In order to achieve optimal reproductive performance, reliable morphological and physiological basic data on the reproductive organs are desirable. Adult male Korean ring-necked pheasant in inactive(mid of January) and active state (end of April) were used in this study. In addition, five active state pheasants were received a single dose of 60Co-ray 500 rads each to damage the testes. The objective of this study was to investigate the distribution pattern of protein gene product (PGP) 9.5 and ${\alpha}$-tubulin in the pheasant testes of the active, inactive and ${\gamma}$-ray irradiated active states. The results obtained were summarized as follows 1. The seminiferous tubules collected in inactive states( mid of Jan) showed narrow lumen, and the spermatogonia and the Sertoli cell were well preserved. The PGP 9.5 immunoreactivity of these tubules showed a positive reaction in paranucleus area of the spermatogonia, and a positive reaction in a small number of the Leydig cells in the interstitium of the seminiferous tubules. 2. The seminiferous tubules were dilated in active state(end of April) as compared with the inactive state. The PGP 9.5 reactivity in these tubules showed a positive reaction in many Leydig cells in the interstitium of the seminiferous tubules, and the testes of ${\gamma}$-ray irradiated group showed partially weak reaction in the interstitium of the seminiferous tubules. 3. The ${\alpha}$-tubulin reactivity in the seminiferous tubules of the inactive testes was strongly positive in the cytoplasmic process of the Sertoli cell from the basal stem region to the apical ex-tension. From the broad part of the stem region to the luminal space, the active testes showed a strong positive reaction. The ${\gamma}$-ray irradiated groups showed diminished reaction in the basal region.
Recently, STI process is getting attention as a necessary technology for making high density of semiconductor by devices isolation method. However, it does have various problems caused by CMP nprocess, such as torn oxide defects, nitride residues on oxide, damages of si active region, contaminations due to post-CMP cleaning, difficulty of accurate end point detection in CMP process, etc. In this work, the various defects induced by CMP process was introduced and the above mentioned problems of CMP process was examined in detail. Finally, the guideline of future CMP process was presented to reduce the effects of these defects.
Recently, STI process is getting attention as a necessary technology for making high density of semiconductor by devices isolation method. However, it does have various problems caused by CMP process, such as torn oxide defects, nitride residues on oxide, damages of si active region, contaminations due to post-CMP cleaning, difficulty of accurate end point detection in CMP process, etc. In this work, the various defects induced by CMP process was introduced and the above mentioned Problems of CMP process was examined in detail. Finally, the guideline of future CMP process was presented to reduce the effects of these defects.
In this investigation, electrochemical characteristics and damage behavior of 316L stainless steel polymer electrolyte membrane fuel cell(PEMFC) were analyzed by potentiodynamic and potentiostatic tests in cathode operating condition of PEMFC. As the result of potentiodynamic polarization test, range of passive region was larger than range of active region. In the result of potentiostatic test, damage depth and width, pit volume, and surface roughness were increased 1.57, 1.27, 2.48, and 1.34 times, respectively, at 1.2 V compared to 0.6 V at 24 hours. Also, as a result of linear regression analysis of damage depth and width graph, trend lines of damage depth and width according to applied potentials were 16.6 and 14.3 times larger, respectively. This demonstrated that applied potential had a greater effect on pitting damage depth of 316L stainless steel. The damage tendency values were 0.329 at 6 hours and 0.633 at 24 hours with applied potentials, representing rapid growth in depth direction according to the test times and applied potentials. Scanning electron microscopy images revealed that surface of specimen exhibited clear pitting damage with test times and applied potentials, which was thought to be because a stable oxide film was formed by Cr and Mo.
본 연구는 참나무시들음병 발생지역의 지형적, 공간적 발생분포에 대한 조사와 분석을 통하여 피해 예상지에 대한 적극적인 방제를 위한 기초 자료를 제공하고자 수행되었다. 참나무시들음병 피해는 경기도 파주시 광탄면 3개 지역에서 2011년부터 2015년까지 발생된 피해목을 모두 조사하여 분석하였다. 그 결과 참나무시들음병은 능선에 가까울수록 많은 수의 피해목이 발생되었으며, 보다 효과적인 방제를 위하여 능선을 기준으로 0~40 m까지 중점관리지역으로 선정하여 집중적인 방제작업이 필요할 것으로 사료된다. 또한 경사에 따른 피해상황이 지역에 따라 다르게 나타났으므로 피해발생을 경사도로 예측하기는 어려울 것으로 판단된다. 경급별로는 지역마다 본수비율이 가장 높은 평균 경급에서 피해목의 수가 가장 많은 것으로 분석되었다.
