• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제10권1호
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• pp.59-69
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• 1999

반응성 스퍼터링법으로 AIN 박막을 증착하여 Al/AlN/Si구조의 MIS소자용 절연박막으로서의 응용가능성에 대해 연구하였다. 기판온도 $300^{\circ}C$, RF power 150W, 스퍼터링 압력 5mTorr, 아르곤과 질소 가스유량비 1:1 의 조건에서 5%의 수소가스를 부가적으로 첨가해 주는 시기에 따른 AIN박막의 표면형상변화, I-V특성, C-V특성, 조성을 조사하였다. 수소첨가에 따라 증착속도는 상당히 감소하였으나 표면형상 및 거칠기는 크게 변하지 않았다. I-V특성에서는 AIN 박막 증착시 초기 20분간 수소첨가를 시킨 경우가 후기 20분간 수소첨가를 시킨 경우보다 보다 우수한 절연특성을 보였다. 또한 C-V특성에서도 수소가 첨가됨에 따라 플랫밴드전압이 매우 낮아졌으며, 초기 20분간 수소첨가를 시킨 경우는 히스테리시스를 거의 보이지 않았으나, 후기 20분간 수소첨가를 시킨 경우는 상당한 히스테리시스를 보였다. AES를 이용한 조성분석을 통해 수소가스가 첨가됨에 따라 AIN박막내의 산소농도가 낮아진다는 사설을 발견하였고, 이에 따라 박막의 절연특성 및 C-V특성이 향상될 수 있는 가능성을 보였다.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권5호
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• pp.40-47
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• 1998

This paper report sthe design, fabrication and characterization of an AlGaAs/GaAs HBT (heterojunction bipolar transistor) with an air-bridge isolation structure which is made to improve high frequency characteristics for the application to the mobile communication system in the next genration. We found that the size, shape and structure of HBT have an effect on the high frequency operation. The measured dc and ac characteristics of the four type HBTs were compared and analyzed. An E-type HBT with an air-bridge structure by undercut etching exhibited .beta.=56, $V_{off-set}$ = 0.3 V, B $V_{CEO}$=7.0V with $f_{T}$=40 GHz and $f_{max}$=45GHz at a collector current density of 7.1*10$^{4}$ A/c $m^{2}$.>.

• 한국결정성장학회지
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• 제15권6호
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• pp.222-224
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• 2005

In suite of their superior optical and laser properties rare-earth orthovanadate single crystals have not been adopted yet into extensive industrial applications because of crystal growth difficulties. The edge-defined film-fed-growth (EFG) technique was applied successfully for the production of such crystals. At first time 1 inch $LuVO_4$ single crystals were grown by the EFG technique using newly developed die construction of high porous iridium with the application of automatic diameter control system.

• The Korean Journal of Physiology and Pharmacology
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• 제10권5호
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• pp.243-249
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• 2006

The effect of genistein, widely used as a specific tyrosine kinase inhibitor, on rat brain Kv1.5 channels which were stably expressed in Chinese hamster ovary cells was investigated using the whole-cell patch-clamp technique. Genistein inhibited Kv1.5 currents at +50 mV in a concentration-dependent manner, with an $IC_{50}$ of $54.7{\pm}8.2\;{\mu}M$ and a Hill coefficient of $1.1{\pm}0.2$. Pretreatment of Kv1.5 with protein tyrosine kinase inhibitors ($10\;{\mu}M$ lavendustin A and $100\;{\mu}M$ AG1296) and a tyrosine phosphatase inhibitor ($500\;{\mu}M$ sodium orthovanadate) did not block the inhibitory effect of genistein. The inhibition of Kv1.5 by genistein showed voltage-independence over the full activation voltage range positive to 0 mV. The activation (at +50 mV) kinetics was significantly delayed by genistein: time constant for an activation of $1.4{\pm}0.2$ msec under control conditions and $10.0{\pm}1.5$ msec in the presence of $60\;{\mu}M$ genistein. Genistein also slowed the deactivation of the tail currents, resulting in a crossover phenomenon: a time constant of $11.4{\pm}1.3$ msec and $40.0{\pm}4.2$ msec under control conditions and in the presence of $60\;{\mu}M$ genistein, respectively. Inhibition was reversed by the application of repetitive depolarizing pulses, especially during the early part of the activating pulse. These results suggest that genistein directly inhibits Kv1.5 channels, independent of phosphotyrosine-signaling pathway.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제42권11호
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• pp.61-66
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• 2005

