• Title/Summary/Keyword: beam growth

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Epitaxial Growth of $Y_2O_3$ films by Ion Beam Assisted Deposition

  • Whang, C.N.
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.26-26
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    • 2000
  • High quality epitaxial Y2O3 thin films were prepared on Si(111) and (001) substaretes by using ion beam assisted deposition. As a substrate, clean and chemically oxidized Si wafers were used and the effects of surface state on the film crystallinity were investigated. The crystalline quality of the films were estimated by x-ray scattering, rutherford backscattering spectroscopy/channeling, and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The interaction between Y and Si atoms interfere the nucleation of Y2O3 at the initial growth stage, it could be suppressed by the interface SiO2 layer. Therefore, SiO2 layer of the 4-6 layers, which have been known for hindering the crystal growth, could rather enhance the nucleation of the Y2O3 , and the high quality epitaxial film could be grown successfully. Electrical properties of Y2O3 films on Si(001) were measured by C-V and I-V, which revealed that the oxide trap charge density of the film was 1.8$\times$10-8C/$\textrm{cm}^2$ and the breakdown field strength was about 10MV/cm.

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공기 조절 포장과 전자선 조사의 병용이 분쇄돈육의 저장 중 산화와 미생물적 안정성에 미치는 영향 (Combination Effect of Modified Atmosphere Packaging and Electron Beam Irradiation on the Oxidative and Microbiological Stability of Ground Pork during Storage)

  • Whang, Key
    • 한국축산식품학회지
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    • 제22권4호
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    • pp.322-329
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    • 2002
  • 분쇄 돈육을 $N_2$$CO_2$ 가스로 공기 조절 포장한 후 전자선으로 조사하여(0, 1.5, 3.0 kGy) 돈육을 저장하면서 미생물의 변화와 함께 공기 조절 포장이 전자선 처리에 의한 지방 산화를 억제하는지 관찰하였다. 분쇄 돈육은 공기 조절 포장과 전자선 처리(1.5와 3.0 kGy)후 4$^{\circ}C$에서 6일간 그리고 -15$^{\circ}C$ 에서 3달 동안 저장하면서 주기적으로 미생물 검사와 지방의 산패치를 측정하였다. 일반세균과 중온균의 경우 1.5와 3.0 kGy의 전자선 조사량으로 처리하였을 경우 대조구에 비해 그 증식이 현저히 억제되었음을 관찰하였다. 질소와 이산화탄소를 주입한 포장은 그 자체로도 대조구와 비교하였을 때 저장 중 지방의 산화를 억제하는 데에 큰 효과가 있었으며 또한 공기 조절 포장과 전자선 처리의 병용은 저장 중 분쇄 돈육의 미생물 증식과 지방의 산화를 억제하는데 효과적이었다.

실리콘 기판위에 분자선속법으로 생장한 GaAs 에피층 (Molecular Beam Epitaxial Growth of GaAs on Silicon Substrate)

  • 이동선;우덕하;김대욱;우종천
    • 한국결정성장학회지
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    • 제1권1호
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    • pp.82-91
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    • 1991
  • 분자선속 방법으로 실리콘 기판위에 GaAs의 에피층을 생장하고, 이를 분석한 결과를 보고한다. 두 종류의 실리콘 기판에 생장 조건을 다르게 한 시료를 준비하고, SEM, TEM, X-ray회절, PL, Hall 등의 방법으로 분석하였다. 결정면에서 약간 기울여 절삭한 기판에 이단계 성장법으로 성장한 에피층이 보다 좋은 결정 구조를 갖으며, multi-quantum well buffer layer를 삽입하는 것이 stress 해소 등에 도움이 된다. 또 GaAs 에피층은 저절로 실리콘으로 doping이 되는데, exciton bound 에너지 준위를 통한 radiative recombination은 homoepitaxial GaAs 에피층보다 잘 일어나지 않는 것으로 관측되었다.

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구조물의 피로수명 향상을 위한 형상 최적화 (Shape Optimization for Prolonging Fatigue Life of a Structure)

  • 한석영;송시엽
    • 대한기계학회논문집A
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    • 제26권8호
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    • pp.1512-1519
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    • 2002
  • Most of mechanical failures are caused by repeated loadings and therefore they are strongly related to fatigue. To avoid the failures caused by fatigue, determination of an optimal shape of a structure is one of the very important factors in the initial design stage. Shape optimization fer two types of specimens, which are very typical ones in opening mode in fracture mechanics, was accomplished by the linear elastic fracture mechanics and the growth-strain method in this study. Also shape optimization for a cantilever beam in mixed mode was carried out by the same techniques. The linear elastic fracture mechanics was used to estimate stress intensity factors and fatigue lives. And the growth-strain method was used to optimize the shape of the initial shape of the specimens. From the results of the shape optimization, it was found that shapes of two types of specimens and a cantilever beam optimized by the growth-strain method prolong their fatigue lives significantly. Therefore, it was verified that the growth-strain method is an appropriate technique for shape optimization of a structure having a crack.

