• Advances in materials Research
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• 제13권3호
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• pp.243-251
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• 2024

The asymmetric polylactic acid (PLA) membrane was prepared via phase inversion method using non-solvent induced separation (NIPS) technique. This study aims to synthesized as well as to characterize the PLA membrane and evaluating the membrane performance on water flux and permeability. In addition, this research also studied the removal performance of methylene blue dye. The polymer solution has been prepared using 12 wt.% of PLA and dissolved in 88 wt.% of Dimethylacetamide (DMAc) as a solvent. Then, the cast film was immersed in different ratio of coagulant bath medium (distilled water: methanol: ethanol) ranging from 100:0:0, 75:25:0, 75:0:25 and 75:12.5:12.5, respectively). Several characterizations were performed which include, membrane contact angle and membrane porosity. Performance PLA membranes were determined in terms of water flux and permeability at 1 bar transmembrane pressure using dead-end permeation cell. Finally, methylene blue (MB) removal efficiency was tested at the same transmembrane pressure. The findings revealed that the increase of alcohol concentration in coagulant bath resulted in higher porosity and lower contact angle. In short, MB dye rejection efficiency is also closely related to the amount of alcohol ratio used in coagulant baths. Increases in concentration of methanol and ethanol in coagulant bath medium increases the membrane porosity thus increased in efficiency of methylene blue rejection.

• 재무관리연구
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• 제23권2호
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• pp.109-141
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• 2006

본 연구에서는 $1996{\sim}2004$년의 기간을 대상으로 32,003개의 제조기업표본을 이용하여 한국기업의 자금조달행태와 재무구조 결정요인을 분석하였다. 회귀분석에 앞서 표본기업의 재무자료를 이용하여 자금조달행태를 직접 검토하였다. 외환위기 이후 한국기업의 재무구조는 수익성개선에 따른 내부자금조달의 증가, 투자지출의 축소로 인한 자금소요의 감소, 단기차입금의 감소, 주식 발행의 증가 등에 의하여 급속히 개선되었다. 외부자금조달에 있어서 순부채발행에 의한 조달비율보다 순주식발행에 의한 조달비율이 약간 높게 나타났으나, 이는 주로 상장기업의 주식발행에 의한 것이며 상장기업이라 하더라도 자금부족기업의 경우에는 여전히 장기부채와 단기부채발행에 의하여 필요한 외부자금의 70%이상을 조달하는 것으로 나타났다. 또 증권발행을 선택한 비율을 산출한 결과 부채발행을 실시한 기업의 비율이 주식발행을 실시한 기업의 비율을 크게 상회하였다. 회귀분석결과 자금부족변수가 순부채발행의 변동을 100% 설명하거나 예측하지는 못하고 있다. 그러나 자금부족변수는 순주식발행보다는 순부채발행의 변동을 훨씬 잘 설명하는 것으로 드러나고 있다. 정태적 절충이론의 타당성을 검증할 수 있는 목표조정모형을 추정한 결과 전기간 - 전체표본을 대상으로 할 경우 조정계수의 부호는 예상과는 달리 음(-)인 것으로 나왔지만, 목표조정모형에 포함된 자금부족변수는 순부채발행의 변동을 기대된 대로 잘 설명하는 것으로 나타났다. 재무구조 결정요인을 규명하는 모형에서 자금부족변수가 재무구조 결정요인에 추가되었을 때, 다른 변수들의 설명력은 그대로 유지되었으며 자금부족변수는 부채비율에 양(+)의 방향으로 유의적인 영향을 미치는 것으로 나타났고 결정계수도 상승하였다. 결론적으로 정태적 절충이론보다는 자금조달순위이론이 기간중 한국제조기업의 자금조달행태를 설명하는데 더 부합하는 것으로 평가할 수 있다.

