• 한국광물학회지
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• 제29권3호
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• pp.155-165
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• 2016

붕소가 포함된 다성분계 규산염 용융체의 원자 구조를 규명하는 것은 화산의 분화 양상을 포함한 다양한 지구화학적 과정의 원자 단위 기작을 밝히는데 중요하다. 붕소를 포함한 소듐 알루미노규산염 용융체의 붕소 및 알루미늄 주위의 원자 환경에 관한 자세한 정보는 수용액과 핵폐기물 유리(nuclear waste glasses)의 반응도(reactivity)에 대한 미시적인 설명을 제공한다. 본 연구에서는 붕소가 포함된 비정질 물질의 원자 구조 규명에 가장 적합한 고상 핵자기 공명 분광분석(solid-state nuclear magnetic resonance, solid-state NMR)을 이용하여 붕소의 함량이 비정질 소듐 보레이트($Na_2O-B_2O_3$)와 붕소를 포함한 다성분계 규산염 용융체[말린코아이트(malinkoite, $NaBSiO_4$)와 네펠린(nepheline, $NaAlSiO_4$)의 유사 이원계]의 원자 구조에 미치는 영향을 규명하였다. 비정질 소듐 보레이트의 $^{11}B$ MAS NMR 스펙트럼을 통해 붕소의 함량이 증가함에 따라 배위수가 3인 붕소($^{[3]}B$)가 증가한다는 것이 확인되었다. 비정질 말린코아이트와 네펠린의 유사 이원계의 $^{11}B$ MAS NMR 스펙트럼을 통해 $X_{Ma}$ [$=NaBSiO_4/(NaBSiO_4+NaAlSiO_4)$]가 증가함에 따라 배위수가 4인 붕소($^{[4]}B$)는 증가하는 반면 $^{[3]}B$는 감소하는 것이 관찰되었다. 다성분계 용융체의 $^{27}Al$ MAS NMR 실험 결과, 모든 조성의 용융체에서 배위수가 4인 알루미늄($^{[4]}Al$) 피크가 지배적으로 나타났다. 또한 네펠린 용융체에 붕소가 첨가되었을때 $^{[4]}Al$ 피크의 폭이 크게 감소하였고, 이는 붕소의 첨가가 네펠린 용융체 내의 알루미늄 주위의 구조적 위상학적 무질서도를 감소시킨다는 것을 지시한다. 붕소를 포함한 이원계 및 다성분계 비정질 물질의 $^{11}B$ MAS NMR 스펙트럼으로부터 시뮬레이션을 하여 붕소의 함량에 따른 붕소 원자 환경의 상대적인 존재비를 정량적으로 분석하였고, 이 결과는 붕소가 포함된 비정질 물질의 거시적 성질 변화에 대한 미시적 기작의 근원을 제시할 가능성을 보여준다.

• 한국재료학회지
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• 제16권1호
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• pp.50-57
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• 2006

Phase mixtures of Titanium boride, nitride, and carbide powder were produced by the reduction of a mixture of titanium and boron oxides with carbon via a gas-solid phase reaction. Boron oxides produce a vapour phase or decompose to a metal sub-oxide gaseous species when reduced at elevated temperature. The mechanism of BO sub-oxide gas formation from $B_2O_3$ and its subsequent reduction to titanium diboride for the production of uniform size hexagonal platelets is explained. These gaseous phases are critical for the formation of boride, nitride and carbide ceramics. For the production of ceramic phase composite microstructures, the nitrogen partial pressure was the most critical factor. Some calculated equilibrium phase fields has been verified experimentally. The theoretical approach therefore identifies conditions for the formation of phase mixtures. The thermodynamic and kinetic factors that govern the phase constituents are also discussed.

• 전자공학회논문지A
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• 제28A권9호
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• pp.736-742
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• 1991

N$^{+}$poly gate NMOSFETs and p$^{+}$ poly gate (surface type) PMOSFETs with three different gate oxides(SiO2, NO, and ONO) were fabricated. The rapid thermal nitridation and reoxidation techniques have been applied to gate oxide formation. The current drivability of the ONO NMOSFET shows larger values than that of the SiO2 NMOSFET. The snap-back occurs at a lower drain voltage for SiO$_2$ cases for ONO NMOSFET. Under the maximum substrate current bias conditions, hot-carrier effects inducting threshold voltage shift and transconductance degradation were investigated. The results indicate that ONO films exhibit less degradation in terms of threshold voltage shift. It was confirmed that the ONO samples achieve good improvement of hot-carrier immunity. In a SiO$_2$ SC-PMOSFET, with significant boron penetration, it becomes a depletion type (normally-on). But ONO films show excellent impurity barrier properties to boron penetration from the gate.

