The severity of electric shock is entirely dependent on body resistance. When the human body becomes a part of electric circuit, the body resistance is given as a function of shock scenario. Factors which consist of applied voltage, shock duration, body current path and contact area, etc.. The body resistance is defined as the voltage applied to subjects divided by the body current. To secure safety of the subjects, the experiment is conducted on 10 subjects, the body current is limited to 4mA. And only three factors under many shock scenario conditions are used to determine the body resistance. The three factors are the applied voltage, the current pathway and the contact area. The object of this work is to estimate the dynamic resistance of the human body as a function of applied voltage using the body current at low-voltage levels. The data of the body current at low-voltage levels are extrapolated to high-voltage levels using two analytic functions with specified constants calculated by numerical method. Also we can provide permissible body voltage for various copper electrodes on the basis of the data determined with the dynamic resistance and the body current.
This paper presents a graphical method for hazard assessment of electric shock by safety criteria. For the human body to be safety actual body current should not exceed safety criteria, i.e. allowable body current. The assessment method presented in this paper is based m the safety criteria of the IEEE Standard 80 as well as the IEC 479-1. The hazard can be assessed in terms of alterable touch voltages instead of alterable body current. Thus, the hazard assessment of given electric shock condition is referred to a procedure by which the actual touch voltages are compared with the allowable (safe) touch voltages. Since the IEC 479-1 safety criteria are nonlinear, the graphical method is presented for the hazard assessment. Body current and body voltage are calculated with the allowable touch voltage. A comparison of the safety criteria of two widely accepted standards, i.e. the IEEE Std 80 End the IEC 479-1 is proposed. Also Thevenin equivalent resistance is obtained from electric shock model expressed by two-port earth-grid-foot system. On the basis of calculated results, the allowable touch voltage, the body current and the body voltage we can conduct the hazard or safety assessment and estimate the severity of electric shock.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2017.10a
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pp.425-428
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2017
This paper describes a full-wave rectifiers for energy harvesting circuit using a vibrational energy. The designed circuit is applied to the negative voltage converter with the body-bias technique using the Beta-multiplier so that the power efficiency is excellent even at the low voltage, and the comparator is designed as the bulk-driven type. The proposed circuit is designed with $0.35{\mu}m$ CMOS process, and The designed chip occupies $931{\mu}m{\times}785{\mu}m$.
This study is conducted to examine the theoretical background of characteristics for electric shock encountered in special high-voltage electric lines among the accidents of electric shock, and to calculate applied current to human body and field strength over the head by means of numerical anaysis through FEM(Finite Element Method), and to make clear the hazard level to the human body, and to establish the approach limit distance of human body to the electric lines, which could be applied to the safety standard while working in the vicinity of special high-voltage electric lines.
Floating inverter amplifiers (FIAs) have recently garnered considerable attention owing to their high energy efficiency and inherent resilience to input common-mode voltages and process-voltage-temperature variations. Since the voltage gain of a simple FIA is low, it is typically cascaded or cascoded to achieve a higher voltage gain. However, cascading poses stability concerns in closed-loop applications, while cascoding limits the output swing. This study introduces a gain-enhanced FIA that features cross-coupled body biasing. Through simulations, it is demonstrated that the proposed FIA designed using a 28-nm complementary metal-oxide-semiconductor technology with a 1-V power supply can achieve a high voltage gain (> 90 dB) suitable for dynamic open-loop applications. The proposed FIA can also be used as a closed-loop amplifier by adjusting the amount of positive feedback due to the cross-coupled body biasing. The capability of achieving a high gain with minimum-length devices makes the proposed FIA a promising candidate for low-power, high-speed sensor interface systems.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.49
no.3
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pp.161-164
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2000
A simple methode for calculating the forward voltage drop of IGBTs is presented, on the voltage drops on the p+ body, the reverse biased depletion region between p+body and epi-layer, the epi layer, and the forward biased collector junction. The decrease of the total current density in the epi layer near the p+ body is taken into account. The proposed methode allows a simple but accurate determination of the forward voltage drop in IGBTs, avoiding the complex path taken in the previous model for the forward voltage drops on channel, accumulation region, and epi region. Numerical simulations for 1kV NPT-IGBT with a uniformly doped collector are shown to support the analytical results.
The charge-pump circuit which is used to generate higher voltage than the available supply voltage has wide applications such as the flash memory of EEPROM Because the demand for high voltage comes from physical mechanism such as the oxide tunneling, the required pumped voltage cannot be scaled as the power supply voltage is scaled. Therefore, an efficient charge-pump circuit that can achieve high voltage from the available low supply voltage is essential. A new Analog Switch p-well CMOS charge pump circuit without the MOS device body effect is processed. By improve the structure of the circuit's transistors to reduce the threshold voltage shift of the devices, the threshold voltage of the device is kept constant. So, the circuit electrical characteristics are higher output voltage within a shorter time than the conventional charge pump. The propose analog switch CMOS charge pump shows compatible performance of the ideal diode or Dickson charge pump.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.46
no.11
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pp.1-7
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2009
In this paper, a simple analytical model for deriving the threshold voltage of a short-channel intrinsic-body SDG SOI MOSFET is suggested. Using the iteration method, both Laplace equations in intrinsic silicon body and gate oxide are solved two-dimensionally. Obtained potential distributions in both regions are expressed in terms of fourth and fifth-order of the coordinate perpendicular to the silicon channel direction. Making use of them, the surface potential is obtained to derive the threshold voltage in a closed-form. Simulation results show the fairly accurate dependencies of the threshold voltage on the various device parameters and applied bias voltages.
A study on the characteristics of electric shock in fresh water due to the leakage of submerged electric facility is conducted by using a reduced scale model at a scale of 1:10 in laboratory. Electric potential as a function of distance from leakage source, type of the leakage source, magnitude of the source voltage, submerged depth and diameter of a copper rod electrode is measured. On the basis of safety standard, separation for guarantee of safety is determined by the measured potential. Also supposing that body resistance is 500[$\Omega$], the human reaction was estimated by calculating body current for some shock duration. Thus, in this paper, the hazard of the electric shock is assessed by introducing representative safety factors, body voltage and body current due to leakage source.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers D
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v.55
no.8
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pp.378-385
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2006
In this study, a method measuring signal propagation direction in human body was developed by using passive electrical properties of the body. The measured method of the signal propagation direction is to apply basic characteristic of electricity to the human body; when a voltage is set to a conducted medium, according to the polarity of the conducted voltage, the voltage rising or drop is generated. And using this concept, it is able to estimate the direction of electrical signal on the human body. The passive electrical properties were measured and the direction of signal propagation was estimated on the followings; between the flexor carpi radialis, between arms, between legs, between an arm and a leg, between the cervical vertebra and the upper limb, between the sacral vertebra and the leg, between the cervical vertebra and the tendon of triceps brachii, and between the sacral vertebra and the calcaneal tendon. As the result of experiments, the passive electrical properties were increased from l[Hz] to 50[kHz] of the inputted frequencies and showed at saturating tendency after that. And also, the estimated signal propagation directions using the developed method in this study agreed with the expected directions exactly at each part of the human body.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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