Solid State Cesium Ion Beam Sputter Deposition

  • Baik, Hong-Koo
    • 한국결정성장학회:학술대회논문집
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    • 한국결정성장학회 1996년도 The 9th KACG Technical Annual Meeting and the 3rd Korea-Japan EMGS (Electronic Materials Growth Symposium)
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    • pp.5-18
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    • 1996
  • The solid state cesium ion source os alumino-silicate based zeolite which contains cerium. The material is an ionic conductor. Cesiums are stably stored in the material and one can extract the cesiums by applying electric field across the electrolyte. Cesium ion bombardment has the unique property of producing high negative ion yield. This ion source is used as the primary source for the production of a negative ion without any gas discharge or the need for a carrier gas. The deposition of materials as an ionic species in the energy range of 1.0 to 300eV is recently recognized as a very promising new thin film technique. This energetic non-thermal equilibrium deposition process produces films by “Kinetic Bonding / Energetic Condensation" mechansim not governed by the common place thermo-mechanical reaction. Under these highly non-equilibrium conditions meta-stable materials are realized and the negative ion is considered to be an optimum paeticle or tool for the purpose. This process differs fundamentally from the conventional ion beam assisted deposition (IBAD) technique such that the ion beam energy transfer to the deposition process is directly coupled the process. Since cesium ion beam sputter deposition process is forming materials with high kinetic energy of metal ion beams, the process provider following unique advantages:(1) to synthesize non thermal-equilibrium materials, (2) to form materials at lower processing temperature than used for conventional chemical of physical vapor deposition, (3) to deposit very uniform, dense, and good adhesive films (4) to make higher doposition rate, (5) to control the ion flux and ion energy independently. Solid state cesium ion beam sputter deposition system has been developed. This source is capable of producing variety of metal ion beams such as C, Si, W, Ta, Mo, Al, Au, Ag, Cr etc. Using this deposition system, several researches have been performed. (1) To produce superior quality amorphous diamond films (2) to produce carbon nitirde hard coatings(Carbon nitride is a new material whose hardness is comparable to the diamond and also has a very high thermal stability.) (3) to produce cesiated amorphous diamond thin film coated Si surface exhibiting negative electron affinity characteristics. In this presentation, the principles of solid state cesium ion beam sputter deposition and several applications of negative metal ion source will be introduced.

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중이온 빔조사 담배(Nicotiana plumbaginifolia) 식물체의 생장과 DNA 변이 (Growth and DNA Alteration of Heavy-ion Beam Irradiated Tobacco(Nicotiana plumbaginifolia) Plant)

  • 류재일;김민수;;이효연;양덕춘;배창휴
    • 한국자원식물학회지
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    • 제18권1호
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    • pp.169-178
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    • 2005
  • 중이온빔$(^{20}Ne)$을 담배 식물체에 조사(irradiation)하여 식물체의 생장과 DNA의 변이에 미치는 영향을 검토하였다. 발아율과 초장은 조사선 량이 증가함에 따라 감소하였다. 반면 $50Gy\~10Gy$의 저선량에서 추대와 개화가 촉진되어 발육은 오히려 촉진되었다. 총 100개의 primer를 이용하여 RAPD분석한 결과, 59개의 primer에서 총 336개의 DNA단편이 증폭되었고, 1개의 primer에서 중이온빔 조사처리구에서만 출현하는 DNA단편이 나타났다. AFLP분석 결과, 개체 특이적인 DNA단편은 나타난 반면 중이온빔 처리구 특이적인 DNA 단편은 관찰되지 않았다.

열 기포에 의한 고체 박막의 변형 해석 (Deflection of a Thin Solid Structure by a Thermal Bubble)

  • 김호영;이윤표
    • 대한기계학회논문집B
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    • 제27권2호
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    • pp.236-242
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    • 2003
  • Thermal bubbles find their diverse application areas in the MEMS (MicroElectroMechanial Systems) technology, including bubble jet printers, microactuators, micropumps, etc.. Especially, microactuators and micropumps, which use a microbubble growing by a controlled heat input, frequently involve mechanical and thermal interaction of the bubble with a solid structure, such as a cantilever beam and a membrane. Although the concept is experimentally verified that an internal pressure of the bubble can build up high enough to deflect a thin solid plate or a beam, the physics of the entire process have not yet been thoroughly explored. This work reports the experimental study of the growth of a thermal bubble while deflecting a thin cantilever beam. A physical model is presented to predict the elastic response of the cantilever beam based on the experimental measurements. The scaling law constructed through this work can provide a design guide for micro- and nano-systems that employ a thermal bubble for their actuation/pumping mechanism.

