Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
/
2015.08a
/
pp.146-146
/
2015
We report the enhanced performance of poly(N-vinylcarbozole) (PVK)/poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS)-based quantum-dot light-emitting diodes by inserting the polyaniline:poly (p-styrenesulfonic acid) (PANI:PSS) interlayer. The QD-LED with PANI:PSS interlayer exhibited a higher luminance and luminous current efficiency than that without PANI:PSS. Ultraviolet photoelectron spectroscopy results exhibited different electronic energy alignments of QD-LEDs with/without the PANI:PSS interlayer. By inserting the PANI:PSS interlayer, the hole-injection barrier at the QD layer/PVK interface was reduced from 1.45 to 1.23 eV via the energy level down-shift of the PVK layer. The reduced barrier height alleviated the interface carrier charging responsible for the deterioration of the current and luminance efficiency. This suggests that the insertion of PANI:PSS interlayer in QD-LEDs contributed to (i) increase the p-type conductivity and (ii) reduce the hole barrier height of QDs/PVK, which are critical factors leading to improve the efficiency of QD-LEDs.
A new approach for ground water treatment combines a permeable Fe(0) barrier to breakdown higher chlorinated solvents like PCE and TCE with a down gradient aerobic biological treatment system to biotransform less chlorinated solvents, such as DCE and vinyl chloride (VC). The expected bacterial performance down gradient of an Fe(0) barrier was evaluated through laboratory batch experiments with a toluene-degrading mixed culture that cometabolically transforms cis-1,2-DCE and VC. The amount of cis-1,2-DCE (initially at 2,000 ppb) and VC (initially at 2,000 ppb) transformed was controlled by the initial toluene(20,000 ppb) concentration. VC was removed much more effectively than Cis-1,2-DCE, and a higher toluene concentration in comparison to the co-substrate concentrations was needed for complete co-substrate removal. Overall, the coupling of an Fe(0) barrier and subsequent biodegradation appears feasible for remediation of complex mixtures of chlorinated solvents and petroleum hydrocarbons in groundwater.
Journal of the Korean Society of Industry Convergence
/
v.9
no.1
/
pp.13-19
/
2006
The ozone produced by a dielectric barrier discharge device was injected into the exhaust gas to oxidize a part of NO to $NO_2$, and then the exhaust gas containing the mixture of NO and $NO_2$ was further treated in a catalytic reactor where both NO and $NO_2$ were reduced to $N_2$ in the presence of ammonia as the reducing agent. The $NO_2$ content in the mixture of NO and $NO_2$ was changed by the amount of ozone added to the exhaust gas. The experiments were primarily concerned with the effect of reaction temperature on the catalytic $NO_x$ reduction at various $NO_2$ contents. The increase in the $NO_2$ content by the ozone injection remarkably improved the performance of the catalytic $NO_x$ reduction, especially at low temperatures.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
/
v.6
no.1
/
pp.10-15
/
2006
Various sizes of erbium/platinum silicided n/p-type Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field effect transistors (SB-MOSFETs) are manufactured from $20{\mu}m$ to 10nm. The manufactured SB-MOSFETs show excellent DIBL and subthreshold swing characteristics due to the existence of Schottky barrier between source and channel. It is found that the minimization of trap density between silicide and silicon interface and the reduction of the underlap resistance are the key factors for the improvement of short channel characteristics. The manufactured 10 nm n-type SBMOSFET showed $550{\mu}A/um$ saturation current at $V_{GS}-V_T$ = $V_{DS}$ = 2V condition ($T_{ox}$ = 5nm) with excellent short channel characteristics, which is the highest current level compared with reported data.
Lee In Hwan;Kwon Tai Hun;Cho Dong-Woo;Kim Dong Sung
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
/
v.29
no.6
s.237
/
pp.904-912
/
2005
The flow in a microchannel is usually characterized as a low Reynolds number (Re) so that good mixing is quite difficult to be achieved. In this regard, we developed a novel chaotic micromixer, named Barrier Embedded Kenics Micromixer (BEKM). In the BEKM, the higher level of chaotic mixing can be achieved by combining two general chaotic mixing mechanisms: (i) splitting/reorientation by helical elements inside the microchannel and (ii) stretching/folding via periodically located barriers on the channel wall. The fully three-dimensional geometry of BEKM was realized by a micro-stereolithography technology, in this study, along with a Kenics micromixer and a circular T-pipe. Mixing performances of three micromixers were experimentally characterized in terms of an average mixing color intensity of phenolphthalein. Experimental results show that BEKM has better mixing performance than other two micromixers. Chaotic mixing mechanism, proposed in this study, could be integrated as a mixing component with Micro-Total-Analysis-System, Lab-on-a-chip and so on.