본 논문은 WLAN에 이용되는 상위 6비트 온도계 코드의 전류원 셀 매트릭스와 중간 2비트 온도계 코드의 전류원, 그리고 하위 2비트 이진 가중치 코드의 서브 블록으로 구성된 10비트 210MHz의 CMOS 전류구동 디지털-아날로그 데이터 변환기(DAC)을 설계하였다. 제안된 새로운 글리치 억제회로는 입력된 신호의 교차되는 위치를 조절함으로써, 글리치 에너지를 최소화하도록 설계하였다. 또한 제안된 10비트 DAC는 CMOS $0.35{\mu}m$ 2-poly 4-metal 공정을 이용하여 설계하였으며, 유효 칩 면적은 5mm2이다. 제안된 10비트 DAC 칩의 측정결과, 변환속도는 210MHz, DNL/INL은 각각 ${\pm}0.7LSB/{\pm}1.1LSB$이며, 글리치 에너지는 $76pV{\cdot}sec$이고, SNR은 50dB, SFDR은 53dB((a)200MHz), 전력소비는 83mW((a)3.3V)로 측정되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.55-58
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• 2002

In this paper, the volume resistivity properties of silicone rubber investigated due to temperature dependence. And the measurement of volume resistivity is measured from 1, 5 and 10 minutes when the each applied voltage, for example, DC 100[V], 250[V], 500[V] and 1000[V], is applied. according to the step voltage application method. As a result, The volume resistivity is higher high voltage than low voltage at the room temperature, but is higher low voltage than high voltage at high temperature.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권7호
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• pp.69-76
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• 1995

A new device structure has been developed for p-i-n switches. In this structure, the phosphorus-diffused n$^{+}$ layter adjacent to the boron-doped anode is used to short the p$^{+}$ anode-channel(i-region). This change in the anode electrode structure results in a significant improvement in the threshold voltage-to-holding voltage($V_{Th}/V_{h}$) ratio, which is due to the suppression of the hold injection from the anode by the n$^{+}$ layer. The shorted anode p-i-n devices of a 100 .mu.m channel length show an extremely high threshold voltage in the 250~300 V range and a low holding voltage in the 5~9 V range. These features of the device are expected to acdelerate their practical application to power switching circuits.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권10호
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• pp.966-970
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• 2006

We reported on characteristics of the piezoelectric ceramic-polymer composite for the application of the thick-film speaker. The PVDF-PZT composites were fabricated to incorporate the advantages of both ceramic and polymer with various mixing ratios by 3-roll mill mixer. The composite solutions were coated by the conventional screen-printing method on ITO electrode coated PET (Polyethylene terephthalate) polymer film. After depositing the top-electrode of silver-paste, 4 kV/mm of DC field was applied at $120^{\circ}C$ for 30 min to poling the composite films. The value of $d_{33}$ (piezoelectric charge constant) was increased when the PZT weight percent was increased. The maximum value of the $d_{33}$ was 24 pC/N at 70 wt% PZT. But the $g{33}$ (piezoelectric voltage constant) showed the maximum value of $32mV{\cdot}m/N$ at 65 wt% of PZT powder. The SPL (sound pressure level) of the speaker fabricated with the 65:35 composite film was about 68 dB at 1 kHz.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.266_267
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• 2009

22.9kV HTS(High Temperature Superconducting) cable and SFCL(Superconducting Fault Current Limiter) will be installed to Icheon 154kV substation for real distribution power system operation in 2010. This paper proposes CLR (Current Limiting Resistance) specification of the SFCL and fault current condition fo the HTS cable for applying to Korean power system.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2002년도 춘계학술발표논문집 (하)
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• pp.1349-1352
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• 2002

Handset 을 통한 m-Commerce 시장의 확장과 더불어 커머스를 기반으로 한 물류서비스, 무선 인트라넷, 모바일 증권거래 등에 PDA(Personal Digital Assistant)를 정보단말로 이용하는 서비스가 늘어나면서 PDA 무선 보안솔루션 개발에 관련된 관심이 잇따르고 있다. 특히 PDA 무선 보안솔루션은 무선 PKI를 비롯해 암호화 솔루션, 백신, 파이어월 등 다양한 분야에서 독특한 기술이 개발되고 있으며 보안분야의 새로운 시장을 형성할 것으로 기대된다. PDA 무선 보안 솔루션은 증권, 뱅킹 등에서 시도되어지고 있는 Application layer 에서 암호/복호화 하는 방식, 유선과 동일하게 브라우저/ 웹서버에서 제공하는 SSL 암호화 방식, SSL v3 및 TLS v1 과 호환되는 자체 암호화 모듈 방식등의 3 가지로 크게 나누어 볼 수 있다. 본 논문에서는 WinCE OS 의 iPaq PDA 에 SSL v3 및 TLS v1 과 호환되는 자체 암호화 모듈 방식의 시스템을 설계한다. PDA 와 서버 간의 인증, 메시지 기밀성 및 무결성을 충족시킬 수 있는 보안 서비스를 제공하고 유선과 동일한 수준의 보안 수준을 유지하면서도 지금까지 무선 암호인증의 문제점이었던 소용량 무선단말기의 한계를 극복하는 PDA 용 무선 보안 솔루션을 설계하는데 목적을 두고 있다.