• 암석학회지
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• 제9권4호
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• pp.254-270
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• 2000

예천전단대가 통과하고 북동-남서 방향의 구조선과 동처 방향의 구조선이 발달하고 있는 경북 봉화군 상운면지역에서 북부 소백산육괴의 지질구조를 규명하기 위해 이 지역의 주 구성암류인 선캠브리아기 원남층과 중생대 각섬석 화강암에 대한 암석구조를 연구하였다. 이 지역의 지질구조는 원남층의 편마면 내지 편리면이 형성된 이후 적어도 네 번의 변형단계(예천전단대 형성과 관련된 D2 연성전단변형 이전에 한 번의 변형작용과 이후에 적어도 두 번의 변형작용)를 걸쳐 형성되었다. 북동-남서 방향의 구조선과 동서 방향의 구조선은 하나의 거대한 완사 내지 개방형 F4 습곡작용에 의해 형성되었으며, D4 변형 이전에 이들 구조선은 F4 습곡축부의 방향과 평행한 동북동서남서 방향이었던 것으로 해석된다. D4 변형 이전의 각 변형단계 별 구조적 특성 및 상대적인 발생시기는 다음과 같다: Dl 변형-준 수평적인 습곡축과 고각으로 경사하는 습곡축면을 갖는 동북동 방향의 등사습곡과 부딩구조 형성기; D2 변형-북쪽으로 경사하는 원남층의 우세한 엽리면의 상부가 동북동쪽으로 이동하는 대규모의 우수 주향 이동성의 연성전단운동에 의한 압쇄구조면과 신장선구조 그리고 Z자형 비대칭 습곡형성기(중생대 각섬석 화강암이 관입된 이후); D3 변형-원남층의 우세한 엽리면의 상부가 경사 방향(북북서 방향)으로 떨어지는 정전단운동에 의한 준 수령적인 습곡축과 습곡축면을 갖는 동북동 방향의 S자형 비대칭 습곡 형성기. 이러한 연구결과는 신동-봉화 연결선을 경계로 지구조선의 방위가 북동-남서 방향에서 동-서 방향으로 전환되는 북부 소백산육괴와 옥천대 북동부의 지구조 발달과정을 해석하는데 유용하게 활용될 것으로 기대된다.

• 암석학회지
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• 제6권3호
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• pp.151-165
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• 1997

옥천변성대의 북동부에 위치하고 있는 충주 계명산지역은 옥천누층군(대향산 규암층, 향산리 돌로마이트층, 계명산층)과 이들을 관입하고 있는 중생대 충주화강암으로 주고 구성되어 있다. 계명 산층의 주요 구성암류는 역질암, 염기성질암, 산성질암, 이질암 그리고 사질암 기원의 다양한 변성도를 보이는 변성암류로 되어 있고, 염기성질암과 산성질암을 교호 내지 설상으로 산출한다. 이는 염기성질암과 산성질암이 열곡환경의 바이모달(bimodal)형 화성활동의 산물이었음을 제안한다. 또한, 열린 납작 타원형 분포를 보이는 역질암의 외곽부에는 주로 화산암형 산성질암이 분포하고 그의 중심부에는 화산암형 산성질암과 함께 심성암형 산성질암이 분포한다. 이는 역질암 형성 이전의 산성질암 화성활동은 역질암 형성과 동시기 내지 이후의 산성질암 화성활동과 그의 산상에서 차이점이 있음을 의미한다. 충주 계명산지역 옥천변성대의 지리구조는 적어도 세 번의 변형단계를 거쳐 형성되었다. 첫 번째 변형(D1 변형 )은 북북서 내지 북서 주향에 서남서 내지 남서 방향으로 경사하는 습곡축면(S1)과 서쪽으로 침강하는 습곡축을 보이는 동쪽으로 닫힌 하나의 거대한 칼집형(sheath-type)습곡(F1 습곡)을 형성시켰다. 그 결과, 서쪽으로 침강하는 신장선구조(L1)가 형성되엇다. 두 번째 변형(D2 변형)은 북북동 내지 북동 주향의 습곡축면(S2)과 $20~45^{\circ}/210~230^{\circ}$ 방향의 습곡축(L2)을 보이는 동남동 내지 남동 버전스(vergence)의 비대칭 습곡(F2 습곡)을 형성시켰다. 그 결과, 서쪽으로 침강하는 원래의 L1방향은 F2 습곡의 하위 날개(역전된 날개)부에서 북서쪽으로 침강하는 L1으로 재배열되었다. 세 번째 변형(D3 변형)은 $45^{\circ}/265^{\circ}$ 방향의 습곡을 갖는 셰브론(chevron)형 습곡(F3 습곡)으로, 남북 방향의 압축작용에 의해 형성된다. 그 결과, 원래의 L2 방향($20~45^{\circ}/210~230^{\circ}$방향)은 주로 $35~45^{\circ}/260~280^{\circ}$방향과 부수적으로 $30~45^{\circ}/135~165^{\circ}$ 방향의 L2로 재배열된다. D3 변형 이후, 동서 방향의 압축작용으로 형성된 남북 주향에 고각 경사의 습곡축면과 준 수평적인 습곡축을 갖는 열린(open)습곡이 관찰된다.