전 세계적으로 대규모 지진의 발생과 이로 인한 인명피해와 재산피해는 끊임없이 발생하고 있다. 특히 일본의 동일본 대지진(M=9.0; 2011. 3. 11.)은 이로 인한 쓰나미의 발생으로 상당한 인명피해와 경제적 손실을 가져왔고, 후쿠시마 원전사고를 유발하였다. 대부분의 지진은 기존 활성단층들의 재활성에 의해 발생한다. 따라서 활성단층에 의한 지진의 재발특성을 이해하기 위한 고지진학적 연구가 활발히 수행되고 있다. 우리나라는 유라시아판 내부에 위치하여 이웃한 일본이나 대만과 같은 나라들에 비해 지진으로부터 안전지대로 여겨져 왔다. 그러나 최근 경주지진(M=5.8; 2016. 9. 12.)과 포항지진(M=5.4; 2017, 11. 15.)으로 인해 우리나라에서도 지진재해에 대한 불안감이 증가하고 있다. 특히 이 지역은 많은 원자력관련 시설물들과 대규모 산업단지가 밀집되어 있는 지역들로 지진재해로부터 극도의 안전성이 확보되어야 한다. 그러나 한반도 남동부의 경우 대규모 지진들이 제4기뿐만 아니라 역사시대에도 자주 발생한 것으로 보고되고 있다. 따라서 지진에 의한 피해를 줄이기 위해서는 활성단층을 추적하고, 활성단층을 따른 지표파열의 특성을 파악하여 해당지역에서의 지진과 단층의 거동특성을 이해하는 것이 중요하다. 이 연구에서는 극도의 안전성 확보가 필요한 원자력관련시설물들의 부지 선정을 위한 활성단층, 단층손상대, 지진과 활성단층의 상관성, 그리고 이격거리 등의 구조지질학적 평가방법을 설명하고, 이를 통해 안전한 원자력관련 시설물의 부지선정뿐만 아니라 지진재해와 방재에 유용한 정보를 제공하고자 한다.
폐광지역에서 흔히 발생하는 싱크홀 형태의 지반침하는 인근 지역 주민의 안전은 물론, 지상구조물에 심각한 위해 요소로 작용할 수 있다. 본 연구에서는, 이러한 싱크홀의 발생양상을 수치해석적으로 규명하기 위해, 아주 특별한 형태의 유한요소해석을 실시하였다. 특히, 갱도 천반의 붕락에 의해 야기되는 공간이나, 파쇄된 암반이 쌓여서 이루는 폐석더미 등 기존의 수치해석기법으로서는 쉽사리 표현할 수 없었던 현실적인 문제들을 수치적으로 모사하기 위해 active-passive-active 유한요소를 사용하였다. Active 요소 즉 고체 요소는 싱크홀이 형성되는 영역 내에서 인장파괴 기준식을 만족하게 되면 passive 요소 즉 공간 요소로 전환될 수 있다. 싱크홀이 완전히 형성되게 되면 이들 passive요소들은 다시 active요소로 바뀌면서 폐석더미를 수치적으로 모사할 수 있게 된다. 채굴적의 폭, 심도, 천반의 상태 및 붕락 암반의 부피팽창율 등이 싱크홀에 미치는 영향을 검토하기 위해 여러 가지 조건에 의한 유한요소모델이 해석되었다. 본 연구는, 이와 같이 싱크홀이 발생하는 과정이나 천반이 붕락하는 현상 등을 해석하기 위해 수치해석상에서 active-passive-active유한요소들이 효과적으로 사용될 수 있음을 보여준다.
본 논문에서는, 초고집적 CMOS를 위한 얕은 트랜치 격리로 기존의 수직 구조에서 내부 임계전압과 활성 영역의 스트레스 영향을 개선시키고자 한다. 이를 위해서 제안한 구조는 회자 모양의 얕은 트랜치 격리 구조이며, 기존 수직 구조와 제안한 구조에 대해서 전자농도 분포와 게이트 바이어스 대 에너지 밴드 형태, 열전자 스트레스와 열 손상의 유전 강화 전계를 분석 하고자 한다. 물리적 기본 모델들은 TCAD 툴을 이용하며, 집적화 소자들에 있어서 분석 조건은 주위 조건과 스트레스 인가이다. 분석 결과, 얕은 트랜치 격리 구조가 소자의 크기가 감소됨에 따라서 수동적인 전기적 기능이며, 트랜지스터 응용에서 제안한 회자 구조의 얕은 트랜치 격리 구조가 전기적 특성에서 전위차 전계와 포화 임계 전압이 높게 나타났으며, 활성영역에서 스트레스의 영향은 감소되었다. 이 결과 데이터를 바탕으로 제작한 소자의 결과 분석도 시뮬레이션 결과 데이터와 거의 동일하였다.
The present work pays emphasis on investigating the effect of different types of debonding on the bending behaviour of active sandwich beam, consisting of both extension and shear actuators. An active sandwich beam finite element is formulated by using Timoshenko's beam theory, characterized by first order shear deformation for the core and Euler-Bernoulli's beam theory for the top and bottom faces. The problem of debondings of extension actuator and face are dealt with by employing four-region model for inner debonding and three-region model for the edge debonding respectively. Displacement based continuity conditions are enforced at the interfaces of different regions using penalty method. Firstly, piezoelectric actuation of healthy sandwich beam is assessed through deflection analysis. Then the effect of actuators' debondings with different boundary conditions on bending behavior is computationally evaluated and experimentally clamped-free case is validated. The results generated will be useful to address the damage tolerant design procedures for smart sandwich beam structures with structural control and health monitoring applications.
Recently, STI(Shallow Trench Isolation) process has attracted attention for high density of semiconductor device as a essential isolation technology. Without applying the conventional complex reverse moat process, CMP(Chemical Mechanical Polishing) has established the Process simplification. However, STI-CMP process have various defects such as nitride residue, torn oxide defect, damage of silicon active region, etc. To solve this problem, in this paper, we discussed to determine the control limit of process, which can entirely remove oxide on nitride from the moat area of high density as reducing the damage of moat area and minimizing dishing effect in the large field area. We, also, evaluated the reliability and reproducibility of STI-CMP process through the optimal process conditions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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