전자빔 조사에 의한 탄소상 탐침의 성장 (Carbon tip growth by electron beam deposition)

  • 김성현;최영진
    • 한국진공학회지
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    • 제12권2호
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    • pp.144-149
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    • 2003
  • 주사전자현미경을 이용한 전자빔의 직접조사에 의해 실리콘 캔틸레버 위에 탄소상 탐침을 성장하였다. 오일확산 펌프의 잔류가스 분위기에서 실리콘 캔틸레버와 전자빔을 수직으로 정렬한 다음 전자현미경의 스폿 모드를 통해 전자빔을 일정시간 동안 조사시켜 탄소상 탐침을 성장시켰다. 주사전자현미경의 제어변수인 조사시간, 가속전압, 방출 전류, 전자빔 프로브 전류 등을 변화시킴으로써 다양한 종횡비를 가지는 탐침을 성장시킬 수 있었으며, 성장 위치의 표면 형상과 무관하게 탐침을 성장시킬 수 있었다. 그 결과 유효길이 0.5 $\mu\textrm{m}$, 바닥직경 90 nm,콘의 반각 $3.5^{\circ}$인 탐침을 성장시켰다. 탐침이 없는 캔틸레버에 고종횡비 탄소상 탐침을 성장시킬 수 있는 기술은 PZT 박막구동기가 집적화된 AFM 캔틸레버의 탐침 형성 과정에서 발생하는 제작과정의 번거로움을 극복하는데 적용될 수 있다.

전자빔 증착법에 의한 CdSe/GaAs epilayer의 성장과 그 전기-광학적 특성 (Growth and electro-optical characteristics of CdSe/GaAs epilayers prepared by electron beam epitaxy)

  • 양동익;신영진;이춘호;최용대;유평렬
    • 한국결정성장학회지
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    • 제7권1호
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    • pp.70-75
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    • 1997
  • Electron beam 증착법을 보완하여 GaAs(100)기판위에 cubic(zinc blende) CdSe 에피충을 성장시켜 그의 특성을 조사하였다 .. CdSe 에피충의 격자 상수는 6.077 A였으며, 배향 성은 ECP 패번에 의하여 확인되고 결정성은 DCXR curve로 관찰하였다. 상온에서 측정된 H Hall data로는 에피충의 운반자 농도와 이통도는 각각 1018cm-3, 102cm2N' see 정도임을 알았 고 30 K에서 측정한 PC spectra peak는 cubic CdSe의 free exciton에 기인된 것으로 1.746 e eV에서 예리하게 나타냐고 있음을 보여주고 있다.

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Laser Molecular-Beam Epitaxy를 이용한 La0.35Pr0.35Ca0.3MnO3/LaAlO3 초격자 박막의 합성과 그 자기적 특성의 연구 (Growth of La0.35Pr0.35Ca0.3MnO3/LaAlO3 Thin Film using Laser Molecular-Beam Epitaxy and its Magnetic Properties)

  • 성상근;송종현
    • 한국자기학회지
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    • 제21권3호
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    • pp.93-98
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    • 2011
  • Laser Molecular-Beam Epitaxy 방법을 사용하여 $La_{0.35}Pr_{0.35}Ca_{0.3}MnO_3$(LPCMO)/$LaAlO_3$(LAO) 초격자를 성공적으로 증착하였으며 이의 열처리 전후 결정학적, 자기적 특성을 LPCMO 단층박막, 그리고 LPCMO/$SrTiO_3$(STO) 초격자와 비교 분석하였다. LPCMO 단층박막, 그리고 LPCMO/STO 초격자 단층박막의 경우, 표면이 열처리 전후 모두 거친 양상을 보인 것과는 달리 LPCMO/LAO 초격자 박막은 열처리 전후 모두 상대적으로 매우 매끈하였다. 열처리 후 단층박막, 초격자 박막 시료 모두 강자성 특성이 향상되었으며 특히 초격자의 경우에는 이러한 현상이 두드러졌다. 열처리 후에 보자력과 포화자기장이 감소하는 LPCMO 단층박막과는 달리 LPCMO/LAO 초격자의 경우, 열처리 후에도 보자력은 열처리 전과 같은 값을 보였으며 단층박막과는 반대로 포화자기장은 오히려 증가하였다. 이러한 자기적 특성은 절연체 사이에 강자성체가 끼여 있는 초격자라는 결정구조에서 기인하는 것으로 이해된다.