• 콘크리트학회논문집
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• 제22권3호
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• pp.381-388
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• 2010

이 논문에서는 내진상세가 적용되지 않은 RC골조의 지진 거동 특성을 파악하였다. 해석 대상 건물은 내진 규준의 적용을 받지 않고 중력하중만을 고려하여 설계되었다. 원형철근이 주철근으로 사용되었으며, 부재는 낮은 수준의 전단력을 견딜 수 있는 최소한의 스터럽이 사용되어 코어 부분의 구속효과는 거의 없다. 평면비정형성을 가진 건물의 경우, 푸쉬오버 해석을 통해서는 비틀림으로 인한 평면상에서 연단부의 손상집중을 파악할 수 없으므로 비선형 동적해석을 사용하는 것이 바람직하다. 섬유요소를 이용한 비선형 동적해석은 양방향 지진하중과 비틀림 거동의 영향을 받는 RC골조의 거동을 성공적으로 예측할 수 있었다. 하지만, 보다 진보된 응답 예측을 위해서는 부착 미끄러짐과 같은 보-기둥 접합부의 국부거동을 정밀하게 나타내는 모델링 요소의 개발이 필요하다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제11권7호
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• pp.192-209
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• 2011

본 연구는 미디어 시장에서 종합편성채널 도입이 확정된 이후 지역 지상파방송사들의 대응전략을 살펴보았다. 종합편성채널 등장으로 시장경쟁력이 취약한 지역 지상파방송은 제한된 광고시장에서 더욱 생존의 어려움에 내몰린다. 그리고 지역 지상파방송은 규제의 측면에서 종합편성채널에 비해 차별적 적용을 받는다. 의무재송신, 방송권역, 편성규제, 광고규제, 방송발전기금 등에서 역차별을 받고 있다. 이에 지역 지상파 방송사는 어려운 미디어 환경에서 다각적인 대응전략이 필요하다. 무엇보다도 경쟁력 있는 콘텐츠 강화가 절실할 때이다. 그러기에 콘텐츠 유통구조를 다원화할 필요가 있다. 지역방송의 유통구조를 확대하기 위한 방법으로, 전국 네트워크 프로그램에 지역프로그램 편성총량제 도입이 강조된다. 지역방송사가 제작한 프로그램이 주시청시간대에 전국 네트워크를 통해 정규적으로 방송될 수 있도록 하는 의무화정책이 그 예이다. 또한 독자적인 우수한 콘텐츠개발로 2차 유통창구의 다원화가 필요하다. 각 지역방송사와 SO 등 다양한 플랫폼에 공급할 수 있도록 해야 한다. 또한 지역방송사간 권역 간, 권역별 공동제작 프로그램을 활성화시킬 필요가 있다. 중앙사와 지역 방송사 간 전파료를 현실적으로 분배해야 하고 지역방송 자체적으로도 수익모델을 광고 이외에 협찬과 자체사업을 확대하여 경쟁력을 강화시켜 자생력을 키워 나가야 할 것이다. 그리고 광역화를 통해 규모의 경제를 확대해야 할 것이다.

