하고 있다. 본 연구에서는 중소형 LNG 운반선에 IMO B 형식 탱크를 적용하고 설계의 안정성 및 적합성을 검증하는 것을 목표로 하였고, B 형식 탱크를 적용하는 경우 필수적으로 수반되는 파괴역학 기반의 균열 진전 해석 및 가스 누출을 대비하여 설치되는 부분 2차 방벽의 크기의 결정을 위한 내용을 소개하였다. LNG 운반선 적용에 적용되는 국제 규정인 IGC 코드를 이용하여 설계 수명동안 균열 진전 해석에 적용될 응력 분포를 산정하는 방법을 제시하였고, Paris 법칙과 British Standard 7910 (BS 79110) 기반의 균열 진전 해석 프로그램을 개발하여 표면 균열 진전 해석을 수행하였다. 다음으로 2차 방벽의 크기를 결정하기 위하여, 초기 관통 균열의 크기를 가정할 수 있는 방법론을 제시하고, 균열 감지 후 회항 가능 기간인 15일 동안의 관통 균열 진전 해석을 수행하여 국제 규정에서 요구하는 B 형식 화물 탱크의 안정성 및 적합성을 검증하였다. 더 정확한 피로 균열 진전 해석을 위하여 코드 기반에 더하여 직접 해석을 통한 해석 절차 개발 및 검증이 필요할 것으로 사료된다.

금을 도우핑한 이중 주입 자기 센서 (Gold-Doped Double Injection Magnetic Sensor)

  • 민남기;이성재
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1995년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1248-1251
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    • 1995
  • This paper reports some results of an experimental investigation of planar double injection magnetic sensors. The threshold voltage proved to be very sensitive to an applied magnetic field. The magnitude and direction of the threshold voltage variation depends on the field strength and its orientation with respect to the conduction chennel. The positively-directed field pushes the carriers into the bulk causing an increase in the threhold voltage. These results seem to agree with a path modulation due to Lorentz force. The application of a negative field causes a negative variation, which is dependent on the surface recombination velocity of the silicon-$SiO_2$ interface.

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