At present, the cold cathode fluorescent lamp (CCFL) using mercury lamp has been generally used far liquid crystal backlight source of personal computer and car navigation and so on. This kind of lamp is more excellent on luminance performance and cost. However, the requirements of liquid crystal backlight due to a light source without mercury have been strongly increased from a viewpoint of the actual influence on environmental preservation and environmental recycling. As fluorescent lamp without mercury, Dielectric Barrier Discharge based rare gas fluorescent lamp (DBD-FL) using xenon (Xe) gas has been studied so far. This DBD lamp has no influence on the human body and environmental recycle. Its operating life is long because electrode is out. In this paper, the simulation and experimental results of soft switching high frequency inverter with reverse blocking single switch as a high frequency power supply circuit for DBD-FL using Xe gas are comparatively evaluated and discussed from a practical point of view.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
/
v.4
no.2
/
pp.94-99
/
2004
silicided 50-nm-gate-length n-type Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (SB-MOSFETs) with 5 nm gate oxide thickness are manufactured. The saturation current is $120{\mu}A/{\mu}m$ and on/off-current ratio is higher than $10^5$ with low leakage current less than $10{\mu}A/{\mu}m$. Novel phenomena of this device are discussed. The increase of tunneling current with the increase of drain voltage is explained using drain induced Schottky barrier thickness thinning effect. The abnormal increase of drain current with the decrease of gate voltage is explained by hole carrier injection from drain into channel. The mechanism of threshold voltage increase in SB-MOSFETs is discussed. Based on the extracted model parameters, the performance of 10-nm-gate-length SB-MOSFETs is predicted. The results show that the subthreshold swing value can be lower than 60 mV/decade.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
/
v.22
no.1
/
pp.17-21
/
2009
The electrical characteristics of band-gap engineered tunneling barriers consisting of thin $SiO_2$ and $Si_3N_4$ dielectric layers were investigated for nonvolatile memory device applications. The band structure of band-gap engineered tunneling barriers was studied and the effectiveness of these tunneling barriers was compared with the conventional tunneling $SiO_2$ barrier. The band-gap engineered tunneling barriers composed of thin $SiO_2$ and $Si_3N_4$ layers showed a lower operation voltage, faster speed and longer retention time than the conventional $SiO_2$ tunnel barrier. The thickness of each $SiO_2$ and $Si_3N_4$ layer was optimized to improve the performance of non-volatile memory.
The effects of coating thickness on the delamination and fracture behavior of thermal barrier coating (TBC) systems were investigated with cyclic flame thermal fatigue (FTF) and thermal shock (TS) tests. The top and bond coats of the TBCs were prepared by electron beam-physical vapor deposition and low pressure plasma spray methods, respectively, with a thickness ratio of 2:1 in the top and bond coats. The thicknesses of the top coat were 200 and $500{\mu}m$, and those of the bond coat were 100 and $250{\mu}m$. FTF tests were performed until 1140 cycles at a surface temperature of $1100^{\circ}C$ for a dwell time of 5 min. TS tests were also done until more than 50 % delamination or 1140 cycles with a dwell time of 60 min. After the FTF for 1140 cycles, the interface microstructures of each TBC exhibited a sound condition without cracking or delamination. In the TS, the TBCs of 200 and $500{\mu}m$ were fully delaminated (> 50 %) within 171 and 440 cycles, respectively. These results enabled us to control the thickness of TBC systems and to propose an efficient coating in protecting the substrate in cyclic thermal exposure environments.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
/
v.18
no.4
/
pp.225-228
/
2017
In this study, zinc tin oxide (ZTO) films were prepared on indium tin oxide (ITO) glasses and annealed at different temperatures under vacuum to investigate the correlation between the Ohmic/Schottky contacts, electrical properties, and bonding structures with respect to the annealing temperatures. The ZTO film annealed at $150^{\circ}C$ exhibited an amorphous structure because of the electron-hole recombination effect, and the current of the ZTO film annealed at $150^{\circ}C$ was less than that of the other films because of the potential barrier effect at the Schottky contact. The drift current as charge carriers was similar to the leakage current in a transparent thin-film device, but the diffusion current related to the Schottky barrier leads to the decrease in the leakage current. The direction of the diffusion current was opposite to that of the drift current resulting in a two-fold enhancement of the cut-off effect of leakage drift current due to the diffusion current, and improved performance of the device with the Schottky barrier. Hence, the thin film with an amorphous structure easily becomes a Schottky contact.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.