• 한국진공학회지
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• 제9권2호
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• pp.136-143
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• 2000

RF magnetron sputtering법으로 $SrBi_2Ta_2O_9$ (SBT)박막을 상온에서 p-type Si(100) 기판위에 증착하여 DRO 강유전체 메모리(destructive read out ferroelectric random access memory)에 사용되는 강유전체막으로 Pt/SBT/Pt/Ti/$SiO_2$/Si (MFM)구조의 응용가능성을 확인하였다. 구조적인 특징들이 열처리 시간의 변화와 Ar/$O_2$의 가스 유량비의 변화에 따라서 XRD(x-ray diffractometer)에 의해 관찰되었으며 표면 특성은 FE-SEM(field emission scanning electron microscopy)에 의해서 관찰하고 박막의 전기적 특성들은 P-V(polarization-voltage measurement)와 I-V(current-voltage measurement)를 사용하여 관찰하였다. 스퍼터링 증착시 Ar/$O_2$의 가스 유량비는 1:4에서 4:1까지 변화 시켰고 SBT박막은 상온에서 증착시켰다. XRD 측정시 박막들은 SBT의 (105), (110) peak들을 나타내었다. 상온에서 증착시킨 박막은 1시간, 2시간 동안 산소 분위기에서 $800^{\circ}C$ 열처리를 하여 결정화 시켰다. SBT 박막의 P-V곡선은 이력 곡선의 모양을 갖추었으며 비대칭적인 강유전체 특성을 나타내었다. Ar/$O_2$ 가스유량비가 1 : 1, 2 : 1인 경우에 박막의 누설 전류밀도 값이 제일 좋았으며, 그 값은 3V 5V 7V에서 각각 $3.11\times10^{-8} \textrm{A/cm}^2$, $5\times10^{-8}\textrm{A/cm}^2$, $7\times10^{-8}\textrm{A/cm}^2$ 이었다. 열처리 시간을 2시간으로 증가시킨 후, 그들의 전기적 특성과 결정화특성이 개선됨을 확인하였다. AES 분석 및 EPMA분석으로 SBT박막의 깊이 분포 및 조성을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.324-325
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• 2014

Quantum wells infrared photodetectors (QWIPs) have been used to detect infrared radiations through the principle based on the localized stated in quantum wells (QWs) [1]. The mature III-V compound semiconductor technology used to fabricate these devices results in much lower costs, larger array sizes, higher pixel operability, and better uniformity than those achievable with competing technologies such as HgCdTe. Especially, GaAs/AlGaAs QWIPs have been extensively used for large focal plane arrays (FPAs) of infrared imaging system. However, the research efforts for increasing sensitivity and operating temperature of the QWIPs still have pursued. The modification of heterostructures [2] and the various fabrications for preventing polarization selection rule [3] were suggested. In order to enhance optical performances of the QWIPs, double barrier quantum well (DBQW) structures will be introduced as the absorption layers for the suggested QWIPs. The DBWQ structure is an adequate solution for photodetectors working in the mid-wavelength infrared (MWIR) region and broadens the responsivity spectrum [4]. In this study, InGaAs/GaAs/AlGaAs double barrier quantum well infrared photodetectors (DB-QWIPs) are successfully fabricated and characterized. The heterostructures of the InGaAs/GaAs/AlGaAs DB-QWIPs are grown by molecular beam epitaxy (MBE) system. Photoluminescence (PL) spectroscopy is used to examine the heterostructures of the InGaAs/GaAs/AlGaAs DB-QWIP. The mesa-type DB-QWIPs (Area : $2mm{\times}2mm$) are fabricated by conventional optical lithography and wet etching process and Ni/Ge/Au ohmic contacts were evaporated onto the top and bottom layers. The dark current are measured at different temperatures and the temperature and applied bias dependence of the intersubband photocurrents are studied by using Fourier transform infrared spectrometer (FTIR) system equipped with cryostat. The photovoltaic behavior of the DB-QWIPs can be observed up to 120 K due to the generated built-in electric field caused from the asymmetric heterostructures of the DB-QWIPs. The fabricated DB-QWIPs exhibit spectral photoresponses at wavelengths range from 3 to $7{\mu}m$. Grating structure formed on the window surface of the DB-QWIP will induce the enhancement of optical responses.