• 한국재료학회지
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• 제8권8호
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• pp.714-719
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• 1998

저용융점을 가진 새로운 무기접착제인 단사정 HBO2가 알루미나 분말의 선택적 레이저 소결을 하기 위한 접착제로서 개발되었다. 12$0^{\circ}C$로 유지된 진공오븐 안에서 Boron Oxide 분말을 탄수시키면 단사정 HBO2가 만들어진다. 이것을 이용하여 만들어진 green body는 현재까지 알루미나 분말의 선택적 레이저 소결을 위하여 개발된 다른 무기 접착제들인 알루미늄(AI)과 Ammonium Phosphate(NH4H2PO4)을 이용하여 제조된 것에 비교하여 훨씬 높은 굽힘 강도를 가지고 있고 또 정밀도가 우수하였다. Green body를 열처리하여서 얻은 세라믹 시편도 똑같은 결과를 보여주었다. 이 이유는 단사정 HBO2가 낮은 점도를 보여주고 알루미나 분말에 대하여 좋은 젖음성을 가지고 있기 때문에 가능한 것으로 사료되어진다. 접착제로서 Boron Oxide의 양, 레이저 에너지밀도 등이 SLS에 의하여 제조되어진 복합재료의 굽힘강도에 미치는 영향이 조사되었다.

• 한국시뮬레이션학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.23-30
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• 2002

An STI(Shallow Trench Isolation) by using a CMP(Chemical Mechanical Polishing) process has been one of the key issues in the device isolation[1] In this paper we fabricated N, P-MOSFEET tall analyse hump characteristics in various rounding oxdation thickness(ex : Skip, 500, 800, 1000$\AA$). As a result we found that hump occurred at STI channel edge region by field oxide recess. and boron segregation(early turn on due to boron segregatiorn at channel edge). Therefore we improved that hump occurrence by increased oxidation thickness, and control field oxide recess( 20nm), wet oxidation etch time(19HF,30sec), STI nitride wet cleaning time(99HF, 60sec+P 90min) and fate pre-oxidation cleaning time (U10min+19HF, 60sec) to prevent hump occurring at STI channel edge.

• 대한화학회지
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• 제27권1호
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• pp.73-75
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• 1983

• 한국재료학회지
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• 제1권3호
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• pp.125-131
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• 1991

pMOS소자의 $p^{+}$게이트 전극으로 다결정실리콘과 비정질실리콘을 사용하여 고온의 열처리 공정에 따른 붕소이온의 침투현상을 high frequency C-V plot, Constant Current Stress Test(CCST), Secondary Ion Mass Spectroscopy(SIMS) 및 Transmission Electron Microscopy(TEM)를 이용하여 비교하였다. C-V plot분석 결과 비정질실리콘 게이트가 다결정실리콘 게이트에 비해 flatband전압의 변화가 작게 나타났으며, 게이트 산화막의 절연파괴 전하밀도에서는 60~80% 정도 향상된 값을 나타내었다. 비정질실리콘 게이트는 증착시 비정질로 형성되는 구조로 인한 얇은 이온주입 깊이와 열처리 공정시 다결정실리콘에 비교하여 크게 성장하는 입자 크기 때문에 붕소이온의 침투 경로가 되는 grain boundary를 감소시켜 붕소이온 확산을 억제한 것으로 생각된다. Electron trapping rate와 flatband 전압 변화와의 관계에 대하여 고찰하였다.

• 한국추진공학회지
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• 제19권6호
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• pp.72-80
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• 2015

최근 기존의 통상적인 추진기관에서 새로이 공기 흡입 추진기관에 대한 관심이 커지고 있으며, 우리나라에서도 고체 램제트에 관한 기초 연구도 수행되는 등, 이 분야의 연구개발이 활발히 진행되고 있다. 고체 램제트의 연료에는 보론의 높은 열량 때문에 적용되고 있는데, 이 보론은 복잡한 연소 특성을 가지고 있어 이에 대한 연구도 많이 수행되어 오고 있다. 본 조사에서는, 램제트 연료 적용을 위하여 이러한 보론의 연소 특성을, 연구 개발되어 발표된 논문을 중심으로 하여 작성하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제25권1호
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• pp.6-14
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• 2012

For integrated complementary metal oxide semiconductor (CMOS) circuits, the lateral spread for two-dimensional (2-D) impurity distributions are very important for the analyzing the devices. The measured two-dimensional SEM data obtained using the chemical etching-method matched very well with the results of the Gauss model for boron implanted samples. But the profiles in boron implanted silicon were deviated from the Gauss model. The profiles in boron implanted silicon were shown a little bit steep profile in the deep region due to backscattering effect on the near surface from the bombardments of light boron ions. From the simulated 3-D data obtained using an analytical model, the 1-D and 2-D data were compared with the experimental data and could be verified the justification from the experimental data. The data of 3-D model were also shown good agreements with the experimental and the simulated data. It can be used in the 3-D chip design and the analysis of microelectro-mecanical system (MEMS) and special devices.

• 한국재료학회지
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• 제12권3호
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• pp.220-224
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• 2002

The oxide scales formed on $Ni_3Al$-7.8%Cr-1.3%Zr-0.8%Mo-0.025%B after oxidation at 900, 1000 and 110$0^{\circ}C$ in air were studied using XRD, SEM, EPMA and TEM. The oxide scales consisted primarily of $NiO,\; NiAl_2O_4,\;{\alpha}-Al_2O_3,\; monoclinic-ZrO_2,\; and \;tetragonal-ZrO_2$. The outer layer of the oxide scale was rich in Ni-oxides, whereas the internal oxide stringers were rich in Al-oxides and $ZrO_2$. Within the above oxide scales, Cr and Mo tended to exist as dissolved ions.