• 정보처리학회논문지D
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• 제15D권6호
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• pp.755-766
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• 2008

최근 NAND 플래시 메모리는 하드 디스크에 비해 작고, 속도가 빠르며, 저 전력 소모 등의 장점을 가지고 있어 차세대 저장 매체로 각광받고 있다. 그러나 쓰기-전-소거 구조, 비대칭 연산 속도 및 단위와 같은 독특한 특징으로 인하여, 디스크 기반의 시스템이나 응용을 NAND 플래시 메모리 상에 직접 구현시 심각한 성능저하를 초래할 수 있다. 특히 NAND 플래시 메모리 상에 B-트리를 구현할 경우, 레코드의 잦은 삽입, 삭제 및 재구성에 의한 많은 양의 중첩 쓰기가 발생할 수 있으며, 이로 인하여 급격한 성능 저하가 발생할 수 있다. 이러한 성능 저하를 피하기 위해 ${\mu}$-트리가 제안되었으나, 잦은 노드 분할 및 트리 높이의 빠른 신장 등의 문제점을 가지고 있다. 본 논문에서는 갱신 연산을 위해 특정 단말 노드에 해당하는 로그 노드를 할당하고, 해당 로그 노드에 있는 변경된 데이터를 한 번의 쓰기 연산으로 저장하는 로그 기반의 B-트리(LSB-트리)를 제안한다. LSB-트리는 부모 노드의 변경을 늦추어 추가적인 쓰기 연산의 횟수를 줄일 수 있다는 장점을 가지고 있다. 또한 키 값에 따라 데이터를 순차적으로 삽입할 때, 로그 노드를 새로운 단말 노드로 교환함으로써 추가적인 쓰기 연산의 횟수를 줄일 수 있다. 마지막으로, 다양한 비교 실험을 통하여 ${\mu}$-트리와 비교함으로써 LSB-트리의 우수성을 보인다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제35권6호
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• pp.603-609
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• 2022

Passivation quality is mainly governed by epitaxial growth of crystalline silicon wafer surface. Void-rich intrinsic a-Si:H interfacial layer could offer higher resistivity of the c-Si surface and hence a better device efficiency as well. To reduce the resistivity of the contact area, a modification of void-rich intrinsic layer of a-Si:H towards more ordered state with a higher density is adopted by adapting its thickness and reducing its series resistance significantly, but it slightly decreases passivation quality. Higher resistance is not dominated by asymmetric effects like different band offsets for electrons or holes. In this study, multilayer of intrinsic a-Si:H layers were used. The first one with a void-rich was a-Si:H(I₁) and the next one a-SiO_x:H(I₂) were used, where a-SiO_x:H(I₂) had relatively larger band gap of ~2.07 eV than that of a-Si:H (I₁). Using a-SiO_x:H as I₂ layer was expected to increase transparency, which could lead to an easy carrier transport. Also, higher implied voltage than the conventional structure was expected. This means that the a-SiO_x:H could be a promising material for a high-quality passivation of c-Si. In addition, the i-a-SiO_x:H microstructure can help the carrier transportation through tunneling and thermal emission.